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分布式反馈激光器调制特性研究 被引量:10
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作者 王海旭 陈建冬 +5 位作者 常天英 郎金鹏 曾祥豹 高文智 孙韦 崔洪亮 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第6期836-840,共5页
为了深入了解分布式反馈激光器(DFB)的发光机理与调制特性,通过理论分析和实验对DFB的调谐特性进行了研究。得到FITEL和JDS Uniphase两款激光器调制电流与输出中心波长的对应关系和两种确定系数不同的拟合方程,证明了这两款DFB激光器在... 为了深入了解分布式反馈激光器(DFB)的发光机理与调制特性,通过理论分析和实验对DFB的调谐特性进行了研究。得到FITEL和JDS Uniphase两款激光器调制电流与输出中心波长的对应关系和两种确定系数不同的拟合方程,证明了这两款DFB激光器在实际应用中存在非线性关系。结果表明,FITELFRL15DCWD-A82激光器的3d B带宽与驱动电流幅值关系为3.715pm/m A;该调制结果优化了该激光器的可用相干长度,并验证了驱动信号频率变化不影响3d B光谱宽度。对DFB激光器低频调制特性的定量分析结果可为相干检测系统驱动电路设计提供实验依据。 展开更多
关键词 激光器 调谐 非线性 3db带宽
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高探测效率CMOS单光子雪崩二极管器件 被引量:6
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作者 王巍 鲍孝圆 +3 位作者 陈丽 徐媛媛 陈婷 王冠宇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期150-155,共6页
基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p+n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、... 基于标准0.35μm CMOS工艺设计了一种单光子雪崩二极管器件.采用p+n阱型二极管结构,同时引进保护环与深n阱结构以提高单光子雪崩二极管性能;研究了扩散n阱保护环宽度对雪崩击穿特性的影响;对器件的电场分布、击穿特性、光子探测效率、频率响应等特性进行了分析.仿真结果表明:所设计的单光子雪崩二极管器件结构直径为10μm,扩散n阱保护环宽度为1μm时,雪崩击穿电压为13.2 V,3 dB带宽可达1.6 GHz;过偏压为1 V、2 V时最大探测效率分别高达52%和55%;在波长500~800 nm之间器件响应度较好,波长为680 nm时单位响应度峰值高达0.45 A/W. 展开更多
关键词 单光子雪崩二极管 标准0.35μm CMOS工艺 保护环 深n阱 响应度 3db带宽 光子探测效率
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基于光子晶体光纤四波混频的光波长变换 被引量:5
3
作者 龚磊 尹飞飞 +2 位作者 陈宏伟 陈明华 谢世钟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1320-1323,共4页
研究了光子晶体光纤(PCF)中基于四波混频(FWM)的全光波长变换实现以及相应的变换效能。使用C-L波段内具有平坦正色散特性的高非线性PCF,对基于FWM效应的光波长变换进行了理论分析,根据相应原理进行了波长变换实验系统的软件仿真,并以此... 研究了光子晶体光纤(PCF)中基于四波混频(FWM)的全光波长变换实现以及相应的变换效能。使用C-L波段内具有平坦正色散特性的高非线性PCF,对基于FWM效应的光波长变换进行了理论分析,根据相应原理进行了波长变换实验系统的软件仿真,并以此为依据设计实验装置进行了实验验证。实验结果基本符合相应的理论计算以及系统仿真,在中心波长为1 5401、545以及1 550 nm的频带范围内分别得到了-17.381、-16.897和-17.787 dB的最高转换效率,分别对应181、7和13 nm的3dB转换带宽。 展开更多
关键词 四波混频(FWM) 波长变换 光子晶体光纤(PCF) 转换效率 3db带宽
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应变对啁啾光栅特性影响的研究 被引量:4
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作者 宁提纲 裴丽 简水生 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1011-1014,共4页
对光纤光栅在应力作用下光栅的中心波长、带宽、时延进行了研究,实验中发现光栅的中心波长、带宽随应力改变而呈线性变化,时延的线性度在光栅拉伸时变得更好,时延纹波减小,补偿量减小,光栅的反射率也减小。
关键词 啁啾光栅 光纤光栅 中心波长 时延 线性调谐 应力
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行波电极硅-有机复合集成电光调制器理论分析与实验研究
