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直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜 被引量:10
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作者 于毅 赵宏锦 +2 位作者 高占友 任天令 刘理天 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第1期53-55,共3页
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理... 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理。制备出的AlN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性,半高宽(FWHM)为0.35°~0.40°,折射率约为2.07。 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向
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硅基AlN薄膜制备技术与测试分析 被引量:7
2
作者 于毅 任天令 刘理天 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期42-45,共4页
采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN... 采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理 .制备的AlN薄膜显示出良好的〈0 0 2〉择优取向性 ,摇摆曲线的半高宽达到 5 6° . 展开更多
关键词 AIN薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 半高宽
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Si(111)和Si(100)衬底上磁控反应溅射制备AlN薄膜 被引量:7
3
作者 纪红 杨保和 李翠平 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1524-1527,共4页
采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取... 采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取向AlN薄膜,而且N2百分比为40%时,AlN薄膜的c-轴取向最好,具有尖锐的XRD峰,此时对应于AlN(002)晶向。计算了(002)取向AlN和两种Si衬底的失配度,Si(111)面与AlN(002)面可归结为正三角形晶系之间的匹配,失配度为23.5%;而Si(100)面与AlN(002)面可归结为正方形晶系与正三角形晶系之间的匹配,失配度为0.8%,可以认为完全共格。理论分析和实验结果相符。 展开更多
关键词 aln薄膜 射频磁控反应溅射 择优取向 晶格失配度
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基于AlN的体声波滤波器材料、器件与应用研究进展 被引量:4
4
作者 欧阳佩东 衣新燕 +2 位作者 罗添友 王文樑 李国强 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第9期1691-1702,共12页
在5G通信时代,体声波(BAW)滤波器件成为实现高性能射频(RF)滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术和专利被少数几家公司持有的大环境下,对压电薄膜生长、器件的制备工艺等方面进行突破,形成独有的BA... 在5G通信时代,体声波(BAW)滤波器件成为实现高性能射频(RF)滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术和专利被少数几家公司持有的大环境下,对压电薄膜生长、器件的制备工艺等方面进行突破,形成独有的BAW器件技术路线显得尤为重要。本文综述了AlN薄膜的生长、AlN材料在BAW滤波器件的发展、基于AlN的BAW器件的制备及其应用。在国内研究者的努力下,基于单晶AlN的体声波谐振器(SABAR)器件,通过在材料生长方法及制备工艺上的独立自主创新,不仅使BAW滤波器件的性能得到了进一步提升,也给受到国外掣肘的国内射频滤波行业带来了一条摆脱国外“卡脖子”问题的新路线。 展开更多
关键词 aln薄膜 体声波滤波器 材料生长 设备制造 单晶aln的体声波谐振器
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离子束增强沉积氮化铝薄膜的电绝缘性能研究 被引量:3
5
作者 宋朝瑞 俞跃辉 +1 位作者 邹世昌 郑志宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第6期494-496,502,共4页
AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄... AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力。采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能谱(XPS)和电容-电压/电流-电压(C-V/I-V)等方法对AlN薄膜的微观结构和绝缘性能进行了研究,得到了影响薄膜电绝缘性能的主要参数。研究结果表明,沉积过程中向IBED系统通入一定的氮气可有效提高薄膜的N/Al,使其接近化学计量比(从0.53∶1到0.81∶1)及电绝缘性能(击穿电场约为1.42MV/cm)。 展开更多
关键词 aln薄膜 离子束增强沉积(IBED) 电绝缘性能
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AlN薄膜制备技术研究 被引量:4
6
作者 金成飞 司美菊 +2 位作者 徐阳 杜波 陈云祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期539-540,547,共3页
采用磁控溅射法制备了AlN薄膜并研究了射频(RF)等离子清洗对AlN薄膜结晶取向度的影响,实验表明,RF等离子清洗基片3min后AlN薄膜c轴取向摇摆曲线半峰宽达到1.3°;通过Mo薄膜衬底对AlN薄膜结晶取向度的影响发现,取向度好的Mo薄膜衬... 采用磁控溅射法制备了AlN薄膜并研究了射频(RF)等离子清洗对AlN薄膜结晶取向度的影响,实验表明,RF等离子清洗基片3min后AlN薄膜c轴取向摇摆曲线半峰宽达到1.3°;通过Mo薄膜衬底对AlN薄膜结晶取向度的影响发现,取向度好的Mo薄膜衬底有利于c轴取向AlN薄膜的生长;Ar气体流量对AlN薄膜应力的影响使AlN薄膜应力从-390(压应力)-73 MPa(张应力)可调。 展开更多
