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ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析 被引量:11
1
作者 徐艺滨 杜国同 +2 位作者 刘维峰 杨天鹏 王新胜 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期569-572,共4页
采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:A l(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数A l2O3)陶瓷靶。对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表... 采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:A l(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2%质量分数A l2O3)陶瓷靶。对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征。得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89%以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω.cm。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 透明导电薄膜 azo
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透明导电薄膜的研究进展 被引量:8
2
作者 张亚萍 殷海荣 +1 位作者 黄剑锋 李启甲 《光机电信息》 2006年第2期56-60,共5页
综述了透明导电薄膜的性能、种类、制备工艺、研究及应用状况,重点介绍了掺铝氧化锌(AZO)薄膜的结构、导电机理、光电性能和当前的研究焦点,指出了需要进一步从材料选择、制备工艺的研究、多层膜光学设计等方面提高透明导电薄膜的综合性... 综述了透明导电薄膜的性能、种类、制备工艺、研究及应用状况,重点介绍了掺铝氧化锌(AZO)薄膜的结构、导电机理、光电性能和当前的研究焦点,指出了需要进一步从材料选择、制备工艺的研究、多层膜光学设计等方面提高透明导电薄膜的综合性能,以满足尖端技术的需要。 展开更多
关键词 透明导电膜 azo 溶胶-凝胶法
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RF磁控溅射功率对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响 被引量:10
3
作者 杨伟锋 刘著光 +2 位作者 吕英 黄火林 吴正云 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1648-1652,共5页
采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3(2wt%Al2O3)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO:Al(AZO)薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率(50-300w)对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响。分... 采用RF磁控溅射技术以ZnO2Al2O3(2wt%Al2O3)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO:Al(AZO)薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率(50-300w)对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响。分析表明:所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜,晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素。同时发现当功率为250W时薄膜的电阻率降至最低(3.995×10^-33Ω·cm),可见光区平均透射率为91%。 展开更多
关键词 RF磁控溅射 透明导电薄膜 azo薄膜
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本底真空度对磁控溅射法制备AZO薄膜的影响 被引量:10
4
作者 霍红英 邹敏 +1 位作者 马光强 常会 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期75-77,共3页
采用直流磁控溅射方法在平板玻璃基体表面沉积AZO薄膜,研究了本底真空度对薄膜厚度、方块电阻以及在300~1100 nm波长范围内透过率的影响。结果表明:薄膜的方块电阻和透过率随本底真空度的提高而降低,厚度随本底真空度的提高而增加;本... 采用直流磁控溅射方法在平板玻璃基体表面沉积AZO薄膜,研究了本底真空度对薄膜厚度、方块电阻以及在300~1100 nm波长范围内透过率的影响。结果表明:薄膜的方块电阻和透过率随本底真空度的提高而降低,厚度随本底真空度的提高而增加;本底真空度较低时,其变化对薄膜的厚度、方块电阻和透过率的影响较大,随着本底真空度的增加,影响程度逐渐降低。 展开更多
