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使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
1
作者
丁国建
郭丽伟
+5 位作者
邢志刚
陈耀
徐培强
贾海强
周均铭
陈弘
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期5724-5729,共6页
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生...
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/□的薄层电阻.
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关键词
Al
gan
/
gan
结构
aln
/
gan
超晶格
二维电子气
高电子迁移率晶体管
原文传递
AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究
2
作者
芦伟
徐明
+1 位作者
魏屹
何林
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期693-702,共10页
利用Krnig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了纤锌矿型AlN/InN和AlN/GaN超晶格系统的能带结构及不同应变模式对能带结构的影响,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同...
利用Krnig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了纤锌矿型AlN/InN和AlN/GaN超晶格系统的能带结构及不同应变模式对能带结构的影响,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度和导带第一子禁带宽度.研究发现,通过改变亚层厚度可以从不同形式设计能带结构,应变会改变系统禁带宽度,使带阶和子能带明显窄化,价带结构趋于复杂甚至生成准能带结构.与实验结果对比后发现,该模型适于模拟窄势阱结构超晶格,而对于宽势阱则必须考虑内建电场的作用.
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关键词
aln
/InN和
aln
/
gan
超晶格
Krnig-Penney模型
应变
子能带
原文传递
题名
使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
1
作者
丁国建
郭丽伟
邢志刚
陈耀
徐培强
贾海强
周均铭
陈弘
机构
北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所清洁能源实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期5724-5729,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:10574148)
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB921300)
国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A106,2006AA03A107)资助的课题~~
文摘
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/□的薄层电阻.
关键词
Al
gan
/
gan
结构
aln
/
gan
超晶格
二维电子气
高电子迁移率晶体管
Keywords
Al
gan
/
gan
heterostructure
aln
/
gan
superlattices
two
dimensional
electron
gas
high
electron
mobility
transistor
分类号
O781 [理学—晶体学]
原文传递
题名
AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究
2
作者
芦伟
徐明
魏屹
何林
机构
四川师范大学固体物理研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期693-702,共10页
基金
教育部留学回国人员科研启动基金(批准号:20071108)资助的课题~~
文摘
利用Krnig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了纤锌矿型AlN/InN和AlN/GaN超晶格系统的能带结构及不同应变模式对能带结构的影响,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度和导带第一子禁带宽度.研究发现,通过改变亚层厚度可以从不同形式设计能带结构,应变会改变系统禁带宽度,使带阶和子能带明显窄化,价带结构趋于复杂甚至生成准能带结构.与实验结果对比后发现,该模型适于模拟窄势阱结构超晶格,而对于宽势阱则必须考虑内建电场的作用.
关键词
aln
/InN和
aln
/
gan
超晶格
Krnig-Penney模型
应变
子能带
Keywords
aln
/InN
and
aln
/
gan
superlattices
Krnig-Penney
model
strain
subband
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
丁国建
郭丽伟
邢志刚
陈耀
徐培强
贾海强
周均铭
陈弘
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
原文传递
2
AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究
芦伟
徐明
魏屹
何林
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
原文传递
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