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Al^(3+)掺杂ZnS纳米晶的合成、表征及其光催化性能 被引量:5
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作者 余长林 李鑫 +3 位作者 周晚琴 樊启哲 魏龙福 陈建钗 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2620-2626,共7页
在较温和的溶剂热条件下制备了一系列Al3+掺杂的ZnS纳米晶光催化剂。利用N2物理吸附、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射光谱(UV-vis DRS)、红外光谱(FT-IR)和光致发光(PL)谱等技术对合成的样品进行了表征。考察了不同含量... 在较温和的溶剂热条件下制备了一系列Al3+掺杂的ZnS纳米晶光催化剂。利用N2物理吸附、扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见漫反射光谱(UV-vis DRS)、红外光谱(FT-IR)和光致发光(PL)谱等技术对合成的样品进行了表征。考察了不同含量的Al3+掺杂对ZnS的结晶度、比表面积、表面羟基、光吸收性能及其对不同染料的光催化降解性能的影响。结果表明,在140℃下合成的球状ZnS纳米晶具有较好的结晶度;Al3+掺杂在增加催化剂的比表面积的同时丰富了催化剂的表面羟基;此外,掺杂的Al3+可以明显抑制光生电子(e-)和空穴(h+)的复合,提高光催化反应效率。当掺杂最佳含量的6mol%Al时,可使催化剂光催化降解染料酸性橙Ⅱ、亚甲基蓝和罗丹明B的降解率分别提高3.5、1.0和0.9倍。 展开更多
关键词 ZnS纳米晶 AL掺杂 溶剂热 光催化 降解率
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ZnO∶Al薄膜的制备及表征 被引量:1
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作者 洪伟铭 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期370-374,共5页
利用溶胶-凝胶法在蓝宝石(0001)衬底上制备了多晶ZnO∶Al薄膜,薄膜表面具有特殊的交叉链状形貌。随着掺铝浓度的提高,链条有明显变细的趋势。X射线衍射证实,提高掺铝浓度有利于促进薄膜沿(002)方向的生长,并且光学带隙随着掺杂浓度的提... 利用溶胶-凝胶法在蓝宝石(0001)衬底上制备了多晶ZnO∶Al薄膜,薄膜表面具有特殊的交叉链状形貌。随着掺铝浓度的提高,链条有明显变细的趋势。X射线衍射证实,提高掺铝浓度有利于促进薄膜沿(002)方向的生长,并且光学带隙随着掺杂浓度的提高从3.21 eV增大到3.25 eV。光致发光光谱显示,薄膜在390 nm处出现较强的紫外峰,同时还出现了与Zn空位和Zn填隙缺陷能级有关的415 nm和440 nm两个比较弱的蓝峰。对实验结果以及产生的机理进行了分析和讨论。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 AL掺杂 光致发光 吸收光谱 溶胶-凝胶法
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锂离子正极材料LiCo_(1-x)Mg_xMnO_4与LiCo_(1-x)Al_xMnO_4(x=0,0.02,0.05,0.1)的制备及其电化学性能 被引量:1
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作者 游美玲 童庆松 +3 位作者 李秀华 林忞 黄行康 杨勇 《电化学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期22-27,共6页
采用固相法合成掺杂镁和铝尖晶石LiCoMnO4材料,研究镁和铝掺杂量对尖晶石LiCoMnO4电极的初始容量、放电平台以及循环性能的影响.利用扫描电子显微镜、粉末X-射线衍射仪观察分析材料形貌及结构.结果表明,所合成材料的粒径分布均匀,结晶... 采用固相法合成掺杂镁和铝尖晶石LiCoMnO4材料,研究镁和铝掺杂量对尖晶石LiCoMnO4电极的初始容量、放电平台以及循环性能的影响.利用扫描电子显微镜、粉末X-射线衍射仪观察分析材料形貌及结构.结果表明,所合成材料的粒径分布均匀,结晶性较佳.LiCoMnO4电极初始容量为87.0 mAh·g-1,少量镁或铝掺杂使电极初始容量有所增加,LiCo0.98Mg0.02MnO4和LiCo0.98Al0.02MnO4电极初始容量分别为91.3和93.6 mAh·g-1,提高了其5 V放电平台的比例,过量掺杂则其容量降低.此外,掺杂Al显著改善了LiCoMnO4电极的循环性能,而掺杂镁对电极的循环性能其影响不明显. 展开更多
关键词 固相合成 尖晶石LiCoMnO4 镁掺杂 铝掺杂 锂离子电池 正极材料
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Synthesis and characterization of A1 doped δ-laminar crystal sodium silicate
4
作者 Xue Jing Yang Ya Ling Yang +2 位作者 Wei Zhen Mou Sheng Liu Jun Hong Chai 《Chinese Chemical Letters》 SCIE CAS CSCD 2009年第4期462-464,共3页