关键词 磁控溅射 azo薄膜 本底真空度
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Al_(2)O_(3)掺杂对ZnO薄膜结构及光电性能的影响 被引量:4
5
作者 陈星辉 陈家辉 +3 位作者 张聚航 王嘉悦 邵天一 陈光伟 《湖南工业大学学报》 2023年第2期38-43,共6页
以ZnAl_(2)O_(4)陶瓷靶为溅射源,采用射频磁控溅射法,利用优化的氧化锌薄膜制备工艺,在石英衬底上沉积了Al_(2)O_(3)掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,并通过X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、薄膜测厚仪、霍尔效应仪对其进行了结构表征和光... 以ZnAl_(2)O_(4)陶瓷靶为溅射源,采用射频磁控溅射法,利用优化的氧化锌薄膜制备工艺,在石英衬底上沉积了Al_(2)O_(3)掺杂ZnO(AZO)透明导电薄膜,并通过X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、薄膜测厚仪、霍尔效应仪对其进行了结构表征和光电性能测试,研究了靶材中Al_(2)O_(3)不同掺杂质量分数(1%~5%)对薄膜结构及光电性能的影响。结果表明:沉积所得AZO薄膜为六方形纤锌矿结构,沿(002)晶面择优取向生长;随着Al_(2)O_(3)掺杂比例的提高,薄膜禁带宽度先增大后减小,电阻率先减小后增大;当Al_(2)O_(3)掺杂质量分数为4%时,薄膜择优取向性最好,可见光透过率最高,电阻率最小,具有最优的结晶质量和光电性能。 展开更多
关键词 azo薄膜 掺杂 磁控溅射 光电性能 择优取向 结晶质量
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AZO薄膜双靶PLD沉积及其光学性能分析 被引量:5
6
作者 胡少六 江超 +1 位作者 龙华 王又青 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期119-121,共3页
介绍了利用锌靶和铝靶在氧气气氛中进行掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜的脉冲激光沉积(PLD)新方法,并与利用ZnO陶瓷靶沉积AZO薄膜的方法进行了对比,分析了此方法的优势和特点。描述了利用该方法在玻璃和硅片上沉积AZO薄膜的实验过程。通... 介绍了利用锌靶和铝靶在氧气气氛中进行掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜的脉冲激光沉积(PLD)新方法,并与利用ZnO陶瓷靶沉积AZO薄膜的方法进行了对比,分析了此方法的优势和特点。描述了利用该方法在玻璃和硅片上沉积AZO薄膜的实验过程。通过透射光谱分析了沉积的透明导电膜在可见光区的透射性能,用X-射线衍射谱(XRD)研究了薄膜的结构。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 azo薄膜 双靶
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氩气压强对射频磁控溅射ZnO∶Al薄膜结构和性能的影响 被引量:2
7
作者 刘著光 杨伟锋 +2 位作者 吕英 黄火林 吴正云 《光谱实验室》 CAS CSCD 2008年第3期425-427,共3页
以ZnO∶Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO∶A l(AZO)薄膜,通过XRD、AFM以及H all效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强对薄膜结构、电学与光学性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,当压强为1.2Pa时... 以ZnO∶Al2O3为靶材在石英玻璃衬底上射频磁控溅射制备多晶ZnO∶A l(AZO)薄膜,通过XRD、AFM以及H all效应、透射光谱等测试研究了RF溅射压强对薄膜结构、电学与光学性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,当压强为1.2Pa时薄膜的电阻率降至最低(2.7×10-3Ω·cm)。薄膜在可见光区平均透射率高于90%,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度。 展开更多
关键词 RF磁控溅射 透明导电薄膜 azo薄膜
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烧结温度对AZO热压靶材性能影响研究 被引量:5
8
作者 白雪 王星明 +3 位作者 韩仓 储茂友 段华英 孙静 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期892-898,共7页
