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CaCu_3Ti_4O_(12)材料的研究现状 被引量:5
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作者 周小莉 《台州学院学报》 2004年第6期38-42,共5页
综述了研究CaCu_3Ti_4O_(12)材料反常巨介电特性的理论和实用意义。给出了CaCu_3Ti_4O_(12)结构示意图和X射线衍射(XRD)谱。评述了制备不同维度CaCu_3Ti_4O_(12)材料的常规制备方法、优缺点及低温下介电性能测定方法。从内禀和外赋的角... 综述了研究CaCu_3Ti_4O_(12)材料反常巨介电特性的理论和实用意义。给出了CaCu_3Ti_4O_(12)结构示意图和X射线衍射(XRD)谱。评述了制备不同维度CaCu_3Ti_4O_(12)材料的常规制备方法、优缺点及低温下介电性能测定方法。从内禀和外赋的角度,分析了影响CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电特性的各种可能因素。指出了目前该材料研究需要解决的一些问题。 展开更多
关键词 cacu3ti4o12 巨介电 反常
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Y掺杂Ca_(1-x)Y_xCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的制备及其介电性能研究 被引量:4
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作者 李旺 杜江萍 +3 位作者 唐鹿 薛飞 辛增念 罗哲 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2016年第11期16-20,共5页
采用固相反应法制备了Y掺杂的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷,研究了Y掺杂量对Ca_(1-x)Y_(2x/3)Cu_3Ti_4O_(12)(x=O%,1%,3%,5%)陶瓷的物相结构、微观形貌和介电性能影响,对Y掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果表... 采用固相反应法制备了Y掺杂的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷,研究了Y掺杂量对Ca_(1-x)Y_(2x/3)Cu_3Ti_4O_(12)(x=O%,1%,3%,5%)陶瓷的物相结构、微观形貌和介电性能影响,对Y掺杂影响CCTO陶瓷介电性能的机理进行了分析。结果表明:Y掺杂量在1~5 mol%时对CCTO陶瓷的相结构基本无影响;然而,当Y掺杂量达到3 mol%时,CCTO陶瓷的晶粒长大被明显抑制。Y掺杂量为1~3 mol%时,不仅可以提高CCTO陶瓷的介电常数,而且可以同步降低其介电损耗,从而有助于CCTO陶瓷的综合介电性能的提升。 展开更多
关键词 cacu_3ti_4o_(12) 介电性能 掺杂 晶界电阻 晶粒电阻
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高介电材料CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜光学性能的研究 被引量:1
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作者 陈爱平 李伟 +1 位作者 顾骏 朱劲松 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期289-291,共3页
作者用脉冲激光沉积方法制备了CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜,并用光学透射谱和Z扫描测量技术表征了CCTO薄膜的线性和非线性系数.结果发现,薄膜在600nm以上区域都具有很好的透光性,粗略估算出的光学带隙在3eV左右.在开孔Z扫描实验曲线中,透过样... 作者用脉冲激光沉积方法制备了CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜,并用光学透射谱和Z扫描测量技术表征了CCTO薄膜的线性和非线性系数.结果发现,薄膜在600nm以上区域都具有很好的透光性,粗略估算出的光学带隙在3eV左右.在开孔Z扫描实验曲线中,透过样品的能量不随样品的位置而改变,说明该材料在弱光强下没有非线性吸收.而闭孔Z扫描曲线具有明显的先谷后峰形状,表明样品是自聚焦材料,非线性折射系数为正值.此外,由闭孔Z扫描曲线可得归一化曲线的峰谷差值ΔTyv=0.14,从而非线性折射系数为γ=5.0×10-13m2/W. 展开更多
关键词 cacu_3ti_4o_(12) 透射谱 非线性系数
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CaCu_3Ti_4O_(12)的驰豫特性 被引量:1
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作者 尤景汉 张庆国 +1 位作者 琚伟伟 李立本 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第1期4-6,共3页