关键词 aln薄膜 磁控溅射 结晶取向度 应力 薄膜体声波谐振器(FBAR)
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氮化铝声表面波器件表面微液滴的声表面波操控研究 被引量:4
7
作者 庞华锋 顾马龙 李百宏 《西安科技大学学报》 CAS 北大核心 2019年第6期1090-1096,共7页
声学操控是实现芯片级微流体操控的重要方法之一,如何实现在新型压电器件表面用声表面波有效驱动操控微升量级流体是该方法中一个非常关键的问题。通过在氮化铝薄膜声表面波器件表面滴放不同体积微液滴,在微尺度下利用高速摄相机和红外... 声学操控是实现芯片级微流体操控的重要方法之一,如何实现在新型压电器件表面用声表面波有效驱动操控微升量级流体是该方法中一个非常关键的问题。通过在氮化铝薄膜声表面波器件表面滴放不同体积微液滴,在微尺度下利用高速摄相机和红外热像仪研究分析了声表面波操控雷诺数较小的液滴流体力学特征和声波热效应。结果显示在较低加载功率条件下观察到声波激发液滴内粒子流场轨迹呈现出典型稳定的双涡旋蝶形结构;而加载功率继续增大时,液滴定向输运过程中输运速率随加载功率增加而增大,进一步在较高功率下液滴出现了喷射现象,进而从理论上讨论了上述特征中的耦合操控机理。同时,观察到微液滴操控过程中的声波加热效应,液滴温度变化量随加载功率呈正比线性增大趋势,但在较高功率时出现偏离。对比分析了器件表面特定位置滴放微液滴前后器件表面温度和液滴温度变化量分别随加载功率线性增大的特点,提出液滴内热量的来源以液滴内的声波因克服流体粘滞阻力做功产生的贡献占主导。 展开更多
关键词 微流体 声学操控 氮化铝薄膜 声表面波器件
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AlN薄膜覆Al基板的物理特性 被引量:3
8
作者 李华平 柴广跃 +2 位作者 彭文达 刘文 牛憨笨 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第10期54-56,共3页
利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3μm的AlN薄膜。XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明,AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜,击穿电压高达100V/μm。利用自动划痕仪对AlN膜进行剥离实验,临界载荷为6N左右。AlN和铝基体间的结合主要是物理吸... 利用磁控溅射系统在6061铝材上制备了3μm的AlN薄膜。XRD、椭偏测试及耐压测试结果表明,AlN膜为具有良好取向的多晶薄膜,击穿电压高达100V/μm。利用自动划痕仪对AlN膜进行剥离实验,临界载荷为6N左右。AlN和铝基体间的结合主要是物理吸附和机械锚合。用有限元方法对基于AlN膜/Al热沉的LED(发光二极管)封装结构的散热性能进行了分析,模型的内通道热阻约2K/W。 展开更多
关键词 无机非金属材料 AIN薄膜 LED封装 有限元法
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磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究 被引量:3
9
作者 王代强 杨发顺 +2 位作者 徐希嫔 陈雨青 刘桥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期248-250,共3页
反应磁控溅射制备AlN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关。靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的报道很多,因此,研究N2/Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜元素种类与含量的影响很有实用意义。实验表明,在... 反应磁控溅射制备AlN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关。靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的报道很多,因此,研究N2/Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜元素种类与含量的影响很有实用意义。实验表明,在其他参数一定的情况下,N2/Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响。通过实验验证,选择N2/Ar流量比约为1.525可获得高质量的AlN薄膜(100取向)。 展开更多
关键词 流量比 aln薄膜 直流磁控反应溅射 元素种类与含量
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氮化铝薄膜的组成分析 被引量:3
10
作者 许小红 武海顺 +2 位作者 张富强 张聪杰 金志浩 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期233-235,共3页
The component of the surface and profile of AlN films have been investigated using X ray photoelectron spectrometry(XPS). The results show that the surface of the films was composed by Al, N, O and C elements. C and O... The component of the surface and profile of AlN films have been investigated using X ray photoelectron spectrometry(XPS). The results show that the surface of the films was composed by Al, N, O and C elements. C and O contaminations are attributed both to the sputtering chamber venting and to exposure of the films to air. According XPS depth profile analysis, it is found that the composition of the film along the growth axis is nearly uniform, and Al/N ratio is close to that in the AlN stoichiometry. Beneath the surface, the amount of O in the film is found below 5%. 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 组成 X射线光电子能谱 压电材料
