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载流子色散型硅基CMOS光子器件 被引量：2
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作者 赵勇 江晓清 +1 位作者 杨建义 王明华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2485-2490,共6页
为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线... 为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线制作的器件获得了较好的结果,光调制器消光比约18dB,1×2光开关消光比约21dB,谐振环的消光比8～12dB.采用CMOS技术研制硅基光子器件,将能使集成光子学的发展上一个新的台阶. 展开更多
关键词 集成光学 硅基 载流子色散效应 cmos光子器件
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