利用固态反应办法制备了CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷样品;从德拜弛豫理论出发,通过介电温度谱得到弛豫时间温度谱,计算了样品的弛豫激活能H。结果表明激活能与频率无关,而弛豫时间因子τ0则与频率有关,显示出样品的弛豫特性并非来源于... 利用固态反应办法制备了CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷样品;从德拜弛豫理论出发,通过介电温度谱得到弛豫时间温度谱,计算了样品的弛豫激活能H。结果表明激活能与频率无关,而弛豫时间因子τ0则与频率有关,显示出样品的弛豫特性并非来源于激活能H,而是来源于弛豫时间因子τ0的分布。 展开更多
关键词 cacu3ti4o12 损耗因子 弛豫时间 激活能
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CaCu_3Ti_4O_(12)基高介电常数材料
5
作者 吴裕功 张慧利 刘震 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期275-277,共3页
陶瓷电容器的小型化要求电介质有更高的介电常数.CaCu3Ti4O12是新近发现的一种高介材料,其相对介电常数在104量级.作者研究了固相反应制备CaCu3Ti4O12的反应进程,包括中间相的产生和消失,制备单相CaCu3Ti4O12的工艺条件.研究了多种离子... 陶瓷电容器的小型化要求电介质有更高的介电常数.CaCu3Ti4O12是新近发现的一种高介材料,其相对介电常数在104量级.作者研究了固相反应制备CaCu3Ti4O12的反应进程,包括中间相的产生和消失,制备单相CaCu3Ti4O12的工艺条件.研究了多种离子在钙钛矿结构中的掺杂取代及对介电性能的影响,特别是降低介电损耗的方法. 展开更多
关键词 巨介电响应 钛酸铜钙 介电常数
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共沉淀法制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷 被引量:6
6
作者 杨雁 李盛涛 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期835-839,共5页
为了降低CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电损耗,保持高介电常数,采用共沉淀法制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷.研究了前驱粉料的热分解过程、煅烧后粉料的物相结构、陶瓷的显微结构和介电性能,并考察了Ca、Cu混合溶液pH值对CaCu_3Ti_4O_(12)... 为了降低CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电损耗,保持高介电常数,采用共沉淀法制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷.研究了前驱粉料的热分解过程、煅烧后粉料的物相结构、陶瓷的显微结构和介电性能,并考察了Ca、Cu混合溶液pH值对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷性能的影响.结果表明:当Ca、Cu混合溶液pH值为5.1时,制备的CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电损耗最低,而且能保持高介电常数.在室温下,频率为1kHz时,介电常数为1.4×10~4,介电损耗为0.037.通过对陶瓷性能对比,发现共沉淀反应中各元素的沉淀比例,陶瓷的微观结构和介电性能均受该pH值的影响.因此,Ca、Cu混合溶液的pH值对降低CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电损耗、保持高介电常数影响很大. 展开更多
关键词 cacu_3ti_4o_(12)陶瓷 共沉淀 PH值 介电损耗
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Gd掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷材料压敏性能的影响 被引量:2
7
作者 谢新宇 项会雯 +4 位作者 陈镇平 李涛 陈书林 刘永伟 刘鑫 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第10期20-24,共5页
采用固相法制备了Ca_(1-x)Gdx_Cu_3Ti_4O_(12)(x=0~0.09)陶瓷系列样品,利用X射线衍射、Raman光谱和正电子湮没等技术手段,对系列样品的微观结构、缺陷浓度进行测试和表征。结果表明,在整个掺杂范围内体系未发生结构相变,掺杂引... 采用固相法制备了Ca_(1-x)Gdx_Cu_3Ti_4O_(12)(x=0~0.09)陶瓷系列样品,利用X射线衍射、Raman光谱和正电子湮没等技术手段,对系列样品的微观结构、缺陷浓度进行测试和表征。结果表明,在整个掺杂范围内体系未发生结构相变,掺杂引起体系晶格膨胀、分子极化率增加;随Gd掺杂量x的增加,空位型缺陷增加。电性能测试结果表明,适量Gd掺杂(x=0.01)有利于改善体系的压敏性能,而过量Gd掺杂(x=0.07~0.09)会阻碍晶界势垒的形成,因而抑制体系的压敏性能。讨论了体系微观结构、空位型缺陷浓度及晶界势垒高度等因素对体系压敏性能的影响特征。 展开更多
关键词 Ca_(1-x)Gdx_Cu_3ti_4o_(12)陶瓷 微观结构 分子极化 缺陷浓度 压敏性能 势垒高度
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简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究 被引量:3
8