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衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响 被引量:1
11
作者 薛守迪 杨成韬 +1 位作者 解群眺 毛世平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第3期475-478,共4页
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向... 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳。一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω.cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势。 展开更多
关键词 AIN薄膜 衬底温度 XRD 原子力显微镜(AFM)
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AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究 被引量:3
12
作者 于毅 赵宏锦 +1 位作者 任天令 刘理天 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第z2期239-240,共2页
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄... 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础。 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向
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AlN压电薄膜的制备工艺 被引量:2
13
作者 陈颖慧 王旭光 +2 位作者 席仕伟 施志贵 姚明秋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第8期506-511,共6页
采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对Al... 采用射频反应磁控溅射法制备了AlN压电薄膜,并分析了制备条件对AlN薄膜性能的影响。为了确定c轴择优取向生长AlN薄膜的制备工艺参数,设计了关于溅射功率、衬底温度、氮氩体积比和气氛压强这四个参数的工艺实验,研究了不同的工艺条件对AlN薄膜质量的影响。采用X射线衍射(XRD)图谱分析了薄膜的晶格结构和摇摆曲线半高宽,采用原子力显微镜(AFM)表征了薄膜的表面形貌和均方根粗糙度。对不同制备条件下AlN薄膜样品的XRD和AFM测试结果进行了分析和讨论,最终得到了最佳的工艺参数,为下一步研究工作提供了实验依据和奠定了工艺基础。 展开更多
关键词 aln薄膜 射频反应磁控溅射 c轴择优取向 X射线衍射(XRD) 原子力显微镜(AFM)
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射频磁控溅射不锈钢衬底AlN薄膜的制备与特性研究 被引量:2
14
作者 樊志琴 陈飞跃 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第12期2201-2206,共6页
利用正交实验设计方法,采用射频磁控溅射法在不锈钢衬底上制备了AlN薄膜,并利用XRD、激光拉曼光谱、荧光光谱等技术对AlN薄膜的结构及发光特性进行了表征。通过实验数据分析,得出如下结论:利用射频磁控溅射法在不锈钢衬底上制备的纤锌... 利用正交实验设计方法,采用射频磁控溅射法在不锈钢衬底上制备了AlN薄膜,并利用XRD、激光拉曼光谱、荧光光谱等技术对AlN薄膜的结构及发光特性进行了表征。通过实验数据分析,得出如下结论:利用射频磁控溅射法在不锈钢衬底上制备的纤锌矿结构AlN薄膜,在所有参数下,(100)面最易生长;在溅射功率为300~400 W、衬底温度为100~200℃、氮气流量百分比为30%、溅射时间为1 h时,制备出的AlN薄膜结晶状况较好。制备出的AlN薄膜没有明显的拉曼峰,但不锈钢衬底不仅有拉曼峰,而且在紫外区有很强的荧光发射峰。在不锈钢上镀膜后,拉曼峰的强度有所变化并且伴随着频移。 展开更多
关键词 aln薄膜 射频磁控溅射 XRD 荧光光谱 拉曼光谱
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基于AIN声表面器件的设计与分析 被引量:2
15
作者 张贤 石林 《计算机测量与控制》 2015年第4期1401-1403,1431,共4页
声表面波器件是一种利用压电材料的压电效应与逆压电效应工作电子器件,文章首先详细描述了声表面波器件的设计与仿真过程,运用有限元分析的方法分别计算了利用声表面波的SAW器件与利用体波的BAW器件的性能与各项参数,对相关的器件进行... 声表面波器件是一种利用压电材料的压电效应与逆压电效应工作电子器件,文章首先详细描述了声表面波器件的设计与仿真过程,运用有限元分析的方法分别计算了利用声表面波的SAW器件与利用体波的BAW器件的性能与各项参数,对相关的器件进行了计算分析,分别用上述方法研究了基于AlN薄膜的声表面波器件和悬臂梁结构的体波器件,推导得出了器件的电学导纳与频率之间的关系,通过分析器件的导纳-频率曲线,推导出器件内部声波的模式以及合适的工作频率,最终得出在IDT周期为8微米的情况下,SAW器件的理想工作频率是0.7-1.95 GHz,BAW器件的理想工作频率在0.6-3.2 GHz的结果. 展开更多
关键词 表面声学波 传感器 有限元分析 aln薄膜 压电材料
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氮化铝薄膜发光性能研究进展 被引量:2
16
作者 佟洪波 巴德纯 +1 位作者 肖金泉 闻立时 《真空》 CAS 北大核心 2007年第2期22-26,共5页
介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法;综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光(TFEL)器件发光层的研究现状;对AlN薄膜发光性能的应用前景做了展望。
