期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷
1
作者
胡小波
徐现刚
+8 位作者
李现祥
董捷
韩荣江
王丽
李娟
王继扬
田玉莲
黄万霞
朱佩平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期332-334,共3页
采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到对应较大Burgers矢量的微管。基于微管附近的应变场 ,并根据衍射几何 ,模拟计算了一系列具有不同Burgers...
采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到对应较大Burgers矢量的微管。基于微管附近的应变场 ,并根据衍射几何 ,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径 。
展开更多
关键词
6
h
-
sic
同步辐射单色光形貌术
半导体材料
晶格常数
下载PDF
职称材料
单面研磨6H-SiC单晶片的加工表面性能分析
被引量：
1
2
作者
潘继生
阎秋生
李伟
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2014年第6期1-6,共6页
采用硬基研磨盘对6H-SiC单晶片进行单面研磨,分析了晶片加工表面形貌和划痕特征。实验结果表明:采用铸铁盘相对于采用硬度较低的铜盘和铝盘研磨后的晶片表面较均匀。采用铸铁盘研磨时金刚石磨料和碳化硼磨料较适合单晶SiC的研磨加工。用...
采用硬基研磨盘对6H-SiC单晶片进行单面研磨,分析了晶片加工表面形貌和划痕特征。实验结果表明:采用铸铁盘相对于采用硬度较低的铜盘和铝盘研磨后的晶片表面较均匀。采用铸铁盘研磨时金刚石磨料和碳化硼磨料较适合单晶SiC的研磨加工。用M0.5/1.5金刚石磨粒研磨后,SiC单晶片表面的断裂凹坑密集而细小,但容易出现划痕和研磨不均匀,而且分散性差,团聚后容易使晶片表面产生大的划痕;实验条件下铸铁研磨盘比较适合M3/6以粗的金刚石磨料研磨。研磨过程中,磨粒的行为对表面质量有重要影响。切入较深的磨粒使工件产生微裂纹,从而导致工件表面产生滚压破碎凹坑、划擦痕迹和脆性断裂划痕;切入较浅的磨粒使工件产生微量塑性变形,而使晶片表面产生微量塑性去除划痕。
展开更多
关键词
6
h
-
sic
单晶片
研磨
表面质量
划痕
材料去除
下载PDF
职称材料
题名
同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷
1
作者
胡小波
徐现刚
李现祥
董捷
韩荣江
王丽
李娟
王继扬
田玉莲
黄万霞
朱佩平
机构
山东大学晶体材料国家重点实验室
北京高能物理研究所同步辐射实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期332-334,共3页
基金
国家自然科学基金 (No 60 0 2 5 0 49)
863计划资助项目
文摘
采用同步辐射单色光形貌术观察了 6H SiC单晶中的微管缺陷 ,发现晶片中Burgers矢量为 1c的螺位错具有较高的密度。此外 ,还观察到对应较大Burgers矢量的微管。基于微管附近的应变场 ,并根据衍射几何 ,模拟计算了一系列具有不同Burgers矢量的微管在形貌像中的直径 。
关键词
6
h
-
sic
同步辐射单色光形貌术
半导体材料
晶格常数
Keywords
sync
h
rotron
radiation
monoc
h
romatic
X-ray
topograp
h
y
6
h
-
sic
monocrystalline
micropipe
simulation
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
O782 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
单面研磨6H-SiC单晶片的加工表面性能分析
被引量：
1
2
作者
潘继生
阎秋生
李伟
机构
广东工业大学机电工程学院
出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2014年第6期1-6,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(U1034006
51375097
+1 种基金
51305082)
广东省教育部产学研结合项目(2012B091100283)
文摘
采用硬基研磨盘对6H-SiC单晶片进行单面研磨,分析了晶片加工表面形貌和划痕特征。实验结果表明:采用铸铁盘相对于采用硬度较低的铜盘和铝盘研磨后的晶片表面较均匀。采用铸铁盘研磨时金刚石磨料和碳化硼磨料较适合单晶SiC的研磨加工。用M0.5/1.5金刚石磨粒研磨后,SiC单晶片表面的断裂凹坑密集而细小,但容易出现划痕和研磨不均匀,而且分散性差,团聚后容易使晶片表面产生大的划痕;实验条件下铸铁研磨盘比较适合M3/6以粗的金刚石磨料研磨。研磨过程中,磨粒的行为对表面质量有重要影响。切入较深的磨粒使工件产生微裂纹,从而导致工件表面产生滚压破碎凹坑、划擦痕迹和脆性断裂划痕;切入较浅的磨粒使工件产生微量塑性变形,而使晶片表面产生微量塑性去除划痕。
关键词
6
h
-
sic
单晶片
研磨
表面质量
划痕
材料去除
Keywords
6
h
-
sic
monocrystalline
wafer
lapping
surface
quality
scratc
h
material
removal
分类号
TH161 [机械工程—机械制造及自动化]
TG74 [金属学及工艺—刀具与模具]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷
胡小波
徐现刚
李现祥
董捷
韩荣江
王丽
李娟
王继扬
田玉莲
黄万霞
朱佩平
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
2
单面研磨6H-SiC单晶片的加工表面性能分析
潘继生
阎秋生
李伟
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2014
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
