硅片CMP抛光工艺技术研究 被引量：17

1

作者 刘玉岭 《电子工艺技术》 2010年第5期299-302,共4页

介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了... 介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案。 展开更多

关键词 硅片 化学机械抛光 去除速率 缺陷

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化学机械抛光在MEMS中的应用 被引量：2

2

作者 高慧莹 《电子工业专用设备》 2011年第10期19-23,共5页

CMP在MEMS的多晶硅表面的微机械加工过程中起着至关重要的作用。为了更详细的了解CMP在MEMS加工中的应用,从MEMS的发展,工艺流程、CMP在MEMS制造中的不足以及我国CMP在MEMS制造中的发展现状等方面进行了论述。

关键词 微机电系统 化学机械抛光 多晶硅表面

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超声椭圆振动-化学机械复合抛光硅片实验研究 被引量：2

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作者 杨卫平 徐家文 吴勇波 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期912-917,共6页

在研制超声椭圆振动-化学机械复合抛光硅片实验装置基础上,进一步开展了抛光压力P,抛光点速度v及抛光液供给量Q等可控工艺参数对硅片抛光表面粗糙度、表面形貌和材料去除率影响的有无超声椭圆振动辅助抛光的对比实验研究.实验结果表明:... 在研制超声椭圆振动-化学机械复合抛光硅片实验装置基础上,进一步开展了抛光压力P,抛光点速度v及抛光液供给量Q等可控工艺参数对硅片抛光表面粗糙度、表面形貌和材料去除率影响的有无超声椭圆振动辅助抛光的对比实验研究.实验结果表明:抛光工具的超声椭圆振动有利于抛光垫保持良好的表面形貌和抛光区获得良好的工作状况,提高硅片材料的去除率;抛光压力对抛光质量的影响最大,抛光速度次之,抛光液供给量影响最小;在最佳抛光效果情况下,可使硅片抛光表面粗糙度值由传统抛光法所获得的Ra0.077μm降到超声辅助抛光法的Ra0.042μm,材料去除率最多可提高18%,并且工件表面形貌有明显改善. 展开更多

关键词 超声椭圆振动 化学机械抛光 复合 表面形貌 材料去除率

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碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响 被引量：2

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作者 唐文栋 刘玉岭 +1 位作者 宁培桓 田军 《微纳电子技术》 CAS 2008年第10期611-614,618,共5页

阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用。使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对硬盘基板表面抛光,分析研究了抛光液中的浓... 阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用。使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对硬盘基板表面抛光,分析研究了抛光液中的浓度、表面活性剂以及去除量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理。总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液中的浓度、表面活性剂及去除量的变化规律以及抛光液的这些参数如何影响到硬盘基板的表面状况。在总结和分析这些规律的基础上,对抛光结果进行了检测。经检测得出,改善抛光后的硬盘基板表面质量(Ra=0.3926nm,Rrms=0.4953nm)取得了显著效果。 展开更多

关键词 硬盘基板 化学机械抛光 抛光液 粗糙度 波纹度 平整度

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纳米集成电路制造中的CMP 被引量：1

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作者 王海明 《电子工业专用设备》 2018年第2期1-5,57,共6页

总结了化学机械抛光技术在当前纳米集成电路工艺流程中的实际应用,分析了存在的问题和挑战,以及CMP的发展趋势;同时充分评估了CMP在纳米集成电路制造中的关键作用,以及掌握其核心技术的战略意义。

关键词 化学机械抛光 纳米集成电路制造 化学机械抛光核心技术

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GEM标准在CMP系统上的应用 被引量：1

6

作者 袁丁 张克佳 《电子工业专用设备》 2016年第5期16-19,共4页

以当代最先进的自动化工厂(FA)走势为依据,结合化学机械抛光(CMP)系统的实际应用需求,提出了解决工业自动化通信协议SECS\GEM的应用问题。叙述了GEM的通信状态、控制状态和实现GEM的设计思路,并举例说明了GEM中的消息配方。实践表明,我... 以当代最先进的自动化工厂(FA)走势为依据,结合化学机械抛光(CMP)系统的实际应用需求,提出了解决工业自动化通信协议SECS\GEM的应用问题。叙述了GEM的通信状态、控制状态和实现GEM的设计思路,并举例说明了GEM中的消息配方。实践表明,我国自动化设备领域对GEM的需求是非常迫切的。 展开更多

关键词 国际半导体设备与材料产业协会的设备通信标准(SECS) 工厂设备通信与控制通用标准(GEM) 化学机械抛光(cmp) 工厂自动化

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CMP加工过程中晶片形状对抛光液流动特性的影响 被引量：1