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作者 周子涵 巢萌 +7 位作者 苏鑫鑫 陈卓 刘若男 薄淑晖 李志华 武震林 赵明山 韩秀友 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第23期155-164,共10页
对基于行波电极的硅-有机复合集成电光调制器进行研究,构建调制器的波导电极结构模型,分析特征阻抗和微波有效折射率对调制器频率响应的影响。通过对电极结构的仿真优化,完成调制器芯片的设计与制备,研究电光聚合物材料的片上极化工艺,... 对基于行波电极的硅-有机复合集成电光调制器进行研究,构建调制器的波导电极结构模型,分析特征阻抗和微波有效折射率对调制器频率响应的影响。通过对电极结构的仿真优化,完成调制器芯片的设计与制备,研究电光聚合物材料的片上极化工艺,得到高性能硅-有机复合集成电光调制器。对研制调制器电极的电学S(Scatter)参数进行测试,分析得到的电极特征阻抗和有效折射率与仿真设计结果基本相符。测试得到电光调制器的3 dB带宽大于50 GHz。 展开更多
关键词 集成光学 电光调制器 硅-有机复合集成 行波电极 3 db带宽
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1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计 被引量:4
6
作者 彭红玲 韩勤 +1 位作者 杨晓红 牛智川 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期863-870,共8页
结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性... 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3μm量子点VCSEL结构. 展开更多
关键词 量子点 垂直腔面发射激光器 微分增益 3曲带宽
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高速高饱和InGaAs/InP单行载流子光电二极管 被引量:3
7
作者 夏力臣 高新江 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期169-173,共5页
 InGaAs/InP单行载流子光电二极管(UTC PD)是近年来研发的一种新型光电器件。UTC PD是一种由p型中性光吸收层和n型宽带隙集结层构成,并且只用电子作为有源载流子的光电二极管。详细地介绍了UTC PD的工作原理、结构设计、制作工艺及典...  InGaAs/InP单行载流子光电二极管(UTC PD)是近年来研发的一种新型光电器件。UTC PD是一种由p型中性光吸收层和n型宽带隙集结层构成,并且只用电子作为有源载流子的光电二极管。详细地介绍了UTC PD的工作原理、结构设计、制作工艺及典型应用。 展开更多
关键词 光纤通信 光电二极管 高饱和输出 3 db带宽 空间电荷效应 响应度
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甚低频发射天线动态调谐控制技术研究 被引量:3
8
作者 陈少昌 严亚龙 凌佳俊 《信息工程大学学报》 2015年第4期424-430,共7页
分析一种目前发达国家在甚低频发射天线上所采用的新型调谐电路,此电路包括开关控制模块和固定调谐模块。在以降低系统损耗为目的的前提下,通过自绕电感、选取低导通电阻开关等方法实现调谐电路来确保甚低频通信的技术要求。依次进行调... 分析一种目前发达国家在甚低频发射天线上所采用的新型调谐电路,此电路包括开关控制模块和固定调谐模块。在以降低系统损耗为目的的前提下,通过自绕电感、选取低导通电阻开关等方法实现调谐电路来确保甚低频通信的技术要求。依次进行调谐模型的建立、模型电路的仿真、实际测量方案的讨论、硬件电路的设计和系统的测试。实验表明:提出的新型调谐技术可有效降低系统损耗,采用动态调谐方式的天线带宽约为采用固定调谐方式带宽的4倍。 展开更多
关键词 甚低频通信 动态调谐 MSK 3db带宽
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LED Modulation Characteristics in a Visible-Light Communication System 被引量:2
9
作者 Yanrong Pei Shaoxin Zhu +4 位作者 Hua Yang Lixia Zhao Xiaoyan Yi Junxi Junxi Wang Jinmin Li 《Optics and Photonics Journal》 2013年第2期139-142,共4页