以ZnO和Al2O3粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌,研究了热压温度对AZO靶材密度、气孔演化和显微结构的影响。结果表明:根据烧结温度的不同,AZO... 以ZnO和Al2O3粉体为原料,采用热压烧结制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌,研究了热压温度对AZO靶材密度、气孔演化和显微结构的影响。结果表明:根据烧结温度的不同,AZO靶材热压致密化过程分为两个阶段:850~1050℃,随着温度的升高,连通气孔发生合并与收缩,孔径分布逐渐集中化,同时闭孔率逐渐减小,在1050℃具有最低值0.104%。这一阶段的主要特征是致密化速率较快,存在相互连通的气孔。当温度升至1150℃,颗粒之间结合紧密,孔隙率降至5.21%。这一阶段的主要特征是气孔全部闭合。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析物相的结构。镀膜测试结果显示,在相同的溅射条件下,靶材孔隙率越低,沉积速率越快,所得薄膜电阻率越低,但溅射功率较高时薄膜透光率明显减小。平均孔径较小且孔径分布集中的靶材,溅射所得薄膜电阻率较低。在溅射功率密度为3.9 W.cm-2下,相对密度高于80%的AZO靶材,靶材寿命大于150 W.h。相对密度为94.79%的靶材在溅射功率30 W下沉积20 min得到薄膜的电阻率为3.14×10-4Ω.cm,平均透过率大于85%,具有002择优取向,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求。 展开更多
关键词 azo靶材 热压 薄膜 溅射
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AZO靶材的制备与镀膜应用研究 被引量:5
9
作者 王星明 白雪 +4 位作者 段华英 石志霞 孙静 卢世刚 黄松涛 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2011年第2期326-330,共5页
以ZnO和Al2O3粉体为原料,在不同的热压温度下制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计... 以ZnO和Al2O3粉体为原料,在不同的热压温度下制备AZO靶材。通过阿基米德法测量靶材的密度,压汞法测量靶材的孔径分布,扫描电镜观察靶材的断面形貌。将所制备的靶材作为溅射源,进行射频磁控镀膜测试。采用台阶仪测量膜厚,紫外分光光度计测量薄膜透光率,四探针电阻图谱仪测量薄膜电阻率,XRD分析薄膜结构,研究靶材密度及孔径分布与薄膜光电性能的关系。结果表明,经过机械合金化和煅烧处理制备的原料粉(m(ZnO)∶m(Al2O3)=98∶2),Al部分扩散进入ZnO晶格中,另一部分由于固溶度的限制形成了ZnAl2O4尖晶石。在相同的溅射条件下,靶材密度越高,薄膜沉积速率越快,所得薄膜电阻率越低,但溅射功率较高时薄膜透光率明显减小。平均孔径较小且孔径分布集中的靶材,溅射所得薄膜电阻率较低。在溅射功率密度为3.9W/cm2下,相对密度高于80%的AZO靶材,靶材寿命大于150W.h。相对密度为94.79%的靶材在溅射功率30W下沉积20min得到薄膜的电阻率为3.14×10-4Ω.cm,平均透过率大于85%,具有(002)择优取向,满足薄膜太阳能对透明导电薄膜性能的要求。 展开更多
关键词 azo靶材 热压 薄膜 溅射
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射频溅射功率对室温沉积AZO薄膜性能的影响 被引量:5
10
作者 仲召进 曹欣 +6 位作者 高强 韩娜 崔介东 石丽芬 姚婷婷 马立云 彭寿 《真空》 CAS 2019年第1期45-48,共4页
本文采用直流射频耦合磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积AZO薄膜,将射频电源功率从0W增加到到200W。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能... 本文采用直流射频耦合磁控溅射技术,在玻璃基底上室温沉积AZO薄膜,将射频电源功率从0W增加到到200W。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计、霍尔效应测试系统重点研究了AZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能。研究结果表明,直流射频耦合磁控溅射可以在室温下制备性能优异的AZO薄膜,且射频溅射功率对AZO薄膜光电性能有显著的影响,随着射频功率的提高,AZO薄膜致密性增加,粒子逐渐变大,薄膜表面形貌和生长形态发生一定变化。在射频功率为200W时,室温制备的AZO薄膜电阻率达到最低5.39×10^(-4)Ω·cm,薄膜平均可见光透过率达到82.6%。 展开更多
关键词 azo薄膜 直流射频耦合 表面形貌 电学性能 光学性能
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热处理气氛对ZnO透明导电膜性能的影响 被引量:2
11
作者 张凯红 靳正国 赵宏生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1647-1649,共3页
采用溶胶-凝胶法、在空气、Ar气、H2气中热处理制备Al3+、F-掺杂的致密ZnO薄膜。利用XRD、SEM、分光光度计和四探针测试仪对薄膜性质进行表征。研究表明,强还原性H2气处理促进了薄膜晶界中吸附氧的解吸,减少了晶界处缺陷数目,有利于薄... 采用溶胶-凝胶法、在空气、Ar气、H2气中热处理制备Al3+、F-掺杂的致密ZnO薄膜。利用XRD、SEM、分光光度计和四探针测试仪对薄膜性质进行表征。研究表明,强还原性H2气处理促进了薄膜晶界中吸附氧的解吸,减少了晶界处缺陷数目,有利于薄膜晶化程度和载流子浓度提高,所制得掺杂ZnO薄膜最低方阻为10Ω/□,在可见光范围内的达透射率在可达90%以上,性能接近ITO导电薄膜。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 azo薄膜 FZO薄膜 光电性能