作者 贾然 顾访 +2 位作者 吴珍华 赵学童 李建英 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期466-472,共7页
具有巨介电常数的CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=30为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析... 具有巨介电常数的CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷是一种理想的高储能密度电容器材料.本文以草酸为沉淀剂、以乙酸铵为调节pH值的定量缓冲剂,获得制备CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的简化共沉淀法.确定了pH=30为制备前驱粉料的最佳反应条件.通过显微分析和介电性能测量,发现在1040℃—1100℃范围内,随着烧结温度的提高,陶瓷的品粒尺寸增大,非线性系数上升,电位梯度和介电损耗下降,1100℃烧结的试样tanδ最低达到0.04.认为CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电损耗包含直流电导分量、低频松弛损耗和高频松弛损耗.低频松弛活化能为0.51 eV.,对应于晶界处的Maxwell-Wagner松弛极化;高频松弛过程活化能为0.10 eV,对应晶粒内部的氧空位缺陷.烧结温度的升高导致晶界电阻下降. 展开更多
关键词 巨介电常数 共沉淀法 松弛极化 cacu_3ti_4o_12陶瓷
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Alternative Strategy for Development of Dielectric Calcium Copper Titanate‑Based Electrolytes for Low‑Temperature Solid Oxide Fuel Cells
9
作者 Sajid Rauf Muhammad Bilal Hanif +8 位作者 Zuhra Tayyab Matej Veis MAKYousaf Shah Naveed Mushtaq Dmitry Medvedev Yibin Tian Chen Xia Martin Motola Bin Zhu 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2025年第1期310-332,共23页
The development of low-temperature solid oxide fuel cells(LT-SOFCs)is of significant importance for realizing the widespread application of SOFCs.This has stimulated a substantial materials research effort in developi... The development of low-temperature solid oxide fuel cells(LT-SOFCs)is of significant importance for realizing the widespread application of SOFCs.This has stimulated a substantial materials research effort in developing high oxide-ion conductivity in the electrolyte layer of SOFCs.In this context,for the first time,a dielectric material,CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)is designed for LT-SOFCs electrolyte application in this study.Both individual CCTO and its heterostructure materials with a p-type Ni_(0.8)Co_(0.15)Al_(0.05)LiO_(2−δ)(NCAL)semiconductor are evaluated as alternative electrolytes in LT-SOFC at 450–550℃.The single cell with the individual CCTO electrolyte exhibits a power output of approximately 263 mW cm^(-2) and an open-circuit voltage(OCV)of 0.95 V at 550℃,while the cell with the CCTO–NCAL heterostructure electrolyte capably delivers an improved power output of approximately 605 mW cm^(-2) along with a higher OCV over 1.0 V,which indicates the introduction of high hole-conducting NCAL into the CCTO could enhance the cell performance rather than inducing any potential short-circuiting risk.It is found that