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Ni对AuGe_(12)合金组织和性能的影响
被引量：
9
1
作者
谢宏潮
阳岸恒
+2 位作者
庄滇湘
李曲波
贺晓燕
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期35-39,共5页
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗...
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化合物,扰乱Ge在金中均匀分布,使Ge颗粒变得粗大。随Ni加入量增加,产生GeNi化合物集聚,AuGeNi合金金相组织粗大,合金的硬度、强度降低,加工性能变差,合金熔化温度范围变宽。
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关键词
金属材料
金锗合金
金锗镍合金
蒸发材料
机械性能
显微组织
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职称材料
AuGe/Au与GaAs退火处理特性研究
被引量：
2
2
作者
肖和平
朱迪
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期730-735,共6页
AuGe合金具有接触电阻低与GaAs衬底粘附性好等特点,广泛应用于金属/半导体(M/S)器件中以形成欧姆接触.在GaAs表面蒸镀AuGe/Au材料,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)和X射线衍射仪对样品欧...
AuGe合金具有接触电阻低与GaAs衬底粘附性好等特点,广泛应用于金属/半导体(M/S)器件中以形成欧姆接触.在GaAs表面蒸镀AuGe/Au材料,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)和X射线衍射仪对样品欧姆接触的界面特性进行了分析。随着退火温度的升高,接触电阻呈现V型趋势,AuGe部分分解,Au、Ge向GaAs界面扩散,Ga、As向金属层扩散,金属表层出现暗灰色孔状物,主要成分为AuGa、AuGaAs等,此外Ge、Ga的结合能增加0.3～0.6 eV, Ga^(3+)、Ge^(4+)高价态的占比增加,Ge含量为10%的材料作为n-GaAs接触电极,退火温度在380～420℃之间可使其形成良好的欧姆接触.
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关键词
光电子学
auge
合金
GAAS
退火处理
欧姆接触
结合能
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职称材料
微波功率器件中AuGe合金焊接界面特征
被引量：
1
3
作者
陈杰
刘峰
+3 位作者
饶真真
杨春容
李晔
黄新临
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第1期80-84,共5页
在微观尺度上,焊点的可靠性取决于焊料同焊盘之间界面反应生成的界面金属间化合物(IMC)的结构。通过金锗合金焊点的界面反应及微观结构随环境的变化表征了焊点的可靠性,研究了AuGe合金焊料与不同金层厚度的Ni/Au焊盘共晶焊接后其界面特...
在微观尺度上,焊点的可靠性取决于焊料同焊盘之间界面反应生成的界面金属间化合物(IMC)的结构。通过金锗合金焊点的界面反应及微观结构随环境的变化表征了焊点的可靠性,研究了AuGe合金焊料与不同金层厚度的Ni/Au焊盘共晶焊接后其界面特征,同时总结了AuGe合金焊料在Cu和Ni等常见焊盘上的焊接润湿性及其焊接界面特征。切片分析结果显示,在共晶焊接后,厚金样品焊接界面冷却时焊料层析出富Au相形成不规则焊接结合层,Au层厚度减薄50%~60%;薄金样品的Au层全部消失,并在界面处形成很薄的一层富Ni的NiGe化合物。实验结果显示,厚Au层样品未出现Ni向焊接层扩散的现象和NiGe化合物的生成,厚Au层起到了阻挡层作用;薄金样品时,Ni通过互扩散缓慢与Ge形成NiGe化合物,在长期使用中焊接层会通过元素扩散等形式演变,使整个焊接层转变为含氧化层、富P层、NiGe层和AuCuGe合金层等多层结构的IMC,降低了焊点强度,严重影响焊接层可靠性。这说明IMC在焊接过程中主要以界面化学反应方式形成,服役过程中主要以元素扩散方式演变。
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关键词
金锗合金
金属间化合物(IMC)
共晶
界面反应
元素扩散
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职称材料
水平连铸AuGe12合金的组织及偏析
被引量：
3
4
作者
朱勇
阳岸恒
+3 位作者
张济祥
邓志明
谢宏潮
孔建稳
《特种铸造及有色合金》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期1077-1079,共3页
采用水平连铸制备了AuGe12合金,重点考察了铸造过程中氮气量对铸锭合金组织和偏析的影响。结果表明,连铸过程中随着氮气通入量的增加,搅拌作用增强,使得熔融的Au-Ge合金晶枝细化,晶枝间距变短,逐步演变为等轴晶。且随着氮气通入量的增加...
