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用真空蒸镀法制备Al背场的研究
被引量:
5
1
作者
乔琦
季静佳
+2 位作者
张光春
施正荣
李果华
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期555-559,共5页
采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiN_x)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场。用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响。实验结...
采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiN_x)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场。用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响。实验结果表明,在真空度为5.0×10^(-3)Pa,阻蒸电流为250A的条件下,所镀膜层最厚、致密均匀、结合力好,且Al背场的开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加。
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关键词
真空蒸镀
al
背场
SEM
开路电压
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职称材料
PC1D方法对铝背场太阳能电池仿真分析
2
作者
尹杰
《电子质量》
2015年第8期25-27,共3页
利用PC1D软件仿真分析n+pp+型单晶硅太阳能电池铝背场和电池厚度对电池性能的影响。通过建立电池模型和参数模型,仿真结果显示,有铝背场的太阳能电池获得了更高的填充因子和转换效率。电池厚度越小,铝背场对电池的输出特性影响越大,当...
利用PC1D软件仿真分析n+pp+型单晶硅太阳能电池铝背场和电池厚度对电池性能的影响。通过建立电池模型和参数模型,仿真结果显示,有铝背场的太阳能电池获得了更高的填充因子和转换效率。电池厚度越小,铝背场对电池的输出特性影响越大,当厚度为125μm时,电池获得了最大的转换效率。
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关键词
PC1D
单晶硅太阳能电池
铝背场
转换效率
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职称材料
铝背场对单晶硅太阳电池输出特性的影响
被引量:
6
3
作者
周继承
李斐
+1 位作者
陈勇民
赵保星
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期838-841,共4页
利用PC1D软件模拟了n+/p-p+结构的单晶硅太阳电池铝背场与硅片厚度对其输出特性的影响。结果表明,有铝背场时太阳电池获得明显的开路电压、短路电流以及光电转换效率的增益;硅片厚度越小,铝背场对其输出特性的影响越大;在有铝背场情况下...
利用PC1D软件模拟了n+/p-p+结构的单晶硅太阳电池铝背场与硅片厚度对其输出特性的影响。结果表明,有铝背场时太阳电池获得明显的开路电压、短路电流以及光电转换效率的增益;硅片厚度越小,铝背场对其输出特性的影响越大;在有铝背场情况下,硅片厚度为120μm时,可获得最大的光电转换效率。
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关键词
单晶硅太阳电池
铝背场
硅片厚度
输出特性
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职称材料
硅太阳能电池铝背场P~+层的模拟优化
被引量:
5
4
作者
单文光
谢正芳
+1 位作者
吴小山
张凤鸣
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期1168-1173,共6页
针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响。分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征。结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为...
针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响。分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征。结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5~7μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018~9×1018cm-3,当掺杂浓度大于5×1019cm-3,P+层最佳深度将小于1μm。
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关键词
硅太阳能电池
铝背场
性能模拟
PC1D
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职称材料
题名
用真空蒸镀法制备Al背场的研究
被引量:
5
1
作者
乔琦
季静佳
张光春
施正荣
李果华
机构
江南大学微电子系
江苏省光伏工程技术中心
无锡尚德太阳能电力有限公司
江南大学光信息科学与技术系
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期555-559,共5页
文摘
采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiN_x)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜并在不同温度下烧结形成背场。用扫描电子显微镜(SEM)对Al背电场进行表征,测量开路电压并探讨工艺条件对Al背电场微结构及开路电压的影响。实验结果表明,在真空度为5.0×10^(-3)Pa,阻蒸电流为250A的条件下,所镀膜层最厚、致密均匀、结合力好,且Al背场的开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加。
关键词
真空蒸镀
al
背场
SEM
开路电压
Keywords
vacuum
evaporate
plating
al
back
surface
fields
SEM
open-circuit
voltage
分类号
TK511.5 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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职称材料
题名
PC1D方法对铝背场太阳能电池仿真分析
2
作者
尹杰
机构
东华理工大学
出处
《电子质量》
2015年第8期25-27,共3页
文摘
利用PC1D软件仿真分析n+pp+型单晶硅太阳能电池铝背场和电池厚度对电池性能的影响。通过建立电池模型和参数模型,仿真结果显示,有铝背场的太阳能电池获得了更高的填充因子和转换效率。电池厚度越小,铝背场对电池的输出特性影响越大,当厚度为125μm时,电池获得了最大的转换效率。
关键词
PC1D
单晶硅太阳能电池
铝背场
转换效率
Keywords
PC1D
mono-cryst
al
line
silicon
solar
cells
al
back
-
surface
field
conversion
efficiency
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
铝背场对单晶硅太阳电池输出特性的影响
被引量:
6
3
作者
周继承
李斐
陈勇民
赵保星
机构
中南大学物理科学与技术学院
中南大学材料科学与工程学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期838-841,共4页
基金
湖南省科技重大专项项目
长沙市科技计划重大专项项目
文摘
利用PC1D软件模拟了n+/p-p+结构的单晶硅太阳电池铝背场与硅片厚度对其输出特性的影响。结果表明,有铝背场时太阳电池获得明显的开路电压、短路电流以及光电转换效率的增益;硅片厚度越小,铝背场对其输出特性的影响越大;在有铝背场情况下,硅片厚度为120μm时,可获得最大的光电转换效率。
关键词
单晶硅太阳电池
铝背场
硅片厚度
输出特性
Keywords
monocryst
al
line
silicon
solar
cell
al
back
-
surface
-
field
wafer
thickness
electric
al
properties
分类号
O475 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
硅太阳能电池铝背场P~+层的模拟优化
被引量:
5
4
作者
单文光
谢正芳
吴小山
张凤鸣
机构
南京大学物理学院光伏工程中心
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期1168-1173,共6页
基金
南京大学固体微结构物理国家重点实验室自主创新课题基金(2010ZZ13)
文摘
针对P型衬底硅太阳电池,以生产线上的实验结果为依据,通过数值计算,模拟了铝背场P+层掺杂浓度分布及其深度对太阳能电池电性能的影响。分析了铝背场P+层在不同掺杂浓度和深度下电性能的变化特征。结果表明对于生产线上的电池,P+层深度为5~7μm的电池片,最佳掺杂浓度为7×1018~9×1018cm-3,当掺杂浓度大于5×1019cm-3,P+层最佳深度将小于1μm。
关键词
硅太阳能电池
铝背场
性能模拟
PC1D
Keywords
silicon
solar
cell
al
-
back
surface
field
simulation
PC1D
分类号
TK6 [动力工程及工程热物理—生物能]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用真空蒸镀法制备Al背场的研究
乔琦
季静佳
张光春
施正荣
李果华
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
下载PDF
职称材料
2
PC1D方法对铝背场太阳能电池仿真分析
尹杰
《电子质量》
2015
0
下载PDF
职称材料
3
铝背场对单晶硅太阳电池输出特性的影响
周继承
李斐
陈勇民
赵保星
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009
6
下载PDF
职称材料
4
硅太阳能电池铝背场P~+层的模拟优化
单文光
谢正芳
吴小山
张凤鸣
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
下载PDF
职称材料
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