these promising outcomes are due to the interplay of the dielectric material,its structure,and overall properties that led to improve electrochemical mechanism in CCTO–NCAL.Furthermore,density functional theory calculations provide the detailed information about the electronic and structural properties of the CCTO and NCAL and their heterostructure CCTO–NCAL.Our study thus provides a new approach for developing new advanced electrolytes for LT-SOFCs. 展开更多
关键词 LT-SoFCs Dielectric cacu_(3)ti_(4)o_(12) Semiconductor Ni_(0.8)Co_(0.15)Al_(0.05)Lio_(2−δ) Ionic conductivity Heterostructure electrolyte
氧八面体扭转及其对CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)介电性能影响的第一性原理研究
10
作者 罗昊 成鹏飞 +3 位作者 党子妍 耿可佳 周敏 苏耀恒 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第9期15-22,共8页
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势平面波方法,通过调整氧原子的位置使TiO_(6)八面体扭转,对比了氧八面体扭转前后CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)的成键状况、能带结构、原子态密度及光频介电函数等性能参数的变化,发现Ti-O-T... 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势平面波方法,通过调整氧原子的位置使TiO_(6)八面体扭转,对比了氧八面体扭转前后CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)的成键状况、能带结构、原子态密度及光频介电函数等性能参数的变化,发现Ti-O-Ti键扭转方向的变化对各原子的电荷、键长和布居几乎没有影响,但扭转角度的改变发挥了关键性作用。随着Ti-O-Ti键夹角的增大,Cu的电荷量增加,Cu—O键键长增大,布居数减小,同时介电常数显著增大,表明Cu—O键刚性约束被打破后有助于CCTO光频介电常数的增加。研究揭示了TiO_(6)八面体的扭转对CCTO宏观介电性能的影响,为基于微结构调控优化CCTO的介电性能提供了新思路。 展开更多
关键词 cacu_(3)ti_(4)o_(12) tio_(6)八面体 ti-o-ti 第一性原理
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聚合物热解法制备高击穿场强CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷的微观结构及介电性能 被引量:4
11
作者 卢文敏 张建花 +3 位作者 郭斯琪 郝嵘 宋建成 雷志鹏 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2022年第11期30-35,共6页
由于CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)陶瓷表现出非欧姆特性,这些陶瓷有望用于储能电容器和过压保护装置等应用,然而一般制备的CCTO陶瓷样品击穿场强(E_(b))极低。为了提高CCTO陶瓷样品的E_(b),本文以硝酸铜、硝酸钙、二钛酸二异丙酯为原料,... 由于CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)陶瓷表现出非欧姆特性,这些陶瓷有望用于储能电容器和过压保护装置等应用,然而一般制备的CCTO陶瓷样品击穿场强(E_(b))极低。为了提高CCTO陶瓷样品的E_(b),本文以硝酸铜、硝酸钙、二钛酸二异丙酯为原料,丙烯酸水溶液作为聚合单体,过硫酸铵水溶液作为引发剂,采用聚合物热解法制备了CCTO前驱体粉末,然后分别在1040、1060、1080℃烧结得到CCTO陶瓷样品,研究了不同烧结温度陶瓷样品的相结构、微观结构和介电性能。结果表明:在不同烧结温度下采用聚合物热解法制备的陶瓷样品在保持高介电常数的同时大幅提高了E_(b),在1060℃下烧结的陶瓷样品介质损耗降低,其E_(b)为11.45 kV/cm,介电常数和介质损耗因数分别为9110和0.03。在1060℃下烧结有利于样品晶粒正常生长,完善晶界及形成势垒。此外,晶粒的正常生长对陶瓷样品的介电常数有显著影响,晶界阻抗的增大有利于E_(b)的提高和低频介质损耗的降低。 展开更多
关键词 cacu_(3)ti_(4)o_(12)陶瓷 聚合物热解 烧结温度 击穿场强
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Ni_(2)O_(3)和ZrO_(2)共掺杂CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷的介电性能研究
12
