期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
磁控溅射沉积铝/贫铀与金/贫铀镀层的界面研究
被引量:
1
1
作者
易泰民
邢丕峰
+7 位作者
郑凤成
梅鲁生
杨蒙生
赵利平
李朝阳
谢军
杜凯
马坤全
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期392-398,共7页
采用磁控溅射技术沉积制铝/贫铀/铝(Al/DU/Al)、金/贫铀/金(Au/DU/Au)"三明治"薄膜样品.利用高分辨扫描电镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、扫描俄歇微探针对Al/DU/Al,Au/DU/Au样品的Al/DU,Au/DU界面行为进行表征与研究....
采用磁控溅射技术沉积制铝/贫铀/铝(Al/DU/Al)、金/贫铀/金(Au/DU/Au)"三明治"薄膜样品.利用高分辨扫描电镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、扫描俄歇微探针对Al/DU/Al,Au/DU/Au样品的Al/DU,Au/DU界面行为进行表征与研究.结果表明:沉积态DU层以柱状晶生长;Al/DU界面扩散明显,物理扩散过程中伴随着Al,DU化学反应形成Al2U,Al3U金属化合物;金属化合物的形成导致界面处Al2p电子结合能向高能端移动,U4f电子向低能端移动;微量O在Al/DU界面处以Al2O3及铀氧化物形式存在;DU镀层中以铀氧化形式存在;沉积态的Au/DU界面扩散为简单的物理扩散,团簇效应导致Au/DU界面处Al2p,U4f电子结合能均向高能端移动;在Au/DU界面及DU镀层中,微量O以铀氧化物形式存在;Al/DU界面扩散强于Au/DU;相同厚度的Al,Au保护镀层,Al镀层保护效果优于Au镀层.
展开更多
关键词
AL
du
界面
au
du
界面
磁控溅射
界面扩散
原文传递
题名
磁控溅射沉积铝/贫铀与金/贫铀镀层的界面研究
被引量:
1
1
作者
易泰民
邢丕峰
郑凤成
梅鲁生
杨蒙生
赵利平
李朝阳
谢军
杜凯
马坤全
机构
中国工程物理研究院激光聚变研究中心
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第10期392-398,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:51006093)资助的课题~~
文摘
采用磁控溅射技术沉积制铝/贫铀/铝(Al/DU/Al)、金/贫铀/金(Au/DU/Au)"三明治"薄膜样品.利用高分辨扫描电镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、扫描俄歇微探针对Al/DU/Al,Au/DU/Au样品的Al/DU,Au/DU界面行为进行表征与研究.结果表明:沉积态DU层以柱状晶生长;Al/DU界面扩散明显,物理扩散过程中伴随着Al,DU化学反应形成Al2U,Al3U金属化合物;金属化合物的形成导致界面处Al2p电子结合能向高能端移动,U4f电子向低能端移动;微量O在Al/DU界面处以Al2O3及铀氧化物形式存在;DU镀层中以铀氧化形式存在;沉积态的Au/DU界面扩散为简单的物理扩散,团簇效应导致Au/DU界面处Al2p,U4f电子结合能均向高能端移动;在Au/DU界面及DU镀层中,微量O以铀氧化物形式存在;Al/DU界面扩散强于Au/DU;相同厚度的Al,Au保护镀层,Al镀层保护效果优于Au镀层.
关键词
AL
du
界面
au
du
界面
磁控溅射
界面扩散
Keywords
Al/
du
interface
au
/
du
interface
magnetron
sputtering
diffusion
at
interface
分类号
TL632.1 [核科学技术—核技术及应用]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁控溅射沉积铝/贫铀与金/贫铀镀层的界面研究
易泰民
邢丕峰
郑凤成
梅鲁生
杨蒙生
赵利平
李朝阳
谢军
杜凯
马坤全
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部