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J2EE数据持久层的解决方案 被引量:76
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作者 田珂 谢世波 方马 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2003年第22期93-95,共3页
在基于J2EE项目的开发过程中,数据持久层的设计往往是一个棘手的问题。该文在分析3种主流解决方案的基础上,介绍了开源O-R 映射开源项目Hibernate,并且对J2EE服务器端编程开发架构进行了比较,探讨了采用Hibernate开发架构的技术优势。
关键词 数据持久层 O-R MAPPING HIBERNATE cmp JDO
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镉、铅及其复合污染对辣椒生理生化特性的影响 被引量:78
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作者 王林 史衍玺 《山东农业大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2005年第1期107-112,118,共7页
通过水培试验,研究了重金属镉(Cd)、铅(Pb)的单一及复合污染对辣椒生理生化特性的影响。结果表明,在Cd、Pb单一及复合污染条件下,随着Cd、Pb浓度的升高,辣椒生长受到明显抑制,生物量、株高明显下降,硝酸还原酶(NR)活性、根系活力、叶绿... 通过水培试验,研究了重金属镉(Cd)、铅(Pb)的单一及复合污染对辣椒生理生化特性的影响。结果表明,在Cd、Pb单一及复合污染条件下,随着Cd、Pb浓度的升高,辣椒生长受到明显抑制,生物量、株高明显下降,硝酸还原酶(NR)活性、根系活力、叶绿素含量以及叶绿素a/b显著下降,叶片细胞膜透性(CMP)显著升高;其中,在Cd、Pb单一污染条件下,硝酸还原酶(NR)活性、根系活力、叶绿素含量、叶片细胞膜透性(CMP)分别与Cd、Pb浓度呈显著或极显著的线性相关关系,Cd对辣椒的毒害作用强于Pb;Cd、Pb复合污染对辣椒NR活性的影响始终比单一污染强,而对CMP、根系活力、叶绿素含量的影响则比较复杂,先是略弱于Cd单一污染,而后随着浓度升高,又强于Cd单一污染,始终强于Pb单一污染。 展开更多
关键词 生理生化特性 辣椒 单一及复合污染 叶绿素含量 硝酸还原酶 细胞膜透性 根系活力 叶绿素A/B 线性相关关系 镉(Cd) 水培试验 毒害作用 NR活性 Pb 重金属 浓度 生物量 cmp 下降 叶片 株高
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羧甲基茯苓多糖对小鼠免疫功能的影响 被引量:67
3
作者 张秀军 徐俭 林志彬 《中国药学杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期913-916,共4页
目的 观察羧甲基茯苓多糖 (CMP)体内外给药对小鼠免疫功能的影响。方法 体外方法为将指数生长小鼠淋巴细胞或巨噬细胞与不同浓度的羧甲基茯苓多糖共培养 ,观察小鼠脾淋巴细胞的增殖作用和巨噬细胞吞噬中性红的能力。体内方法为每日给... 目的 观察羧甲基茯苓多糖 (CMP)体内外给药对小鼠免疫功能的影响。方法 体外方法为将指数生长小鼠淋巴细胞或巨噬细胞与不同浓度的羧甲基茯苓多糖共培养 ,观察小鼠脾淋巴细胞的增殖作用和巨噬细胞吞噬中性红的能力。体内方法为每日给正常小鼠分别静脉注射不同剂量的羧甲基茯苓多糖 ,连续注射 1 0d ,用与体外同样方法观察CMP对小鼠脾淋巴细胞的增殖作用及对小鼠腹腔巨噬细胞吞噬功能的影响。结果 CMP静脉注射剂量在 5 ,1 0 ,50mg·kg- 1 时对小鼠脾淋巴细胞增殖、腹腔巨噬细胞吞噬功能均有明显的促进作用 ,体外给药浓度在 0 .1~ 50 μg·mL- 1 时对小鼠脾淋巴细胞增殖有直接的促进作用。对小鼠混合淋巴细胞反应也有明显的促进作用 ,CMP还显著增强ConA及LPS活化的小鼠脾淋巴细胞的增殖反应及小鼠腹腔巨噬细胞吞噬中性红的作用。 展开更多
关键词 羧甲基茯苓多糖 免疫功能 cmp 淋巴细胞增殖 巨噬细胞吞噬
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蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究 被引量:36
4
作者 王银珍 周圣明 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期441-447,共7页
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了CMP的主要发展趋势 :能定量确定最佳CMP工艺 ,系统地研究CMP工艺过程参数 ,建立完善的CMP理论模型 ,满足不同... 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了CMP的主要发展趋势 :能定量确定最佳CMP工艺 ,系统地研究CMP工艺过程参数 ,建立完善的CMP理论模型 ,满足不同的工艺要求和应用领域 ,有效降低成本 。 展开更多
关键词 化学机械抛光技术 蓝宝石 衬底 cmp 抛光方法 抛光机
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Progress in material removal mechanisms of surface polishing with ultra precision 被引量:26
5
作者 XU Jin LUO Jianbin +2 位作者 LU Xinchun ZHANG Chaohui PAN Guoshun 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2004年第16期1687-1693,共7页
Chemical mechanical polishing (CMP) process is commonly regarded as the best method for achieving global planarization in the field of surface finishing with ultra-precision. The development of investigation on materi... Chemical mechanical polishing (CMP) process is commonly regarded as the best method for achieving global planarization in the field of surface finishing with ultra-precision. The development of investigation on material removal mechanisms for different materials used in com-puter hard disk and ultra-large scale integration fabrication are reviewed here. The mechanisms underlying the interac-tion between the abrasive particles and polished surfaces during CMP are addressed, and some ways to investigate the polishing mechanisms are presented. 展开更多