采用水平连铸制备了AuGe12合金,重点考察了铸造过程中氮气量对铸锭合金组织和偏析的影响。结果表明,连铸过程中随着氮气通入量的增加,搅拌作用增强,使得熔融的Au-Ge合金晶枝细化,晶枝间距变短,逐步演变为等轴晶。且随着氮气通入量的增加,AuGe12合金的偏析程度明显改善。
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关键词
auge
12合金
水平连铸
组织
偏析
原文传递
题名
Ni对AuGe_(12)合金组织和性能的影响
被引量：
9
1
作者
谢宏潮
阳岸恒
庄滇湘
李曲波
贺晓燕
机构
贵研铂业股份有限公司稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室
出处
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期35-39,共5页
基金
国家科技支撑计划项目(2007BAE26B03)
文摘
通过测试Au88Ge12、(Au88Ge12)99Ni1、(Au88Ge12)97Ni3、(Au88Ge12)95Ni5合金铸态、均匀化态、热加工态、加工态的硬度,加工态抗拉强度,合金熔化温度范围,X射线衍射(XRD)和扫描电镜(TEM)分析,结果表明,在AuGe12合金加入Ni,Ni与Ge形成粗大GeNi化合物,扰乱Ge在金中均匀分布,使Ge颗粒变得粗大。随Ni加入量增加,产生GeNi化合物集聚,AuGeNi合金金相组织粗大,合金的硬度、强度降低,加工性能变差,合金熔化温度范围变宽。
关键词
金属材料
金锗合金
金锗镍合金
蒸发材料
机械性能
显微组织
Keywords
metal
materials
auge
alloy
auge
Ni
alloy
evaporation
materials
mechanical
properties
microstructure
分类号
TG146.32 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
AuGe/Au与GaAs退火处理特性研究
被引量：
2
2
作者
肖和平
朱迪
机构
扬州乾照光电有限公司
出处
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期730-735,共6页
文摘
AuGe合金具有接触电阻低与GaAs衬底粘附性好等特点,广泛应用于金属/半导体(M/S)器件中以形成欧姆接触.在GaAs表面蒸镀AuGe/Au材料,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)和X射线衍射仪对样品欧姆接触的界面特性进行了分析。随着退火温度的升高,接触电阻呈现V型趋势,AuGe部分分解,Au、Ge向GaAs界面扩散,Ga、As向金属层扩散,金属表层出现暗灰色孔状物,主要成分为AuGa、AuGaAs等,此外Ge、Ga的结合能增加0.3～0.6 eV, Ga^(3+)、Ge^(4+)高价态的占比增加,Ge含量为10%的材料作为n-GaAs接触电极,退火温度在380～420℃之间可使其形成良好的欧姆接触.
关键词
光电子学
auge
合金
GAAS
退火处理
欧姆接触
结合能
Keywords
optoelectronics
auge
alloy
GaAs
annealing
treatment
Ohmic
contact
bonding
energy
分类号
O472 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
微波功率器件中AuGe合金焊接界面特征
被引量：
1
3
作者
陈杰
刘峰
饶真真
杨春容
李晔
黄新临
机构
成都亚光电子股份有限公司
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第1期80-84,共5页
文摘
在微观尺度上,焊点的可靠性取决于焊料同焊盘之间界面反应生成的界面金属间化合物(IMC)的结构。通过金锗合金焊点的界面反应及微观结构随环境的变化表征了焊点的可靠性,研究了AuGe合金焊料与不同金层厚度的Ni/Au焊盘共晶焊接后其界面特征,同时总结了AuGe合金焊料在Cu和Ni等常见焊盘上的焊接润湿性及其焊接界面特征。切片分析结果显示,在共晶焊接后,厚金样品焊接界面冷却时焊料层析出富Au相形成不规则焊接结合层,Au层厚度减薄50%~60%;薄金样品的Au层全部消失,并在界面处形成很薄的一层富Ni的NiGe化合物。实验结果显示,厚Au层样品未出现Ni向焊接层扩散的现象和NiGe化合物的生成,厚Au层起到了阻挡层作用;薄金样品时,Ni通过互扩散缓慢与Ge形成NiGe化合物,在长期使用中焊接层会通过元素扩散等形式演变,使整个焊接层转变为含氧化层、富P层、NiGe层和AuCuGe合金层等多层结构的IMC,降低了焊点强度,严重影响焊接层可靠性。这说明IMC在焊接过程中主要以界面化学反应方式形成,服役过程中主要以元素扩散方式演变。
关键词
金锗合金
金属间化合物(IMC)
共晶
界面反应
元素扩散
Keywords
auge
alloy
intermetallic
compound(IMC)
eutectic
interface
reaction
element
diffusion
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
TN405
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职称材料
题名
水平连铸AuGe12合金的组织及偏析
被引量：
3
4
作者
朱勇
阳岸恒
张济祥
邓志明
谢宏潮
孔建稳
机构
贵研铂业股份有限公司
出处
《特种铸造及有色合金》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期1077-1079,共3页
基金
国家科技支撑计划资助项目(2012BAE06B05)
文摘
采用水平连铸制备了AuGe12合金,重点考察了铸造过程中氮气量对铸锭合金组织和偏析的影响。结果表明,连铸过程中随着氮气通入量的增加,搅拌作用增强,使得熔融的Au-Ge合金晶枝细化,晶枝间距变短,逐步演变为等轴晶。且随着氮气通入量的增加,AuGe12合金的偏析程度明显改善。
关键词
auge
12合金
水平连铸
组织
偏析
Keywords
auge
12
alloy
Horizontal
Continuous
Casting
Microstructure
Segregation
分类号
TG249.7 [金属学及工艺—铸造]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ni对AuGe_(12)合金组织和性能的影响
谢宏潮
阳岸恒
庄滇湘
李曲波
贺晓燕
《贵金属》
CAS
CSCD
北大核心
2011
9
下载PDF
职称材料
2
AuGe/Au与GaAs退火处理特性研究
肖和平
朱迪
《量子电子学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
3
微波功率器件中AuGe合金焊接界面特征
陈杰
刘峰
饶真真
杨春容
李晔
黄新临
《微纳电子技术》
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
4
水平连铸AuGe12合金的组织及偏析
朱勇
阳岸恒
张济祥
邓志明
谢宏潮
孔建稳
《特种铸造及有色合金》
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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