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Al掺杂ZnO薄膜的微结构及光学特性研究 被引量:4
12
作者 孟军霞 马书懿 +4 位作者 陈海霞 陶亚明 侯丽莉 贾迎飞 尚小荣 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1317-1320,共4页
采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响。结果显示,随着Al掺杂... 采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出不同Al掺杂量的ZnO(AZO)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致荧光发光(PL)等系统研究了不同Al掺杂量对ZnO薄膜的结晶性能、表面形貌和光学特性等的影响。结果显示,随着Al掺杂量的增加,薄膜的(002)衍射峰先增强后减弱,同时出现了(100)、(101)和(110)衍射峰,表明我们制备的AZO薄膜为多晶纤锌矿结构,适量的Al掺杂可提高ZnO薄膜的结晶质量,然而AZO薄膜的表面平整、晶粒致密均匀。薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过90%,同时随着Al掺杂量的增加,薄膜的光学带隙值先增大,后减小。这与采用量子限域模型对薄膜的光学带隙作出相应的理论计算所得结果的变化趋势完全一致。 展开更多
关键词 磁控溅射法 azo薄膜 结构特性 光学特性 量子限域
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衬底温度和溅射功率对AZO薄膜性能的影响 被引量:4
13
作者 于军 王航 +1 位作者 王晓晶 李钢贤 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期93-96,101,共5页
采用RF磁控溅射法在载玻片上制备了可用于电极材料的掺Al氧化锌(AZO)透明导电薄膜,并对不同衬底温度和溅射功率下制备的AZO薄膜结构、光电性能进行了表征分析.结果表明:各种工艺条件下沉积的AZO薄膜均具有明显的(002)择优取向,没有改变... 采用RF磁控溅射法在载玻片上制备了可用于电极材料的掺Al氧化锌(AZO)透明导电薄膜,并对不同衬底温度和溅射功率下制备的AZO薄膜结构、光电性能进行了表征分析.结果表明:各种工艺条件下沉积的AZO薄膜均具有明显的(002)择优取向,没有改变ZnO六方纤锌矿结构;薄膜电阻率随衬底温度升高而减小,随溅射功率增加先减小后增大,衬底温度400℃、溅射功率200W时最小,为1.53×10-5Ω.m;可见光平均透射率均在80%以上,光学带隙与载流子浓度变化趋势一致,最大值为3.52eV. 展开更多
关键词 azo薄膜 磁控溅射 衬底温度 溅射功率 电阻率 可见光透射率
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不同烧结气氛制备AZO靶材的实验研究 被引量:1
14
作者 张秀勤 王政红 薛建强 《材料开发与应用》 CAS 2012年第2期40-43,58,共5页
采用机械混粉、造粒、模压和冷等静压(CIP)成型相结合的功能陶瓷制备工艺制备了AZO靶材,研究了空气、真空及惰性气氛对AZO靶材性能的影响。结果发现,氩气保护烧结法制备的AZO靶材不仅密度高,电阻率达10-4Ω.cm量级,而且该方法还可明显... 采用机械混粉、造粒、模压和冷等静压(CIP)成型相结合的功能陶瓷制备工艺制备了AZO靶材,研究了空气、真空及惰性气氛对AZO靶材性能的影响。结果发现,氩气保护烧结法制备的AZO靶材不仅密度高,电阻率达10-4Ω.cm量级,而且该方法还可明显抑制氧化锌的挥发,降低烧结温度,在1320℃的温度下便可制得相对密度为99%、晶粒度在4μm左右的靶材。 展开更多
关键词 azo靶材 azo薄膜 冷等静压 惰性气体
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脉冲激光沉积AZO薄膜及其光学性质研究 被引量:3
15
作者 江超 王又青 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期79-80,共2页
给出了在氧气气氛中利用单束脉冲激光交替作用锌靶和铝靶进行掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜的脉冲激光沉积(PLD)新方法,分析了该方法的特点与优点,并与利用ZnO陶瓷掺杂靶制备AZO薄膜的方法进行了对比。利用该方法分别在玻璃片和硅片上制... 给出了在氧气气氛中利用单束脉冲激光交替作用锌靶和铝靶进行掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜的脉冲激光沉积(PLD)新方法,分析了该方法的特点与优点,并与利用ZnO陶瓷掺杂靶制备AZO薄膜的方法进行了对比。利用该方法分别在玻璃片和硅片上制备了AZO薄膜,用SEM观察了薄膜的表面型貌,用X射线衍射谱(XRD)研究厂薄膜的结构,最后通过透射光谱分析了制备的透明导电膜在可见光区的透射性能。实验结果表明:利用该方法能够制备出性能优越的AZO功能薄膜。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 azo薄膜 交替打靶 XRD