作者 南彦鑫 张建花 +2 位作者 邓涛 李鹏 吕亚璐 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第7期822-829,共8页
CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)介电陶瓷因具有极高的介电常数(ε′)而受到了广泛的关注与研究,并在电容器材料领域展现出巨大潜力。然而,较高的介电损耗(tanδ)和较差的温度稳定性限制了其发展。为了降低CCTO陶瓷的tanδ并提高温度稳定性... CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)介电陶瓷因具有极高的介电常数(ε′)而受到了广泛的关注与研究,并在电容器材料领域展现出巨大潜力。然而,较高的介电损耗(tanδ)和较差的温度稳定性限制了其发展。为了降低CCTO陶瓷的tanδ并提高温度稳定性,通过溶胶-凝胶法制备了Ni_(2)O_(3)和ZrO_(2)共掺杂的CCTO陶瓷。研究发现:通过掺杂Ni_(2)O_(3)和ZrO_(2),样品在维持高ε′的同时,显著地提高了温度稳定性并降低了tanδ。特别是质量分数1%Ni_(2)O_(3)和1%ZrO_(2)共掺杂的样品,其ε′高达4710,在-125~200℃温度范围内变化小于±20%,符合X9S电容器的标准(在-55~200℃范围内,Δε′<±20%)。并且该样品在室温下的tanδ低至0.012,优于纯CCTO的0.025。这些优异的性能与较大的晶界活化能和较高的晶界电阻有着密不可分的关系。 展开更多
关键词 cacu_(3)ti_(4)o_(12)陶瓷 温度稳定性 介电损耗 X9S电容器
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第二相CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)改性BSBNT弛豫铁电陶瓷的结构和介电储能性能研究
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作者 骆雯琴 李东旭 +1 位作者 李志鹏 沈宗洋 《现代技术陶瓷》 CAS 2023年第3期218-225,共8页
采用固相法制备了(Ba_(0.3)Sr_(0.7))_(0.35)(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.65)TiO_(3)-xwt%CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(BSBNT-xwt%CCTO,其中x=5,10,15,20)陶瓷,研究了CCTO含量对BSBNT陶瓷的相结构、显微结构和电学性能影响。当x≤15时,陶瓷存在BSBN... 采用固相法制备了(Ba_(0.3)Sr_(0.7))_(0.35)(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.65)TiO_(3)-xwt%CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(BSBNT-xwt%CCTO,其中x=5,10,15,20)陶瓷,研究了CCTO含量对BSBNT陶瓷的相结构、显微结构和电学性能影响。当x≤15时,陶瓷存在BSBNT和CCTO两相;而当x=20时,检测出少量的CuxOy氧化物相。CCTO的引入使得陶瓷晶粒尺寸明显降低,且保持良好的致密度。同时,陶瓷的介电峰逐渐展宽,温度稳定性TCC150℃获得提高,介电常数与损耗也呈现良好的频率稳定性。随着CCTO含量增加,BSBNT-xwt%CCTO陶瓷的电滞回线逐渐向“细长”型转变。在E=80 kV/cm电场强度下,BSBNT-10wt%CCTO陶瓷具有优化的能量密度Wrec=0.72 J/cm^(3),相应效率η=63.4%,可用于脉冲功率电容器制作。 展开更多
关键词 储能陶瓷 弛豫铁电体 脉冲功率电容器 (Bi_(0.5)Na_(0.5))tio_(3) cacu_(3)ti_(4)o_(12)
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新型巨介电压敏陶瓷材料钛酸铜钙研究进展 被引量:3
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作者 罗绍华 《电瓷避雷器》 CAS 2008年第6期25-30,共6页
介绍了一种新型类钙钛矿型巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和电流-电压特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型,阐述了压敏特性的起... 介绍了一种新型类钙钛矿型巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和电流-电压特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型,阐述了压敏特性的起源。指出CaCu3Ti4O12的巨介电特性还有隐含的物理意义没有被发现.其极化机制、拉曼谱上出现的特征能隙和特征频率的物理意义等都是有待解决的基本问题。应通过不同的制备工艺、产生不同缺陷和孪晶以及尺寸、应力研究介电特性与温度间的关系,为合理解决CaCu3Ti4O12的反常行为提供一些实验数据。同时CaCu3Ti4O12的压敏特性的研究还不充分,掺杂、复合及热处理工艺等对其影响的系统性研究工作还需要进一步的深入。纳米化可能会导致其某项特性的进一步提升.而薄膜化尽早与微电子的需要结合会产生更广的应用空间。 展开更多
关键词 cacu3ti4o12 巨介电 电流-电压非线性 压敏电阻