关键词 化学机械抛光 cmp 物质迁移机理 磨损 ULSL 计算机硬盘
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化学机械抛光中的硅片夹持技术 被引量:18
6
作者 孙禹辉 康仁科 +2 位作者 郭东明 金洙吉 苏建修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期10-14,共5页
目前半导体制造技术已经进入0.13mm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究... 目前半导体制造技术已经进入0.13mm时代,化学机械抛光(CMP)已经成为IC制造中不可缺少的技术。本文描述了下一代IC对大尺寸硅片(≥300mm)局部和全局平坦化精度的要求,介绍了目前工业发达国家在化学机械抛光加工中硅片夹持技术方面的研究现状,分析了当前硅片夹持技术中存在的问题,并指出了未来大尺寸硅片超精密平坦化加工中夹持与定位技术的发展趋势。 展开更多
关键词 化学机械抛光 集成电路 硅片夹持 超精密平坦化
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化学机械抛光中的纳米级薄膜流动 被引量:12
7
作者 张朝辉 雒建斌 雷红 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第14期1282-1285,共4页
在简述化学机械抛光技术的基础上,提出化学机械抛光过程中,受载的粗糙峰和被抛光的晶片表面之间存在一纳米量级的薄流体膜,形成了纳米级薄膜流动系统。指出对纳米级流动规律进行研究将有助于了解化学机械抛光的作用机理,其中,在极薄的... 在简述化学机械抛光技术的基础上,提出化学机械抛光过程中,受载的粗糙峰和被抛光的晶片表面之间存在一纳米量级的薄流体膜,形成了纳米级薄膜流动系统。指出对纳米级流动规律进行研究将有助于了解化学机械抛光的作用机理,其中,在极薄的膜厚情况下的温度场分析是一项迫切任务。 展开更多
关键词 化学机械抛光 平面度 纳米级流动 温度场
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单晶蓝宝石衬底晶片的化学机械抛光工艺研究 被引量:22
8
作者 余青 刘德福 陈涛 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期253-261,共9页
目的设计单晶蓝宝石衬底化学机械抛光的合理方案,探究主要抛光工艺参数对抛光衬底的表面质量和材料去除率的影响,并得到一组材料去除率高且表面质量满足要求的抛光工艺参数。方法借助原子力显微镜和精密天平分别对衬底表面形貌和材料去... 目的设计单晶蓝宝石衬底化学机械抛光的合理方案,探究主要抛光工艺参数对抛光衬底的表面质量和材料去除率的影响,并得到一组材料去除率高且表面质量满足要求的抛光工艺参数。方法借助原子力显微镜和精密天平分别对衬底表面形貌和材料去除率进行分析,采用单因素实验法探究了抛光粒子、抛光时间、抛光压力和抛光盘转速对蓝宝石衬底化学机械抛光的表面质量和材料去除率的影响,并设计合理的交互正交优化实验寻求一组较优的抛光工艺参数。结果在蓝宝石衬底化学机械精抛过程中,在抛光时间为0.5 h、抛光压力为45.09 k Pa、抛光盘转速为50 r/min、SiO_2抛光液粒子质量分数为15%、抛光液流量为60 m L/min的条件下,蓝宝石衬底材料的去除率达41.89 nm/min,表面粗糙度降低至0.342 nm,衬底表面台阶结构清晰,满足后续外延工序的要求。结论采用化学机械抛光技术和优化的工艺参数,可同时获得较高的材料去除率和高质量的蓝宝石衬底表面。 展开更多
关键词 蓝宝石衬底 化学机械抛光 交互正交法 材料去除率 表面质量
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CMP后清洗技术的研究进展 被引量:21
9
作者 雷红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期369-373,共5页
化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要... 化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术,抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗剂、清洗方式是CMP后清洗技术中的关键要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光 原子级精度表面 清洗技术
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Effectiveness of urban construction boundaries in Beijing:an assessment 被引量:20
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作者 Hao-ying HAN Shih-Kung LAI +2 位作者 An-rong DANG Zong-bo TAN Ci-fang WU 《Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering)》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第9期1285-1295,共11页