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直流磁控溅射技术低温制备高电导和高透明的氢掺杂AZO薄膜 被引量:3
16
作者 刘智 徐晴 +1 位作者 谷锦华 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期161-164,共4页
采用直流磁控溅射的方法制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜,通过溅射过程中加入氢气的方法来降低AZO薄膜的电阻率。结果表明:通过加入氢气的方法能有效降低AZO薄膜的电阻率;在衬底温度为225℃的低温条件下,通过优化其它沉积参数,制备了... 采用直流磁控溅射的方法制备掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜,通过溅射过程中加入氢气的方法来降低AZO薄膜的电阻率。结果表明:通过加入氢气的方法能有效降低AZO薄膜的电阻率;在衬底温度为225℃的低温条件下,通过优化其它沉积参数,制备了电阻率最低为4.5×10^(-4)Ω·cm、可见光区平均透光率在90%的优质AZO薄膜。这说明在溅射过程中引入一定流量的氢气,H可以起到掺杂作用,提高AZO薄膜的电导率。 展开更多
关键词 azo薄膜 氢掺杂 直流磁控溅射 电阻率
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Structural and optoelectronic properties of AZO thin films prepared by RF magnetron sputtering at room temperature 被引量:3
17
作者 孙宜华 王海林 +2 位作者 陈剑 方亮 王磊 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期1655-1662,共8页
Al-doped ZnO thin films were prepared on glass substrate using an ultra-high density target by RF magnetron sputtering at room temperature. The microstructure, surface morphology, optical and electrical properties of ... Al-doped ZnO thin films were prepared on glass substrate using an ultra-high density target by RF magnetron sputtering at room temperature. The microstructure, surface morphology, optical and electrical properties of AZO thin films were investigated by X-ray diffractometer, scanning electron microscope, UV-visible spectrophotometer, four-point probe method, and Hall-effect measurement system. The results showed that all the films obtained were polycrystalline with a hexagonal structure and average optical transmittance of AZO thin films was over 85 % at different sputtering powers. The sputtering power had a great effect on optoelectronic properties of the AZO thin films, especially on the resistivity. The lowest resistivity of 4.5×10^-4 Ω·cm combined with the transmittance of 87.1% was obtained at sputtering power of 200 W. The optical band gap varied between 3.48 and 3.68 eV. 展开更多
关键词 azo thin film microstructure optoelectronic properties RF magnetron sputtering
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反应磁控溅射制备AZO薄膜相结构的演化及机理研究 被引量:3
18
作者 赵志明 丁宇 +4 位作者 田亚萍 张晓静 马二云 白力静 蒋百灵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期177-182,共6页
