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准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管
被引量：
5
1
作者
戴永兵
邹雪城
+3 位作者
徐重阳
李兴教
沈荷生
张志明
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期343-346,共4页
讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶化处理 ,成功制备了多晶硅薄膜晶体管 ,获得最大场效应迁移率为 1 4.5cm2 /V· s,亚...
讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶化处理 ,成功制备了多晶硅薄膜晶体管 ,获得最大场效应迁移率为 1 4.5cm2 /V· s,亚阈值斜率为 1 .9V/dec,开关电流比为 1 .0× 1 0 6的器件性能。
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关键词
准分子激光
非晶硅
晶化
多晶硅薄膜晶体管
下载PDF
职称材料
题名
准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管
被引量：
5
1
作者
戴永兵
邹雪城
徐重阳
李兴教
沈荷生
张志明
机构
上海交通大学微电子技术研究所
华中理工大学电子科学与技术系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期343-346,共4页
文摘
讨论了用准分子激光诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜晶体管的结构与工艺优化问题。用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅薄膜进行了诱导晶化处理 ,成功制备了多晶硅薄膜晶体管 ,获得最大场效应迁移率为 1 4.5cm2 /V· s,亚阈值斜率为 1 .9V/dec,开关电流比为 1 .0× 1 0 6的器件性能。
关键词
准分子激光
非晶硅
晶化
多晶硅薄膜晶体管
Keywords
Excimer
laser
amorphous
si
licon
Crystallization
Polycrystalline
si
licon
thin
film
tran
si
stor
分类号
TN321.505 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
准分子激光诱导非晶硅晶化制备多晶硅薄膜晶体管
戴永兵
邹雪城
徐重阳
李兴教
沈荷生
张志明
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2000
5
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