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题名掺硼质量浓度对BDD电极电化学特性的影响
被引量：3
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作者
李海清
高宝红
檀柏梅
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机构
河北工业大学电子信息工程学院
天津市电子材料与器件重点实验室
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2016年第12期838-841,共4页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02308
2014ZX02301003)
河北省博士后择优资助项目(B2015003010)
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文摘
掺硼金刚石(BDD)薄膜电极析氧电位高、背景电流小、耐腐蚀的特性,使其在电化学应用方面受到广泛关注。采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在钽基底上制备了不同掺硼质量浓度的金刚石薄膜电极,通过扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜表面形貌,利用循环伏安法研究了电极的电化学特性。结果表明:掺硼质量浓度为2 g/L时,制备的薄膜电极质量最好,晶粒尺寸最大,电势窗口达到3.99 V;继续增大掺硼质量浓度,粒径减小,薄膜质量变差,电势窗口逐渐减小。BDD电极在酸、盐、碱性溶液中的析氧电位分别为2.11,1.82和0.86 V,呈递减趋势。
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关键词
掺硼金刚石电极
电势窗口
析氧电位
掺硼质量浓度
热丝化学气相沉积(HFCVD)
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Keywords
boron-doped diamond electrode
potential window
oxygen evolution potential
b-doped mass concentration
hot filament chemical vapor deposition（HFCVD）
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分类号
TB43
[一般工业技术]
O646.5
[理学—物理化学]
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