This paper conducts a research on modulation characteristics of blue light-emitting diodes (LEDs) used in a visible-light communication (VLC) system. Through analysis of the modulation characteristics of LEDs with dif... This paper conducts a research on modulation characteristics of blue light-emitting diodes (LEDs) used in a visible-light communication (VLC) system. Through analysis of the modulation characteristics of LEDs with different emitting sizes, we find that there is a similar linear relationship between LED’s 3dB bandwidth and the operation current density. This experiment also shows that high series resistance is one major issue that limits our LED's modulation speed. To further improve the LED bandwidth, the resistance can be reduced by optimizing device layout as well as reducing material bulk resistance. Clearly, this study provides an approach to increase the modulation bandwidth of GaN-based LEDs for VLC systems. 展开更多
关键词 LED VISIBLE-LIGHT Communication (VLC) MODULATION Characteristics 3db bandwidth Current Density
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10Gbit/sAPD/TIA探测器组件的设计 被引量:2
10
作者 胡靖 杨现文 +2 位作者 李世瑜 李林科 徐红春 《光通信研究》 北大核心 2009年第4期50-52,63,共4页
雪崩光电二极管(APD)光电探测器由于在灵敏度上的优势,在长距离高速数字通信系统中得到了广泛的应用。文章系统地描述了高速APD/TIA(跨阻抗放大器)探测器组件的光学与微波封装的设计要点,对完成封装后的10 Gbit/s APD/TIA探测器组件进... 雪崩光电二极管(APD)光电探测器由于在灵敏度上的优势,在长距离高速数字通信系统中得到了广泛的应用。文章系统地描述了高速APD/TIA(跨阻抗放大器)探测器组件的光学与微波封装的设计要点,对完成封装后的10 Gbit/s APD/TIA探测器组件进行了全面的测试,并对测试结果进行了分析。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 APD/TIA探测器组件 10GBIT/S -3db带宽 灵敏度
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SOI环形光波导谐振腔双层石墨烯调制器(英文) 被引量:2
11
作者 李艳娜 汤跃 +3 位作者 韦丽萍 王永华 刘耀英 薛晨阳 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期52-57,共6页
在片上光互连系统中,电光调制器起到将电信号调制为光信号的作用,是光互联系统中的核心部件之一。调制器的3dB带宽决定着载波所能携带的最大信息量,是衡量调制器性能的核心参数。利用石墨烯和高Q环形谐振腔设计成具有CMOS结构的新型调制... 在片上光互连系统中,电光调制器起到将电信号调制为光信号的作用,是光互联系统中的核心部件之一。调制器的3dB带宽决定着载波所能携带的最大信息量,是衡量调制器性能的核心参数。利用石墨烯和高Q环形谐振腔设计成具有CMOS结构的新型调制器,其集成了石墨烯的宽带吸收、载流子迁移率高等材料优势和高Q值环形光学谐振腔的光程放大的结构优势,通过理论计算,其3dB调制带宽可以达到100GHz。同时,基于微环谐振腔的石墨烯电光调制器结构可以方便的与光互联系统中的波分复用器相集成,从而提升片上光互联系统的集成度和降低技术复杂性。 展开更多
关键词 电光调制器 微环谐振腔 石墨烯 3db带宽
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一种用于视频信号处理的高速宽带运算放大器 被引量:2
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作者 甘明富 冯筱佳 王成鹤 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第6期779-783,共5页
基于高速亚微米互补双极工艺,设计了一种用于视频信号处理的高速宽带运算放大器。电路内部采用高速输入差分对、电流型放大单元、Rail-to-Rail输出单元等结构进行信号传输和放大。对开环增益提升、高速电压-电流信号转换、满摆幅输出设... 基于高速亚微米互补双极工艺,设计了一种用于视频信号处理的高速宽带运算放大器。电路内部采用高速输入差分对、电流型放大单元、Rail-to-Rail输出单元等结构进行信号传输和放大。对开环增益提升、高速电压-电流信号转换、满摆幅输出设计以及频率稳定性补偿等关键技术进行分析,利用Spectre软件进行仿真。流片后的测试结果表明,在±5V工作电压下,该放大器的-3dB带宽≥200 MHz,失调电压≤5mV,电源电流≤6mA,满足高速通信、高速ADC前端信号采集、视频信号处理等各种场合的应用需求。 展开更多