An modified laminar crystal sodium silicate (A1-SKS-6) was synthesized by spray drying and high temperature crystallization using sodium silicate as silicon source, A1 atom as inorganic source and hexadecyltrimethy ... An modified laminar crystal sodium silicate (A1-SKS-6) was synthesized by spray drying and high temperature crystallization using sodium silicate as silicon source, A1 atom as inorganic source and hexadecyltrimethy ammonium bromide (CTMAB) as the structure template. The hydrothermal stability of product was at least 1 h. The synthesized material was characterized by XRD and SEM. The results indicated that shape and intensity of XRD diffraction peak at 20 took changes, but raw material 8 phase crystal form kept unchanged, and assured high Ca^2+ and Mg^2+ binding capacity of the products. The Ca^2+ and Mg^2+ binding capacity of product is up to 380 mg Ca/g and 410mg Mg/g respectively. It was found that the hole of product became smaller and appeared rod structure based on SEM. The hydrothermal stability was increased due to the pillaring of AI atom. 展开更多
关键词 A1 doping δ-Laminar crystal sodium silicate Detergent builder STABILITY
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Al掺杂的尖晶石型LiMn_2O_4的结构和电子性质 被引量:1
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作者 高潭华 刘慧英 +3 位作者 张鹏 吴顺情 杨勇 朱梓忠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第18期467-475,共9页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)和GGA+U方法下对尖晶石型LiMn_2O_4及其Al掺杂的尖晶石型LiAl_(0.125)Mn_(1.875)O_4晶体的结构和电子性质进行了计算.结果表明:采用GGA方法得到尖晶石型LiMn_2O_4是立方晶系结... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)和GGA+U方法下对尖晶石型LiMn_2O_4及其Al掺杂的尖晶石型LiAl_(0.125)Mn_(1.875)O_4晶体的结构和电子性质进行了计算.结果表明:采用GGA方法得到尖晶石型LiMn_2O_4是立方晶系结构,其中的Mn离子为+3.5价,无法解释它的Jahn-Teller畸变.给出的LiMn_O_4能带结构特征也与实验结果不符.而采用GGA+U方法得到在低温下的LiMn_2O_4和其掺杂体系LiAl_(0.125)Mn_(1.875)O_4的晶体都是正交结构,与实验一致.也能明确地确定Mn的两种价态Mn^3+/Mn^(4+)的分布并且能够说明Mn^3+O_6的z方向有明显的Jahn-Teller畸变,而Mn^(4+)O_6则没有畸变.LiMn_2O_4的能带结构与实验比较也能够符合.采用GGA+U方法对Al掺杂体系的LiAl_(0.125)Mn_(1.875)O_4的研究表明,用Al替换一个Mn不会明显地改变晶体的电子性质,但可以有效地消除Al^3+O_6八面体的Jahn-Teller畸变,从而改善正极材料LiMn_2O_4的性能,这与电化学实验的观察结果相一致. 展开更多
关键词 LiMn_2O_4 AL掺杂 电子结构 第一原理计算
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Al:ZnO的电子性质、光学性质及电性质的理论研究
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作者 张飞鹏 杜亚冰 +6 位作者 房慧 李凡生 余小英 王新练 王朝勇 张光磊 张忻 《河南城建学院学报》 CAS 2018年第1期86-92,共7页
应用第一原理方法研究了n型Al:ZnO块体材料的几何结构、能带、态密度分布、电子分布、光学性质和电性质。分析结果表明:ZnO晶胞略有收缩,晶胞a,b,c轴均减小;掺杂ZnO块体材料导带和价带之间具有0.85e V的直接带隙,能隙宽度减小;态密度分... 应用第一原理方法研究了n型Al:ZnO块体材料的几何结构、能带、态密度分布、电子分布、光学性质和电性质。分析结果表明:ZnO晶胞略有收缩,晶胞a,b,c轴均减小;掺杂ZnO块体材料导带和价带之间具有0.85e V的直接带隙,能隙宽度减小;态密度分布在费米能级附近大大增加,这些状态主要由Als、Alp、Zns、Op构成,且Zns、Als、Alp和Op之间存在着强偶合相互作用,其中Zns态、Als态和Alp态电子对导带贡献最大,Al:ZnO块体材料呈现宽的吸收范围和高的吸收率。Al:ZnO块材的Zns-Als-Op电子之间的转移构成电子迁移,Als电子参与导电;其价带有效质量相对较大,导带有效质量相对较小。 展开更多
关键词 ZnO块体材料 AL掺杂 电子结构 光学性能 电性质
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多接收器等离子体质谱(MC-ICP-MS)Pb同位素高精度研究 被引量:38
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作者 何学贤 朱祥坤 +1 位作者 杨淳 唐索寒 《地球学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第B09期19-22,共4页