Based on the remote sensing (RS) and geographic information system (GIS) analysis of the Landsat multispectral scanner (MSS) and thematic mapper (TM) satellite images of 1983, 1993, and 2005, the present research exam... Based on the remote sensing (RS) and geographic information system (GIS) analysis of the Landsat multispectral scanner (MSS) and thematic mapper (TM) satellite images of 1983, 1993, and 2005, the present research examined the effectiveness of the urban construction boundaries (UCBs) in containing urban growth within the 6th Ring Road of Beijing Municipality. Three indicators on boundary control were proposed, through which the effectiveness of boundary containment, land inventory sufficiency and illegal adjacent development to the UCBs were explored. The results suggested that, first, the UCBs were limited in effectiveness in containing urban growth; second, the area encompassed by the UCBs might not be designed large enough to accommodate new development. The frustration of the urban growth control through the UCBs mainly resulted from the lack of a transparent system for urban land use planning and control to provide sufficient information, the limitation of the traditional land use prediction method to consider contingencies, and the absence of a mechanism to monitor and adjust the UCBs to respond just in time to urban change. 展开更多
关键词 Urban construction boundary (UCB) Urban growth boundary City master plan cmp BEIJING Remote sensing (RS)
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化学机械抛光流动性能分析 被引量:12
11
作者 张朝辉 雒建斌 温诗铸 《润滑与密封》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期31-33,共3页
基于连续流体理论和其运动学关系 ,建立了力平衡方程关系式。推导了牛顿流体在化学机械抛光过程中的润滑方程 ,给出了模拟出的典型的压力分布情况和无量纲载荷、转矩与抛光垫转速变化的关系。计算结果表明 :抛光中的压力分布是沿半径方... 基于连续流体理论和其运动学关系 ,建立了力平衡方程关系式。推导了牛顿流体在化学机械抛光过程中的润滑方程 ,给出了模拟出的典型的压力分布情况和无量纲载荷、转矩与抛光垫转速变化的关系。计算结果表明 :抛光中的压力分布是沿半径方向变化的且抛光垫转速的增加将有助于提高抛光的切除速率。 展开更多
关键词 化学机械抛光 润滑方程 压力分布 cmp 计算机硬盘 硅片 流动性能
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ULSI硅衬底的化学机械抛光技术 被引量:15
12
作者 狄卫国 刘玉岭 司田华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期18-22,共5页
介绍了特大规模集成电路(ULSI)硅衬底的化学机械抛光工艺。对抛光机理、影响抛光速率和抛光质量的因素、抛光液中的成份特别是精抛液中的有机碱和活性剂的选择作了讨论分析,另外对抛光中出现的一些问题及解决方法进行了分析研究。
关键词 化学机械抛光 抛光液 ULSI 硅片 特大规模集成电路
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中值在地震资料处理中的应用 被引量:18
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作者 李小红 汪晓兵 +1 位作者 肖都建 朱学江 《石油物探》 EI CSCD 2004年第3期248-250,共3页
如何提高地震资料的信噪比,一直是地震资料处理的关键。分析中值在统计意义上的“稳定性”,利用这一特性以保留处于“中间位置的数值”,去除数学信号中的极值,使输出信号的信噪比得以提高。地震资料处理时,在炮集记录时间方向上使用中... 如何提高地震资料的信噪比,一直是地震资料处理的关键。分析中值在统计意义上的“稳定性”,利用这一特性以保留处于“中间位置的数值”,去除数学信号中的极值,使输出信号的信噪比得以提高。地震资料处理时,在炮集记录时间方向上使用中值滤波,可以剔除采集过程中产生的野值,提高单炮的信噪比。叠加时使用中值叠加,可以在空间方向上去除噪音,有效地提高叠加剖面的质量。所给出的实例说明了该方法的效果明显,且保真度较高。 展开更多
关键词 地震资料 中值叠加法 信噪比 地震勘探 多次覆盖技术 cmp
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蓝宝石衬底材料CMP抛光工艺研究 被引量:18
14
作者 赵之雯 牛新环 +2 位作者 檀柏梅 袁育杰 刘玉岭 《微纳电子技术》 CAS 2006年第1期16-19,46,共5页
介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,... 介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺,阐述了蓝宝石衬底的应用发展前景以及加工工艺中存在的问题,总结了影响CMP工艺的多种因素,并系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数及其影响因素,提出了优化方案,采用大粒径、低分散度的磨料,加入有机碱及活性剂,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。 展开更多
关键词 蓝宝石 化学机械抛光 影响因素 表面状态
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300mm硅片化学机械抛光技术分析 被引量:16
15