关键词 互补双极工艺 高速宽带运算放大器 电流型增益放大 -3db带宽 频率补偿
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GeSn红外光探测器性能参数模拟研究 被引量:1
13
作者 王晓利 李婉 +1 位作者 舒斌 胡辉勇 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2022年第4期63-67,共5页
目的 研究通过调整Sn组分提高GeSn红外探测器的性能,为其进一步发展和实现在光纤通信中的应用提供科学依据和设计思路。方法 基于GeSn合金设计并优化了光探测器,以期获得高的响应度和宽的响应波段。经过Silvaco软件仿真,建立了Ge基波导... 目的 研究通过调整Sn组分提高GeSn红外探测器的性能,为其进一步发展和实现在光纤通信中的应用提供科学依据和设计思路。方法 基于GeSn合金设计并优化了光探测器,以期获得高的响应度和宽的响应波段。经过Silvaco软件仿真,建立了Ge基波导型光探测器的初始模型,通过控制变量不断改变特征参数来优化器件,引入应变对材料进行能带改性。结果与结论通过改变GeSn合金中Sn的组分,GeSn红外光探测器的最大截止波长可达到2.25μm,同时理清了材料中的应变对探测器响应度、响应范围等性能的作用机制,获得了高响应度和响应范围的GeSn光电探测器件。 展开更多
关键词 光电探测器 GeSn合金 光响应度 3 db带宽
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崖层对单行载流子光电探测器的影响研究 被引量:2
14
作者 陈代尧 余学才 +1 位作者 汪平河 刘永 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期260-265,共6页
分析了崖层在单行载流子光电探测器(UTC-PD)中的作用,以及其对UTC-PD的3dB带宽的影响。研究结果表明,崖层使得异质结处电场强度增加,且电场向吸收区延伸,使电子在吸收区的渡越时间和积累程度降低,从而导致3dB带宽和饱和电流增加;崖层的... 分析了崖层在单行载流子光电探测器(UTC-PD)中的作用,以及其对UTC-PD的3dB带宽的影响。研究结果表明,崖层使得异质结处电场强度增加,且电场向吸收区延伸,使电子在吸收区的渡越时间和积累程度降低,从而导致3dB带宽和饱和电流增加;崖层的掺杂浓度和厚度都会对3dB带宽产生显著的影响;当崖层厚度与掺杂浓度的乘积一定,且收集区保持耗尽时,随着崖层厚度的增加(掺杂浓度减小),3dB带宽下降,但是,只要崖层的厚度不是太厚(通常为十几纳米到几十纳米),则无论是改变崖层厚度,还是改变掺杂浓度,3dB带宽的下降都可以忽略不计,即3dB带宽基本相等。 展开更多
关键词 探测器 崖层 单行载流子 3 db带宽
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Er^(3+)/Tm^(3+)共掺光纤放大器的模型和增益特性 被引量:1
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作者 占生宝 赵尚弘 +3 位作者 董淑福 方绍强 石磊 何凤 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期61-66,共6页
基于Er/Tm共掺石英光纤的能级跃迁及能量转移特性,建立了Er3+/Tm3+共掺石英光纤放大器的理论模型。采用离散算法,计算了自发辐射输出功率谱和放大器的信号增益。结果表明,依据模型计算的正向自发辐射输出功率谱与实验结果基本一致;输出... 基于Er/Tm共掺石英光纤的能级跃迁及能量转移特性,建立了Er3+/Tm3+共掺石英光纤放大器的理论模型。采用离散算法,计算了自发辐射输出功率谱和放大器的信号增益。结果表明,依据模型计算的正向自发辐射输出功率谱与实验结果基本一致;输出信号的3dB增益带宽随不同的光纤长度和泵浦功率而变化;当输入的泵浦功率为0.2W,信号功率为1μW时,Er3+/Tm3+共掺石英光纤放大器的3dB带宽可达到110nm。 展开更多
关键词 Er^3+/Tm^3+共掺 光纤放大器 3db带宽 增益
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速调管圆柱同轴谐振腔高阶TM_(310)模式输出回路 被引量:1
16
作者 董玉和 刘永霞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1093-1097,共5页
设计了工作于高阶横磁TM310模式圆柱同轴谐振腔。模拟计算了六个漂移管间隙中心轴向谐振电场极大值位置处的特性阻抗。对于谐振腔加载空矩形波导和加载电感膜片滤波器矩形波导两种速调管输出回路,由微波电路理论和高频电磁场软件分别模... 设计了工作于高阶横磁TM310模式圆柱同轴谐振腔。模拟计算了六个漂移管间隙中心轴向谐振电场极大值位置处的特性阻抗。对于谐振腔加载空矩形波导和加载电感膜片滤波器矩形波导两种速调管输出回路,由微波电路理论和高频电磁场软件分别模拟计算了漂移管间隙中心的平均间隙阻抗和输出带宽。两种情形间隙阻抗的最大值分别为48.757 kΩ和14.328 kΩ;间隙阻抗的3 dB带宽分别约为1.1MHz和2.8MHz。研究表明,单间隙圆柱同轴输出腔高阶横磁TM310模式结构适用于高频、窄带和高功率多注速调管输出回路。 展开更多