多接收器等离子体质谱是近年发展起来的高精度同位素分析手段之一,通过用等离子体质谱测量Pb国际标准物质NBS981和NBS982,显示出多接收器等离子体质谱分析Pb同位素的优势。利用^205T1/^203T1进行作为内标,可以实现Pb同位素的质量分... 多接收器等离子体质谱是近年发展起来的高精度同位素分析手段之一,通过用等离子体质谱测量Pb国际标准物质NBS981和NBS982,显示出多接收器等离子体质谱分析Pb同位素的优势。利用^205T1/^203T1进行作为内标,可以实现Pb同位素的质量分馏校正,极大地提高了Pb同位素分析的重现性。相比较热电离质谱,该方法精度更高,样品的用量更少,测试时间更短,多接收器等离子体质谱测定Pb同位素技术有良好的应用前景。 展开更多
关键词 多接收器等离子体质谱 PB同位素 NBS981 NBS982 等离子体质谱分析 接收器 高精度 同位素分析 热电离质谱 同位素技术
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氧化锌掺杂铝纳米片的制备及其气敏性能研究 被引量:4
8
作者 高晓强 田俊峰 +1 位作者 桂阳海 蒋登高 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期102-104,107,共4页
采用水热法,以油酸为形貌控制剂,硝酸铝为铝源,制备了氧化锌掺杂铝纳米片,对其进行了XRD、SEM和EDS表征。考察了制备物对甲醇、乙醇、丙酮、异丙醇、正丁醇、DMF等六种气体的气敏性能,并对其气敏机理进行了简要分析。结果表明,掺杂3%Al... 采用水热法,以油酸为形貌控制剂,硝酸铝为铝源,制备了氧化锌掺杂铝纳米片,对其进行了XRD、SEM和EDS表征。考察了制备物对甲醇、乙醇、丙酮、异丙醇、正丁醇、DMF等六种气体的气敏性能,并对其气敏机理进行了简要分析。结果表明,掺杂3%Al的ZnO样品晶粒尺寸变小,为带微孔的层状纳米片,EDS能谱表明样品含有Zn、O和Al元素。样品对正丁醇、丙酮的灵敏度较高,100ppm时分别为164和70,对丙酮的响应和恢复时间分别为7s和29s。 展开更多
关键词 纳米片 氧化锌 气敏性能 铝掺杂
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Studies on the Effect of Ba<sup>2+</sup>on Growth, structural, Morphology, Optical, and Mechanical Properties of L-Valinium Picrate
9
作者 K. Russel Raj P. Murugakoothan 《Journal of Minerals and Materials Characterization and Engineering》 2011年第10期973-987,共15页
Single crystals of undoped (pure) and barium nitrate (Ba (NO3)2)-doped L-Valinium Picrate (LVP) were grown from aqueous solution by slow evaporation technique. Morphological changes have been observed when Ba (NO3)2) ... Single crystals of undoped (pure) and barium nitrate (Ba (NO3)2)-doped L-Valinium Picrate (LVP) were grown from aqueous solution by slow evaporation technique. Morphological changes have been observed when Ba (NO3)2) is doped into LVP crystals. The dopant concentration in the crystals was measured by ICP technique. Slight changes in the unit cell parameter of LVP after doping with Ba (NO3)2) have been detected. The powder X-ray diffraction of the grown crystals has been recorded and the various planes of reflection identified shows shift in the peak positions. FTIR and UV spectra reveal the functional group identification and optical property of the grown crystals. The relative second harmonic generation (SHG) efficiency measurements revealed that both 5 and 10 mol % of Ba (NO3)2) in LVP enhanced the SHG efficiency by 92.85 and 160.59 times that of KDP respectively. However, at higher concentration, SHG efficiency is not increased but rather decreased from it undoped condition. Microhardness studies show that hardness number (Hv) increased with increase in load for all the grown crystals of this work. 展开更多
关键词 A1. doping A1. SOLUTIONS A2. GROWTH from SOLUTIONS B2. Nonlinear OPTIC materials.
