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铜导线短路熔痕的XPS研究 被引量：7
1
作者 吴莹 孟庆山 +2 位作者 王新明 高伟 邸曼 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1408-1412,共5页
利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分,即C含量迅速减少的近表面层;O含... 利用氩离子溅射对熔痕样品进行了深度刻蚀,同时利用Cu的俄歇谱线和计算的俄歇参数值,对不同环境形成的铜导线短路痕迹的物相及元素分布规律进行了分析。根据刻蚀时间可将一次短路熔痕表面膜层分为三部分,即C含量迅速减少的近表面层;O含量变化不大,C含量逐渐消失且有Cu2O相的中间层;无Cu2O相,O含量显著减少的过渡层。而将二次短路熔痕表面膜层分为两部分:C含量迅速减少的近表面层;无Cu2O相,C和O量逐渐减少层。由此可见,一次短路熔痕的表面膜层与基体分界明显,有显著的过渡层,而二次短路熔痕的表面膜层与基体分界不明显,无过渡层。综上所述,可以根据两种短路熔痕是否含有Cu2O相以及定量分析结果来区分两种熔痕,为判断火灾原因提供新的技术依据。 展开更多
关键词 深度刻蚀 光电子能谱 俄歇参数 短路熔痕
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硅酸盐矿物中硅的Auger参数及其构型 被引量：2
2
作者 王典芬 杨紫霞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期282-287,共6页
本文以MgK_o的韧致辐射激发SiKLL,测定了20个分别代表岛状、链状、层状.架状4种构型的硅酸盐矿物中Si的Auger参数值;引用了环状硅酸盐矿物绿宝石的文献值,从22组数据中总结出硅酸盐矿物中Si的Auger参数值依岛状、环状、链状、层状、架... 本文以MgK_o的韧致辐射激发SiKLL,测定了20个分别代表岛状、链状、层状.架状4种构型的硅酸盐矿物中Si的Auger参数值;引用了环状硅酸盐矿物绿宝石的文献值,从22组数据中总结出硅酸盐矿物中Si的Auger参数值依岛状、环状、链状、层状、架状构型顺序递减的规律,并分析了原因,解释了例外情况。 展开更多
关键词 硅酸盐 矿物 auger参数 构型
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脉冲激光沉积的金属原子团簇的电子状态及生长的研究 被引量：2
3
作者 赖新春 米.阿.普希金 +2 位作者 维.伊.特拉扬 弗.尼.特罗宁 安.弗.韧戈维奇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期694-698,共5页
介绍了采用 X射线光电子谱 (XPS)等技术研究脉冲激光沉积在 Ni、Mo、C、Na Cl(1 0 0 )表面的 Cu、Au原子团簇的电子状态 ;结合 Cu2 p3/2 X射线光电子谱峰和 Cu L3M4,5 M4,5 俄歇跃迁分离了电子结合能的初态和终态贡献 ,得出了它们随 Cu... 介绍了采用 X射线光电子谱 (XPS)等技术研究脉冲激光沉积在 Ni、Mo、C、Na Cl(1 0 0 )表面的 Cu、Au原子团簇的电子状态 ;结合 Cu2 p3/2 X射线光电子谱峰和 Cu L3M4,5 M4,5 俄歇跃迁分离了电子结合能的初态和终态贡献 ,得出了它们随 Cu表面浓度变化的关系 ,并对之作出了解释。使用 XPS、RBS、TEM三项技术研究了 Au在 Na Cl(1 0 0 )表面的生长过程 ,通过计算得出了在不同表面浓度下 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 金属原子团簇 XPS 初态效应 终态效应 俄歇参数 电子状态 金属薄膜
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铈卤氧化物的ESCA表征（Ⅱ）──Ce的M_5N_（45）N_（45）俄歇峰
4
作者 胡刚 葛辽海 孙桂芬 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期437-439,共3页
研究了ＸＰＳ诱导的ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５俄歇峰，由于其终态空穴处于芯能级，故俄歇峰有较好的分辨率。从ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可获得中心离子Ｃｅ的电子云密度等信息，发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关，从而解释了... 研究了ＸＰＳ诱导的ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５俄歇峰，由于其终态空穴处于芯能级，故俄歇峰有较好的分辨率。从ＣｅＭ５Ｎ４５Ｎ４５的俄歇峰可获得中心离子Ｃｅ的电子云密度等信息，发现其俄歇参数与配位体的极化变形程度有关，从而解释了双烯烃定向聚合必须有稀土卤氧键存在的原因。 展开更多