在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al(AZO)薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn(AZO)... 在室温下,利用直流反应磁控溅射技术在不同的氧气流量下沉积ZnO∶Al(AZO)薄膜。采用XRD、SEM和TEM技术分析薄膜相成分、表面截面形貌及微观结构。结果表明:氧气流量为2.5 sccm时,沉积形成的薄膜为不透明具有金属导电性能的AZO/Zn(AZO)双层复合膜结构;氧气流量为3.5 sccm时,沉积形成了透明导电的AZO薄膜;氧气流量为5.0 sccm时,形成了透明不导电且含有纳米Al2O3颗粒的AZO薄膜;此外,AZO薄膜在400℃退火后,薄膜晶粒长大和(002)晶面方向择优生长更加明显以及高氧气流量沉积的AZO薄膜中的纳米Al2O3颗粒消失。 展开更多
关键词 直流反应磁控溅射 azo薄膜 Al2O3纳米颗粒
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掺杂浓度对AZO薄膜光电性能的影响及其在硅基薄膜太阳电池中的应用 被引量:2
19
作者 代玲玲 陈光羽 +7 位作者 何延如 谷士斌 张林 赵冠超 杨荣 孟原 李立伟 郭铁 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1726-1731,共6页
以磁控溅射法制备Zn O∶Al(AZO)薄膜,研究掺杂浓度及衬底温度对AZO薄膜光电性能的影响。在AZO薄膜光电性能研究优化的基础上,以Al含量为1.6%at.(1%wt.)及3.1%at.(2%at.)的AZO薄膜为前电极制备双结硅基薄膜太阳电池。与业界普遍采用的1%w... 以磁控溅射法制备Zn O∶Al(AZO)薄膜,研究掺杂浓度及衬底温度对AZO薄膜光电性能的影响。在AZO薄膜光电性能研究优化的基础上,以Al含量为1.6%at.(1%wt.)及3.1%at.(2%at.)的AZO薄膜为前电极制备双结硅基薄膜太阳电池。与业界普遍采用的1%wt.AZO薄膜相比,适度重掺杂(2%wt.)的AZO薄膜由于带隙拓宽可以取得更优的透过率,同时电阻率的优化在更低衬底温度下取得,因此,2%wt.AZO薄膜电池不仅可实现AZO薄膜的低温沉积,而且电池具有较高的转换效率。 展开更多
关键词 azo薄膜 磁控溅射 掺杂浓度 硅基薄膜电池
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Structural,Electrical,and Optical Properties of Transparent Conductive Al-Doped ZnO Films Prepared by RF Magnetron Sputtering 被引量:2
20
作者 杨伟锋 刘著光 +2 位作者 张峰 黄火林 吴正云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2311-2315,共5页
Highly conductive transparent Al-doped zinc oxide (AZO) films with highly (002)-preferred orientation were successfully deposited on glass substrates at room temperature by RF magnetron sputtering. Optimization of... Highly conductive transparent Al-doped zinc oxide (AZO) films with highly (002)-preferred orientation were successfully deposited on glass substrates at room temperature by RF magnetron sputtering. Optimization of deposition parameters was based on sputtering RF power and Ar pressure in the vacuum chamber. AZO films of 180nm with an electrical resistivity as low as 2.68 × 10^-3 Ω· cm and an average optical transmission of 90% in the visible range were obtained at RF power of 250W and Ar pressure of 1.2Pa. The effect of chemisorption of oxygen on the grain boundary would capture electrons from conduction band and lead the formation of potential barriers among the crystallites,which will influence the electric property of the AZO thin films. The films have satisfactory properties of low resistance and high transmittance for application as transparent conductive electrodes in light emitting diodes (LEDs) and solar cells. 展开更多
关键词 RF magnetron sputtering transparent conductive film azo film
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