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非铁电巨介电压敏材料CCTO 被引量:4
15
作者 罗绍华 武聪 田勇 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第7期1603-1610,共8页
本文主要介绍了近年来一种新型类钙钛矿型非铁电巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12,概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和I-V特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型,阐述... 本文主要介绍了近年来一种新型类钙钛矿型非铁电巨介电非线性压敏陶瓷材料——CaCu3Ti4O12,概述了其在晶体结构、相结构、微观形貌、多条件下介电特性和I-V特性等方面的研究进展。比较了CaCu3Ti4O12陶瓷的各种巨介电性理论和模型,阐述了压敏特性的起源。在讨论CaCu3Ti4O12陶瓷巨介电性和压敏特性机理的同时,指出了CaCu3Ti4O12作为介电材料和压敏材料的研究方向及应用的可能性。掺杂、复合及热处理工艺等对CaCu3Ti4O12电性能影响的系统性研究工作还需要进一步深入;纳米化可能会导致其某项特性的进一步提升,而薄膜化尽早与微电子领域的需要相结合会产生更广阔的应用空间。 展开更多
关键词 cacu3ti4o12 巨介电 电流-电压非线性 压敏电阻
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CCTO特征晶体结构畸变的第一性原理
16
作者 党子妍 成鹏飞 罗秋妮 《纺织高校基础科学学报》 CAS 2023年第3期84-91,共8页
为研究特征晶体结构和优异介电性能之间的内在联系,通过改变O的内坐标调整TiO_(6)八面体和CuO_(4)正方形的畸变,运用Materials Studio软件的CASTEP模块计算,对比了晶格畸变前后CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(简称CCTO)能带结构、原子态密度、成... 为研究特征晶体结构和优异介电性能之间的内在联系,通过改变O的内坐标调整TiO_(6)八面体和CuO_(4)正方形的畸变,运用Materials Studio软件的CASTEP模块计算,对比了晶格畸变前后CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(简称CCTO)能带结构、原子态密度、成键状况及光频介电函数等性能参数变化,分析TiO_(6)八面体及CuO_(4)正方形的改变对CCTO介电性能所造成的影响,进一步确认本征结构与巨介电性能之间的内在联系。结果显示,TiO_(6)八面体畸变对光频介电常数影响不大,但CuO_(4)正方形对CCTO光频介电常数有着明显的制约作用。从内禀机制角度解释了CCTO的介电机理,为调控CCTO材料介电性能提供了新的思路。 展开更多
关键词 cacu_(3)ti_(4)o_(12) tio_(6)八面体 刚性Cuo_(4)正方形 第一性原理
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基于第一性原理的静水压下CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)的电子结构 被引量:2
17
作者 王丹 成鹏飞 党子妍 《西安工程大学学报》 CAS 2021年第1期102-107,共6页
基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法,研究静水压对CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(以下简称CCTO)能带结构、态密度及介电性能的影响,建立介电性能与晶胞畸变之间的内在关系。能带结构计算表明:价带顶主要由O-2p和Cu-3d态电子贡献,... 基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势平面波方法,研究静水压对CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(以下简称CCTO)能带结构、态密度及介电性能的影响,建立介电性能与晶胞畸变之间的内在关系。能带结构计算表明:价带顶主要由O-2p和Cu-3d态电子贡献,导带底主要由Ti-4d态电子贡献,且带隙随着压强的增加而增大;费米能级附近,O-2p态电子和Cu-3d态电子起主要作用,即CuO4正方形结构对CCTO的介电性能产生重要影响。介电性能分析表明:当压力不断增大时,CCTO晶格内原子间的相互距离,相互作用的强度和方式发生改变,促使电子结构发生变化,光频介电常数增大。因此,晶胞调控是优化CCTO介电性能的有效途径。 展开更多
关键词 cacu_(3)ti_(4)o_(12) 第一性原理 电子结构 态密度 能带结构 介电函数
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ZnO掺杂对CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷介电性能的改善及其机理研究 被引量:1
18
作者 陈子成 张建花 +2 位作者 郝嵘 王大伟 郭向阳 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2023年第12期1441-1446,共6页