关键词 俄歇峰 俄歇参数 XPS 铈 ESCA
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分子束外延ZnS_(1-x)Te_x单晶薄膜特性分析
5
作者 孙汪典 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期104-107,共4页
通过精确的测量发现，分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ） 生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ Ｚｎ Ｓ１ － ｘ Ｔｅ ｘ）（０ ≤ｘ ≤１） 半导体单晶薄膜中 Ｚｎ 和 Ｔｅ 修正的俄歇参数α′随 ｘ 增大近似线性增加，且前者大于后者；同时还发现... 通过精确的测量发现，分子束外延（ Ｍ Ｂ Ｅ） 生长的Ⅱ－ Ⅵ族三元合金碲硫锌（ Ｚｎ Ｓ１ － ｘ Ｔｅ ｘ）（０ ≤ｘ ≤１） 半导体单晶薄膜中 Ｚｎ 和 Ｔｅ 修正的俄歇参数α′随 ｘ 增大近似线性增加，且前者大于后者；同时还发现 Ｔｅ ４ｄ３／２ 和 Ｔｅ ４ｄ５／２ 光电子谱峰间距随 ｘ 展开更多
关键词 半导体材料 薄膜 ZnS1-xTex X射线光电子谱(XPS) 俄歇参数
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俄歇参数法及其在硅酸盐材料研究中的应用 被引量：1
6
作者 王典芬 郑兆佳 李道铭 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期368-374,共7页
本文对Auger参数法及其在硅酸盐材料研究中的应用作了综合介绍。在VG ESCALAB MKII电子能谱仪上作了韧致辐射激发Si KLL的尝试。实验结果表明,普通配有Al/Mg双阳极的X射线光电子能谱仪可以获得SiKLL线;用Auger参数法可弥补XPS法在硅酸... 本文对Auger参数法及其在硅酸盐材料研究中的应用作了综合介绍。在VG ESCALAB MKII电子能谱仪上作了韧致辐射激发Si KLL的尝试。实验结果表明,普通配有Al/Mg双阳极的X射线光电子能谱仪可以获得SiKLL线;用Auger参数法可弥补XPS法在硅酸盐材料分析方面的不足,并为AP法在该材料领域中的应用指出了乐观的前景。 展开更多
关键词 俄歇参数法 硅酸盐 韧致辐射激发
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用俄歇参数法研究SiO_2/Si界面层硅元素过渡态
7
作者 刘芬 王忠燕 +2 位作者 陈萦 赵汝权 胡兴中 《分析测试学报》 CAS CSCD 1993年第6期74-77,共4页
本文报道了俄歇参数法用于SiO_2/Si界面层硅过渡态的研究。使用一种新的AlK_α-AgL_α混合X射线激发源,获得了界面层上Si_2P,Si KLL谱峰。给出了从表面到界面硅的化学状态变化与俄歇参数值。
关键词 俄歇参数 硅 二氧化硅 过渡态 界面
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X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)的应用 被引量：7
8
作者 吴正龙 《现代仪器》 2009年第1期58-61,共4页
简要介绍X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)用于化学分析的一般性理论。XAES可与X射线光电子能谱(XPS)一起用于元素化学态分析。但是XAES分析有其优势,(1)俄歇参数与荷电位移无关,结果无需荷电校准就可用于价态分析;(2)在一些涉及过渡元素和... 简要介绍X射线诱导俄歇电子能谱(XAES)用于化学分析的一般性理论。XAES可与X射线光电子能谱(XPS)一起用于元素化学态分析。但是XAES分析有其优势,(1)俄歇参数与荷电位移无关,结果无需荷电校准就可用于价态分析;(2)在一些涉及过渡元素和重元素物质的价态分析时,XAES峰化学位移大于XPS峰;(3)对于分析一些轻元素(如K、Mg、Al等),XAES峰比某些XPS峰有更高的灵敏度。因而,XAES可弥补XPS分析的某些不足,可方便、有效地表征元素价态。通过实例,介绍XAES在这3个方面的实际应用。 展开更多
关键词 X射线诱导俄歇电子能谱(XAES) 俄歇参数 X射线光电子谱(XPS) 化 学位移砷化镓(GaAs) 氧化锌(ZnO)
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X射线光电子能谱中的俄歇参数
9
作者 吴念祖 罗胜成 +3 位作者 陆群 王文革 黄惠忠 桂琳琳 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1997年第3期209-212,共4页
简要介绍几种俄歇参数定义以及俄歇参数图中涉及的原子外部弛豫能和俄歇双电离体系终态能，最后评述它们的应用。
关键词 俄歇参数 驰豫能 驰豫能 X射线 光电子能谱
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