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表面修饰的ZnPc薄膜晶体管性能研究
被引量：
2
1
作者
白钰
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期856-860,共5页
以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌(ZnPc)作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷(OTS,C18H37SiCl3)/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管(OTFT)。实验表明,采用OTS可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度,器件的场效应...
以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌(ZnPc)作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷(OTS,C18H37SiCl3)/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管(OTFT)。实验表明,采用OTS可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度,器件的场效应迁移率提高了3.5倍,漏电流从10-9A降到10-10A,阈值电压降低了5 V,开关电流比从103增加到104。结果显示,具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进OTFT的性能。
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关键词
SIO2
修饰
十八烷基三氯硅烷(OTS)
晶体管
原文传递
题名
表面修饰的ZnPc薄膜晶体管性能研究
被引量：
2
1
作者
白钰
机构
五邑大学数理系功能材料研究所
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第6期856-860,共5页
文摘
以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌(ZnPc)作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷(OTS,C18H37SiCl3)/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体管(OTFT)。实验表明,采用OTS可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度,器件的场效应迁移率提高了3.5倍,漏电流从10-9A降到10-10A,阈值电压降低了5 V,开关电流比从103增加到104。结果显示,具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进OTFT的性能。
关键词
SIO2
修饰
十八烷基三氯硅烷(OTS)
晶体管
Keywords
SiO2
modifi
c
ation
o
c
tade
c
yltri
c
h
lorosilane（OTS
c
18
h
37
sicl
3）
transistor
分类号
TN386.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面修饰的ZnPc薄膜晶体管性能研究
白钰
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
2
原文传递
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