关键词 aln薄膜 发光 TFEL器件
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直流磁控反应溅射制备(002)择优取向AlN薄膜 被引量:2
17
作者 王质武 刘文 +1 位作者 杨清斗 卫静婷 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1113-1117,共5页
采用直流磁控溅射法,A l靶直径75mm,靶基距9 cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在S i(100)衬底上制备A lN薄膜。结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线... 采用直流磁控溅射法,A l靶直径75mm,靶基距9 cm,本底真空3×10-5Pa,气体分压N2/Ar=1/3,工作气压0.2Pa,溅射功率72W,溅射时间1h,溅射过程不加热,使其自然升温,在S i(100)衬底上制备A lN薄膜。结合椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测试手段研究了薄膜特性。结果表明,所制备的多晶A lN薄膜厚度为715nm,具有良好的(002)择优取向,其衍射峰半高宽(FWHM)为0.24°。XPS剥蚀260m in后O的原子浓度降为6.24%,A l和N化学剂量比非常接近1:1。A lN薄膜晶粒大小均匀,平均尺寸为35nm左右。表面粗糙度为0.37nm,表面均方根粗糙度为0.49nm,Z轴方向最高突起约3.13nm。 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 直流磁控溅射 择优取向
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基底温度对反应磁控溅射氮化铝薄膜的影响 被引量:2
18
作者 黄美东 张琳琳 +3 位作者 王丽格 佟莉娜 李晓娜 董闯 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期715-718,共4页
采用反应磁控溅射法结合加热控温电源,在光学玻璃基底上制备氮化铝(AlN)薄膜,通过X射线衍射(XRD)技术对薄膜样品物相结构进行分析,利用纳米压痕仪测试薄膜样品的硬度及弹性模量,用椭圆偏振仪及光栅光谱仪测试了薄膜样品的光学性能,分析... 采用反应磁控溅射法结合加热控温电源,在光学玻璃基底上制备氮化铝(AlN)薄膜,通过X射线衍射(XRD)技术对薄膜样品物相结构进行分析,利用纳米压痕仪测试薄膜样品的硬度及弹性模量,用椭圆偏振仪及光栅光谱仪测试了薄膜样品的光学性能,分析和研究了基底温度对AlN薄膜的结构及性能的影响。结果表明,用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,属于六方晶系,温度对AlN(100)面衍射峰强度影响不大,但对(110)面衍射峰的影响较大,因而温度对AlN的择优取向有一定影响。AlN(100)峰半高宽随温度升高而减小,表明晶粒尺寸随温度升高有变大趋势。随沉积温度升高,薄膜硬度从150℃的8 GPa增加到350℃的10 GPa左右,随基底温度升高,薄膜的硬度增加。弹性模量随温度的变化趋势与硬度的基本一致。在可见光区域AlN薄膜透过率超过90%,基本属于透明膜。基底温度对薄膜折射率也有较明显影响,折射率大致随温度升高而增大,但由椭偏测试及透射谱线分析得到的厚度结果表明,随温度升高,AlN薄膜的沉积速率下降。 展开更多
关键词 氮化铝薄膜 基底温度 反应磁控溅射法
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AlGaN基深紫外LED的外延生长及光电性能研究 被引量:1
19
作者 李路 徐俞 +1 位作者 曹冰 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1158-1162,共5页
AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键。本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属... AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情况下,高质量AlN薄膜的异质外延是促进紫外光电子器件发展的关键。本文中,通过调节蓝宝石衬底上AlN的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长模式产生高密度纳米级孔洞,利用纳米级孔洞降低AlN的位错,并在此基础上外延了AlGaN量子阱结构,得到了275 nm波段的深紫外LED薄膜,并制备了开启电压约为4.8 V,反向漏电电流仅为2.23μA(-3.0 V电压时)的深紫外LED器件。 展开更多
关键词 aln薄膜 ALGAN材料 紫外LED 异质外延 纳米级孔洞
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氮气流量对磁控溅射AlN薄膜光学性能的影响 被引量:1
20
作者 杨家乐 沈鸿烈 +4 位作者 邢正伟 蒋晔 李金泽 张三洋 李玉芳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期32-36,42,共6页
Al N薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点。采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜。利用傅里叶... Al N薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点。采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜。利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能。结果表明随着氮气流量的增加,Al N薄膜质量变好,N2流量为8 cm3/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm^(-1)处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜。在300~900 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94%;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV。 展开更多
关键词 aln薄膜 直流磁控溅射 氮气流量 透过率 光学性能 室温
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