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Preparation and Properties of AlSi1Cu0.5 Alloy
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作者 余前春 王欣平 李勇军 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第S1期646-648,共3页
The microstructure of casting AlSi1Cu0.5 alloy was investigated as well as the microstructure and the properties of AlSi1Cu0.5 alloy treated by deformed processing and heat treatment. The results of experiments demons... The microstructure of casting AlSi1Cu0.5 alloy was investigated as well as the microstructure and the properties of AlSi1Cu0.5 alloy treated by deformed processing and heat treatment. The results of experiments demonstrate that casting AlSi1Cu0.5 alloy is inhomogeneous and the microstructure is dendritic; by deformed processing and heat treatment, the distribution of Si and Cu elements is improved and the grain size is below 100 μm. 展开更多
关键词 alsicu alloy heat treatment deformed processing MICROSTRUCTURE
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AlSiCu反应离子刻蚀技术
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作者 马宏 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第3期34-40,共7页
在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2和SiCl_4为主要刻蚀气体,进行了AlSi0.8%-Cu2%的RIE工艺研究,详细讨论了影响工艺的诸多因素,涉及AlSiCu材料本身结构的差异,RIE... 在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2和SiCl_4为主要刻蚀气体,进行了AlSi0.8%-Cu2%的RIE工艺研究,详细讨论了影响工艺的诸多因素,涉及AlSiCu材料本身结构的差异,RIE工艺各参数,后处理等许多方面;给出实用化的工艺程序;最小加工线宽达到2μm,体刻蚀速率达870nm/min,均匀性±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2的刻蚀选择比为4∶1,对AZ1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于1.8∶1;该工艺使用效果良好,达到实用化水平。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 各向异性 alsicu
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等离子刻蚀铝硅铜表面质量控制技术研究
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作者 王大平 唐昭焕 +3 位作者 梁涛 朱煜开 王斌 谭开洲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期277-280,共4页
针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件... 针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件。使用优化刻蚀工艺条件,极大地提升了用AlSiCu作金属互连的模拟IC的表面镜检合格率,为其他金属互连的表面质量控制提供了参考。 展开更多
关键词 等离子体刻蚀 铝硅铜 金属互连
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金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互连线空洞问题的研究和对策 被引量:1
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作者 尤美琳 朱亦鸣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期176-181,共6页
集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电... 集成电路制造中,AlSiCu互连线一般使用干法刻蚀来制造,刻蚀后需经清洗工艺将残留物去除掉。而在清洗时,合金表面会出现空洞。我们在对空洞形成原理分析后发现,AlSiCu合金是由α相铝铜和富含Cu的θ相铝铜合金组成,在清洗过程中会发生电偶腐蚀而腐蚀Al。并且清洗使用的化学试剂由于含有胺根,水解后加剧了对Al的腐蚀。我们通过降低AlSiCu合金溅射时的衬底温度,将AlSiCu合金表面氧化,去离子水清洗时通入CO2这三种方案来防止AlSiCu合金在清洗时被腐蚀,从而提高了产品的成品率。 展开更多
关键词 alsicu互连 刻蚀后残留物 清洗 空洞
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金属刻蚀后清洗导致AlSiCu互联线空洞问题的研究和解决
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作者 程乐乐 《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 2021年第1期110-110,112,共2页
干法刻蚀是进行集成电路制造过程中较常使用的一种方式,通过该类方式的使用能够达到AlSiCu之间的互联线。但需要注意的是,使用该类刻蚀工艺后,需要进行残留物的去除,通常情况下都会使用清洗工艺来进行。但需要注意的是如果直接使用清洗... 干法刻蚀是进行集成电路制造过程中较常使用的一种方式,通过该类方式的使用能够达到AlSiCu之间的互联线。但需要注意的是,使用该类刻蚀工艺后,需要进行残留物的去除,通常情况下都会使用清洗工艺来进行。但需要注意的是如果直接使用清洗工艺,合金表面会出现较多的空洞,这些空洞会直接影响到互联线的使用质量。为此,技术研究人员尝试通过可行性的措施来进行空洞问题的解决。下文将对此进行深入的分析与研究。 展开更多
关键词 金属刻蚀 alsicu互联线 空洞问题
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