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不同气氛下SiO_x纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究 被引量：4
1
作者 郑立仁 黄柏标 尉吉勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期2306-2312,共7页
以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳... 以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095cm-1)及1132cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440nm(2.83eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级. 展开更多
关键词 SiOx纳米线 碳辅助化学气相沉积法 傅里叶红外吸收 光致发光
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碳辅助CVD制备氧化硅纳米线及其光学性能 被引量：2
2
作者 郑立仁 黄柏标 尉吉勇 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期250-254,共5页
利用碳辅助CVD方法,在1100～1140℃、常压、N2/H2气氛下,以Fe-Al-O复合体系为催化剂,在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线.该纳米线直径为20～200nm,长数百微米.利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了... 利用碳辅助CVD方法,在1100～1140℃、常压、N2/H2气氛下,以Fe-Al-O复合体系为催化剂,在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线.该纳米线直径为20～200nm,长数百微米.利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了表征与分析;FTIR光谱显示了非晶氧化硅的3个特征峰(482,806和1095cm-1)和1132cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.氧化硅纳米线的光致发光光谱(PL)表明其具有较强的438nm荧光峰. 展开更多
关键词 SiOx(x≤2)纳米线 碳辅助cvd方法 FTIR光谱 光致发光
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