作者 闫志瑞 鲁进军 +2 位作者 李耀东 王继 林霖 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第8期561-564,共4页
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点... 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术。对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析。 展开更多
关键词 化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光
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化学机械抛光技术研究现状及发展趋势 被引量:18
16
作者 燕禾 吴春蕾 +2 位作者 唐旭福 段先健 王跃林 《材料研究与应用》 CAS 2021年第4期432-440,共9页
综述了化学机械抛光技术的发展现状.介绍了化学机械抛光系统的组成及工作原理,着重阐述介绍了系统各部分的构成及作用,并对化学机械抛光未来的发展趋势作了展望.
关键词 化学机械抛光 研究现状 发展趋势
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多核多线程结构线程调度策略研究 被引量:13
17
作者 王晶 樊晓桠 +1 位作者 张盛兵 王海 《计算机科学》 CSCD 北大核心 2007年第9期256-258,289,共4页
片上多校多线程(CMT)结构兼具了片上多处理(CMP)和同时多线程(SMT)结构的优势,支持片上所有处于执行状态的线程每周期并行执行,导致核内与核间硬件资源共享和争用问题。该文在阐述CMT结构的资源共享特征并简要介绍SMT线程调度发展状况... 片上多校多线程(CMT)结构兼具了片上多处理(CMP)和同时多线程(SMT)结构的优势,支持片上所有处于执行状态的线程每周期并行执行,导致核内与核间硬件资源共享和争用问题。该文在阐述CMT结构的资源共享特征并简要介绍SMT线程调度发展状况的基础上,主要围绕以减少资源争用为目标的线程调度策略和资源划分机制等热点,分析其研究现状,论述已有策略在处理这些问题上的优缺点,并探讨了可能的研究发展方向。 展开更多
关键词 同时多线程 片上多处理 片上多核多线程 线程调度 资源划分
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SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势 被引量:16
18
作者 肖强 李言 李淑娟 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期9-13,共5页
综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望。
关键词 SiC单晶片 化学机械抛光 粗糙度 抛光效率
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Purification of AS-CMP effluent by combined photosynthetic bacteria and coagulation treatment 被引量:13
19
作者 Wu, Shu-Bin Liang, Wen-Zhi 《Journal of Environmental Sciences》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第1期83-87,共5页
The effluent from the pulping of E. urophylla by alkali sodium sulfite chemi mechanical process(AS-CMP) was characterized for its biodegradability by photosynthetic bacteria (PSB). Chemical coagulation post treat... The effluent from the pulping of E. urophylla by alkali sodium sulfite chemi mechanical process(AS-CMP) was characterized for its biodegradability by photosynthetic bacteria (PSB). Chemical coagulation post treatment of biotreated wastewater was also studied. One month continuous treatment in the laboratory indicated that the COD Cr , BOD 5 and SS removals in biotreatment stages reached 56%, 83% and 89% respectively, and the CH 2Cl 2 extractives decreased from 10.7 mg/L to 7.7 mg/L. In chemical coagulation post treatment stage, the effects of process conditions, such as coagulant dosage, pH value and the coordinated coagulation flocculation treatment of three kinds of coagulants on coagulation effectiveness were discussed. The optimum operating conditions were given. 展开更多
关键词 wastewater treatment AS cmp E. urophylla photosynthetic bacteria(PSB) FLOCCULATION coagulation CLC number: X703 Document code: A
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化学机械抛光技术现状与发展趋势 被引量:10
20
作者 童志义 《电子工业专用设备》 2004年第6期1-6,共6页
概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90~65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。
关键词 cmp 浅沟道隔离 铜/低κ材料 清洗 终点检测 发展趋势
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