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低温基区轻掺杂硅双极晶体管的温度比例因子设计规则
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作者 韩奇 沈克强 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期351-359,共9页
通过对电流增益温度模型的分析，表明发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是低温下双极晶体管电流增益衰变的主要原因，提出了用温度比例因子设计低温基区轻掺杂双极晶体管的新设计方法，计算机模拟表明结果良好。
关键词 基区轻掺杂 硅 温度比例因子 双极晶体管
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