现代科技的发展对于电子器件的小型化有着越来越高的要求,CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)是一种被认为具有开发潜力的介电材料,然而其介电损耗过高阻碍其投入应用,因此采用溶胶凝胶法制备了不同ZnO掺杂含量的CCTO陶瓷。使用了XRD、SEM、宽... 现代科技的发展对于电子器件的小型化有着越来越高的要求,CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)是一种被认为具有开发潜力的介电材料,然而其介电损耗过高阻碍其投入应用,因此采用溶胶凝胶法制备了不同ZnO掺杂含量的CCTO陶瓷。使用了XRD、SEM、宽频介电谱仪和高阻计对所有样品的相组成、微观形貌和介电性能进行了表征,探讨了不同ZnO掺杂量对CCTO陶瓷介电性能的影响。结果表明,ZnO掺杂的CCTO陶瓷保持了单一的CCTO相结构和良好的晶粒分布,击穿特性有所增强。其中,ZnO掺杂浓度为摩尔分数6%的CCTO陶瓷,其相对介电常数为7471(1 kHz),tanδ最小值为0.018,并且在较宽的频率范围内(101~105 Hz)都具有较低的tanδ值(<0.05),击穿场强为2.95 kV/cm。分析表明,tanδ的改善主要是由于晶界电阻的增强和晶界弛豫极化损耗的降低所引起。ZnO掺杂的CCTO陶瓷具有良好的介电性能,对加快CCTO的广泛应用具有重要意义。 展开更多
关键词 cacu_(3)ti_(4)o_(12) Zno 介电损耗 晶界电阻 弛豫极化损耗
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CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)前驱体煅烧温度对其介电性能的影响 被引量:1
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作者 王显威 李盛男 +5 位作者 赵雪至 马永豪 尚淑英 尚军 尹少骞 胡艳春 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第1期25-30,共6页
采用溶胶-凝胶法制备CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)陶瓷粉体,研究煅烧后CCTO前驱体晶相对烧结成型后的陶瓷介电性能的影响。通过控制煅烧温度(450℃,500℃,550℃,600℃)来控制粉体物相,最后用1050℃进行烧结.结果表明,在低温下煅烧的粉体... 采用溶胶-凝胶法制备CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)(CCTO)陶瓷粉体,研究煅烧后CCTO前驱体晶相对烧结成型后的陶瓷介电性能的影响。通过控制煅烧温度(450℃,500℃,550℃,600℃)来控制粉体物相,最后用1050℃进行烧结.结果表明,在低温下煅烧的粉体经过高温烧结也可以得到纯CCTO晶相.在未形成CCTO晶相下烧结的样品,晶粒更加粗大,拥有更高的介电常数和介电损耗.其中500℃样品介电性能表现最好,在1 kHz时达到4.7×10^(4),而介电损耗也在1 kHz时降到0.11,介电弛豫更加明显.形成CCTO晶相下烧结得到的样品,在介电性能方面表现出更加出色的温度稳定性和频率稳定性. 展开更多
关键词 cacu_(3)ti_(4)o_(12) 介电性能 晶相 煅烧温度
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CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷负温度系数电阻特性研究
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作者 陈伟 《广州化工》 CAS 2023年第5期81-83,95,共4页
采用溶胶-凝胶法制备了CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)粉体,压制成型工艺和传统烧结工艺制备了CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷样品,研究了CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷的相结构与烧结工艺的关系,表征并讨论了CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷的负温度系数(NTC,Ne... 采用溶胶-凝胶法制备了CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)粉体,压制成型工艺和传统烧结工艺制备了CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷样品,研究了CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷的相结构与烧结工艺的关系,表征并讨论了CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷的负温度系数(NTC,Negative Temperature Coefficient)电阻特性,如电阻率(ρ)、热敏常数(B)、线性度和迟滞。实验结果证明:所制备的陶瓷坯体经950℃、1000℃、1050℃和1100℃烧结后可得到纯钙钛矿相的CaCu_(3)Ti_(4)O_(12)陶瓷;同时具有良好的NTC特性,室温电阻率(ρ25)为1.5×107Ω·cm,热敏常数为6223~6874 K;线性度和迟滞分别为1.50%和1.00%。 展开更多
关键词 cacu_(3)ti_(4)o_(12)陶瓷 线性度 热敏常数 迟滞
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