关键词 同轴谐振腔 高阶TM310模式 间隙阻抗 3 db带宽
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1.55μm短腔垂直腔面发射激光器的优化设计 被引量:1
17
作者 王志燕 贾护军 +4 位作者 毛周 李泳锦 成涛 裴晓延 孙哲霖 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期39-42,共4页
设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱... 设计了一种基于InP衬底的1.55μm短腔垂直腔面发射激光器(VCSEL),先从结构上对上下反射镜进行了优化设计,然后重点对谐振腔的腔长进行了优化,采用1λ短腔结构,用Matlab软件进行了仿真,结果表明:优化后的VCSEL器件的输出功率为2.22mW,饱和松弛响应频率fR,sat为34.5GHz,最大-3dB带宽为30.5GHz,与目前此波段的最大带宽(19GHz)相比,提高了约60%。 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 谐振腔 -3 db带宽
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快速响应的硅基纯相位液晶器件对动态大气湍流波前的校正能力研究 被引量:1
18
作者 刘超 胡立发 +3 位作者 曹召良 穆全全 彭增辉 宣丽 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第8期553-561,共9页
液晶相位调制器的响应时间延迟是影响液晶自适应光学系统性能的一个主要因素,为了提高系统的响应速度,开发了一种快速响应的向列相液晶材料,并制成了反射式硅基液晶器件(LCOS).分析了该LCOS的相位调制特性及其对静态畸变波前和扰动波前... 液晶相位调制器的响应时间延迟是影响液晶自适应光学系统性能的一个主要因素,为了提高系统的响应速度,开发了一种快速响应的向列相液晶材料,并制成了反射式硅基液晶器件(LCOS).分析了该LCOS的相位调制特性及其对静态畸变波前和扰动波前的校正能力.首先,测量了LCOS的电光响应特性,得出其780 nm相位调制量的响应时间为2 ms.其次,测量了LCOS的相位调制特性,并对相位调制进行了线性化处理.再次,测量了用该LCOS搭建的液晶自适应光学系统的闭环和开环3 dB带宽,它们分别为16和18 Hz.最后,给出了开环液晶自适应光学系统校正大气湍流的数值模拟结果,结果表明.系统的Strehl比由校正前的0.025上升到了校正后的0.225.因此,该液晶自适应光学系统可以对Greenwood频率为30 Hz以下的大气湍流进行较良好的校正. 展开更多
关键词 液晶相位调制器 自适应光学 波前校正 3 db带宽
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镀膜长周期光纤光栅的单峰宽带滤波特性
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作者 陈海云 顾铮■ 杨颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期179-185,共7页
镀膜长周期光纤光栅(LPFG)工作于相位匹配转折点时纤芯模与高次包层模的耦合产生单个宽带损耗峰,其3 dB带宽取决于纤芯模和包层模之间的色散差、光栅长度以及中心波长.研究表明,薄膜折射率和厚度的变化将影响纤芯模与包层模之间的色散差... 镀膜长周期光纤光栅(LPFG)工作于相位匹配转折点时纤芯模与高次包层模的耦合产生单个宽带损耗峰,其3 dB带宽取决于纤芯模和包层模之间的色散差、光栅长度以及中心波长.研究表明,薄膜折射率和厚度的变化将影响纤芯模与包层模之间的色散差,从而影响损耗峰的3 dB带宽,同时损耗峰中心波长亦随之移动.薄膜折射率为1.57,厚度为350 nm时,损耗峰带宽可达302 nm.减小光栅长度在保证中心波长损耗大于6 dB的前提下可使损耗峰3 dB带宽增大至334 nm.进一步研究表明,在均匀LPFG中偏离光栅中点的适当位置引入单个π相移可以使带宽增大至372 nm以上. 展开更多
关键词 长周期光纤光栅 相位匹配转折点 3 db带宽 相移长周期光纤光栅
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大带宽半导体光学放大器的理论分析
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作者 张瑞英 董杰 +2 位作者 张靖 冯志伟 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期941-946,共6页
提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大... 提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大的 TE模带宽 ,减小制备难度 .厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量 ,获得大的偏振不灵敏模式增益 . 展开更多
关键词 半导体光学放大器 渐变应变 偏振不灵敏 3db带宽 SOA 增益谱
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