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电子束蒸发沉积CdS掺Cl^-薄膜及其性能研究 被引量:1
10
作者 陈哲 董连和 +1 位作者 孙艳军 冷雁冰 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期317-321,共5页
以CdS、CdCl2混合物为薄膜材料运用电子束蒸发法,制备了不同比例的CdS掺Cl-薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、四探针测试仪和紫外可见光光谱仪,对所制备薄膜的结构、光学及光电导性能进行了测试。结果表明:采用此方法制备的CdS薄膜为六角纤... 以CdS、CdCl2混合物为薄膜材料运用电子束蒸发法,制备了不同比例的CdS掺Cl-薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、四探针测试仪和紫外可见光光谱仪,对所制备薄膜的结构、光学及光电导性能进行了测试。结果表明:采用此方法制备的CdS薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于基底c轴的(002)晶面优势取向。Cl-掺杂摩尔分数为0.1%时可提高薄膜的结晶性且掺杂浓度变化对光能隙的影响很小,仅变化0.07eV;其中亮方块电阻最小值为100Ω/□,光敏性达到了2.9×105。说明经过Cl-的掺杂处理可以明显改善CdS薄膜结晶质量和光学及光电导性能。 展开更多
关键词 薄膜 太阳能电池 Cl-掺杂 CdS晶体 电子束蒸发法 光电性能
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Al轻掺杂对CaMnO3晶态材料结构与电迁移性质的影响研究
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作者 黄灿胜 房慧 +4 位作者 张飞鹏 张静文 施加利 杨新宇 张久兴 《分子科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期359-365,共7页
通过电子平面波函数密度泛函理论的计算分析方法系统研究了Ca位Al轻掺杂钙钛矿结构CaMnO3基晶态材料的晶体结构、电子结构和载流子迁移性质.结果表明,Al轻掺杂使得CaMnO3基晶态材料的晶格参数增大,在b轴方向上增大程度最高,在c轴方向上... 通过电子平面波函数密度泛函理论的计算分析方法系统研究了Ca位Al轻掺杂钙钛矿结构CaMnO3基晶态材料的晶体结构、电子结构和载流子迁移性质.结果表明,Al轻掺杂使得CaMnO3基晶态材料的晶格参数增大,在b轴方向上增大程度最高,在c轴方向上增大程度最小.Ca位Al轻掺杂之后,CaMnO3中的O-Mn-O八面体向2个O顶点方向拉长,八面体产生扭曲变形.Al轻掺杂前后的CaMnO3基晶态材料均为间接带隙半导体,其带隙宽度分别是0.713和0.695 eV,Al掺杂属于电子型掺杂.经过Al掺杂之后CaMnO3基晶态材料的导带有效质量大大提高.Al掺杂CaMnO3基晶态材料费米能以下,p状态态密度最高,s状态态密度最低;在费米能以上,d状态态密度最高,s状态态密度最低.Al掺杂大大提高了CaMnO3基晶态材料的载流子浓度.CaMnO3中O-Mn-O八面体中底平面上的O原子电子对载流子迁移过程的贡献大于顶点处的O原子电子贡献程度. 展开更多
关键词 CaMnO3 Al轻掺杂 结构 电子迁移性质
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