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题名6英寸硅基GaN HEMT外延材料的制备
被引量：1
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作者
白欣娇
袁凤坡
王文军
房玉龙
李晓波
李浩
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机构
北京麦特达电子技术开发有限公司
中国电子科技集团公司第十三研究所
专用集成电路重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期359-363,368,共6页
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基金
北京市科技重大专项资助项目(Z171100002017012)
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文摘
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法,在6英寸（1英寸=2.54 cm）Si（111）衬底上,使用多层不同Al摩尔组分的AlGaN插入层技术,成功生长出厚度为2.9μm无裂纹（扣除边缘2 mm）的GaN外延层,解决了大尺寸外延片的翘曲度问题,并在此基础上生长了全结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）外延片。采用X射线双晶衍射对外延材料结构进行了表征。Hall测试结果表明,HEMT外延材料的迁移率为2 080 cm^2/（V·s）,方块电阻为279.8Ω/,电荷面密度为1.07×10^（13）cm^（-2）。采用喇曼光谱仪对GaN的应力进行了表征,GaN的喇曼E2（h）峰位于567.02 cm^（-1）,表面受到的张应力为0.170 6 GPa,由于GaN外延层受到的张应力很小,说明插入多层AlGaN后应力已经释放。汞探针C-V测试二维电子气浓度较Hall测试结果偏低,可能是在C-V测试时肖特基势垒接触会降低载流子浓度。
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关键词
Si
gan
高电子迁移率晶体管(HEMT)
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)
Algan插入层
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Keywords
Si
gan
high electron mobility transistor （HEMT）
metal organic chemical vapordeposition （MOCVD）
A1gan insert layer
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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