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用于毫米波InP HBT建模的HICUM,VBIC和AHBT模型
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作者 蒋盛烽 刘军 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第11期709-713,共5页
选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT(AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(InP)异质结双极型晶体管(HBT)器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于HBT器件截止频率表征精度,进而影响Pin-Pout和IMD3... 选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT(AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(InP)异质结双极型晶体管(HBT)器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于HBT器件截止频率表征精度,进而影响Pin-Pout和IMD3等非线性仿真精度。在HICUM,VBIC和AHBT模型忽略各自衬底寄生网络,保持三类模型本征网络一致的情况下,着重分析了三种模型用于InP HBT器件载流子渡越时间和特征频率曲线建模精度。其中HBT器件发射极尺寸为8μm×3μm,频段为DC到67 GHz。最终评估结果表明,AHBT比另外两种模型更适用于InP HBT器件的模型抽取,同时也发现AHBT在电流更高区域的精度缺陷。 展开更多
关键词 InP异质结双极型晶体管(HBT) HICUM VBIC agilenthbt(ahbt) 毫米波
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