7

作者 郁炜 吕迅 楼飞燕 《轻工机械》 CAS 2008年第5期93-95,共3页

化学机械抛光过程中抛光液的流动特性取决于被抛光晶片的形状和抛光参数。采用LIF技术来实验研究晶片形状及抛光参数对抛光液液膜厚度的影响。研究表明,凸面晶片与抛光垫摩擦过程中,抛光液膜厚度随着抛光盘转速的增加而增加,随着下压力... 化学机械抛光过程中抛光液的流动特性取决于被抛光晶片的形状和抛光参数。采用LIF技术来实验研究晶片形状及抛光参数对抛光液液膜厚度的影响。研究表明,凸面晶片与抛光垫摩擦过程中,抛光液膜厚度随着抛光盘转速的增加而增加,随着下压力的增加而减少。而凹面晶片的抛光液膜厚度随着转速的增加而减少,随着加工载荷的增加也减小。通过对晶片形状和加工参数对抛光液流动特性的影响分析,为改善CMP加工工艺提供理论性的依据。 展开更多

关键词 化学机械抛光 流动特性 激光诱导荧光

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基于MVC架构的CMP软件模块开发研究 被引量：1

8

作者 孔宪越 孟晓云 杨元元 《电子工业专用设备》 2019年第3期25-28,共4页

针对化学机械抛光技术(CMP)软件系统复杂、工艺控制种类繁多、运行参数数据量大等问题,提出将MVC(Model-View-Controller)架构应用于CMP软件设计的方法;阐述了MVC架构在CMP软件设计中的应用以及在事件管理程序设计(模块3)和信息筛选中... 针对化学机械抛光技术(CMP)软件系统复杂、工艺控制种类繁多、运行参数数据量大等问题,提出将MVC(Model-View-Controller)架构应用于CMP软件设计的方法;阐述了MVC架构在CMP软件设计中的应用以及在事件管理程序设计(模块3)和信息筛选中的应用;基于MVC架构的软件设计方法降低了软件模块之间的耦合性,提高了程序的复用性和可维护性。 展开更多

关键词 化学机械抛光 模型-视图-控制器架构 软件设计方法

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CMP抛光头分区自动压力校准方法的研究与实现

9

作者 贾若雨 白琨 孟晓云 《电子工业专用设备》 2020年第4期47-49,共3页

针对化学机械抛光(CMP)抛光头分区压力控制过程中存在的加载压力与反馈压力不一致、人工校准效率低、操作易出错等影响抛光工艺效果的问题,提出一种基于高精度压力检测仪的抛光头分区自动压力校准方法,并依据该方法,基于模型-视图-控制... 针对化学机械抛光(CMP)抛光头分区压力控制过程中存在的加载压力与反馈压力不一致、人工校准效率低、操作易出错等影响抛光工艺效果的问题,提出一种基于高精度压力检测仪的抛光头分区自动压力校准方法,并依据该方法,基于模型-视图-控制器(MVC)架构实现自动压力校准程序。经生产验证,采用该方法可提升工作效率,减少校准误差,提高压力校准精度。 展开更多

关键词 化学机械抛光 自动压力校准 高精度压力检测仪

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定偏心平面研磨均匀性研究 被引量：1

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作者 周兆忠 郑家锦 袁巨龙 《现代制造工程》 CSCD 2005年第5期14-16,共3页

对修正环形抛光机CMP过程进行运动分析,给出研磨盘上一点相对于工件的速度矢量与轨迹方程。详细讨论研磨盘上不同位置的点的相对轨迹,通过对相对速度的讨论发现,当研磨盘与工件具有相同的角速度时,有利于工件平面度的提高。重点分析开... 对修正环形抛光机CMP过程进行运动分析,给出研磨盘上一点相对于工件的速度矢量与轨迹方程。详细讨论研磨盘上不同位置的点的相对轨迹,通过对相对速度的讨论发现,当研磨盘与工件具有相同的角速度时,有利于工件平面度的提高。重点分析开螺旋槽的研磨盘对工件平面度的影响,提出用偏心保持架装置替代同心保持架装置,有利于工件平面度提高。实验结果与理论分析相符。 展开更多

关键词 cmp 轨迹方程 偏心保持架 平面度

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纳米SnO_2磨料的制备及其在钌化学机械抛光中的应用(英文)

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作者 储向峰 李秀金 +2 位作者 董永平 乔红斌 白林山 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期692-695,共4页

利用固相反应法制备纳米二氧化锡磨料并研究了制备条件对平均粒径的影响。结果表明,在500℃/4h条件下制得的纳米二氧化锡粉体在水中有良好的分散性和稳定性。利用自制的抛光液对高纯钌片进行化学机械抛光,与二氧化硅磨料抛光液比较,材... 利用固相反应法制备纳米二氧化锡磨料并研究了制备条件对平均粒径的影响。结果表明,在500℃/4h条件下制得的纳米二氧化锡粉体在水中有良好的分散性和稳定性。利用自制的抛光液对高纯钌片进行化学机械抛光,与二氧化硅磨料抛光液比较,材料去除速率和表面粗糙度都降低。当抛光液中含1%(质量分数,下同)二氧化锡、1%过硫酸铵、1%酒石酸和3mmol/L咪唑,pH=8.0,抛光压力为17.24kPa时,材料去除速率(MRR)和表面粗糙度(Ra)分别为6.8nm/min和4.8nm。 展开更多

关键词 纳米二氧化锡 磨料 化学机械抛光 钌

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