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一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现 被引量:9
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作者 唐立田 张海英 +2 位作者 黄清华 李潇 尹军舰 《电子器件》 CAS 2009年第3期566-569,共4页
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标... 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)~(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。 展开更多
关键词 跨阻放大器 RGC结构 等效输入噪声电流谱密度 0.18μm cmos工艺
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10Gb/s 0.18μmCMOS光接收机前置放大器 被引量:4
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作者 黄茜 冯军 《电子器件》 EI CAS 2006年第1期29-32,共4页
采用TSMC0.18μmCMOS工艺,设计应用于SDH系统STM-64速率级(10Gbit/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗、宽带宽特点的RGC形式的跨阻放大器实现,同时在电路中引入有源电感实现并联峰化技术以拓展前置放大器的带宽。... 采用TSMC0.18μmCMOS工艺,设计应用于SDH系统STM-64速率级(10Gbit/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗、宽带宽特点的RGC形式的跨阻放大器实现,同时在电路中引入有源电感实现并联峰化技术以拓展前置放大器的带宽。整个电路采用1.8V单电压源供电。仿真结果表明:中频互阻增益为59.2dBΩ,-3dB带宽为9.08GHz。 展开更多
关键词 前置放大器 跨阻放大器 RGC 有源电感 光接收机 0.18 μm cmos工艺
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10Gb/s 0.18μm CMOS光接收机前端放大电路 被引量:3
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作者 金杰 冯军 王志功 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2003年第12期44-46,共3页
介绍了利用TSMC 0.18μm CMON工艺设计的应用于SDH STM-64速率级(10Gb/s)光接收机前端放大电路。该电路由前置放大器和作为主放大器的限幅放大器构成,其中前置放大器采用RGC形式的互阻放大器实现,限幅放大器采用改进的Cherry—Hooper结... 介绍了利用TSMC 0.18μm CMON工艺设计的应用于SDH STM-64速率级(10Gb/s)光接收机前端放大电路。该电路由前置放大器和作为主放大器的限幅放大器构成,其中前置放大器采用RGC形式的互阻放大器实现,限幅放大器采用改进的Cherry—Hooper结构。模拟结果表明该电路可以工作在10Gb/s速率上。 展开更多
关键词 光接收机 前置放大器 限幅放大器 cmos 工艺设计 放大电路 光纤通信系统
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基于CMOS工艺毫米波宽带片上天线 被引量:2
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作者 张豪 王磊 刘涓 《雷达科学与技术》 北大核心 2018年第4期451-456,共6页
设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺的94GHz频段宽带片上天线。该天线采用改进的单极子天线形式,以实现较宽的阻抗带宽。天线馈电形式采用共面集成波导(CPW)馈电结构,该结... 设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺的94GHz频段宽带片上天线。该天线采用改进的单极子天线形式,以实现较宽的阻抗带宽。天线馈电形式采用共面集成波导(CPW)馈电结构,该结构便于毫米波天线探针台测试系统测试。此外,通过采用全波仿真软件HFSS,对天线衬底尺寸对天线阻抗和辐射性能的影响进行对比分析。所设计的天线工作频带(|S11|≤-10dB)为74~117.6GHz,94GHz频点处的增益为1.35dBi。该天线具有工作频带宽、辐射性能好等特性,可实现天线与IC芯片的一体化片上集成,满足宽带无线通信系统或毫米波雷达系统高集成度、小型化的应用需要。 展开更多
关键词 毫米波 硅基片上天线 0.18μm互补金属氧化物半导体 宽带天线
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低电压低功耗伪差分两级运算跨导放大器设计 被引量:1
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作者 肖莹慧 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2018年第4期431-435,共5页
为了满足电池供电设备低功耗、低电压的要求,提出一种用于超低电压和低功率混合信号应用的、基于米勒补偿的两级全差分伪运算跨导放大器(OTA).该放大器电路使用标准的0.18μm数字CMOS工艺设计,利用PMOS晶体管的衬体偏置减小阈值电压,输... 为了满足电池供电设备低功耗、低电压的要求,提出一种用于超低电压和低功率混合信号应用的、基于米勒补偿的两级全差分伪运算跨导放大器(OTA).该放大器电路使用标准的0.18μm数字CMOS工艺设计,利用PMOS晶体管的衬体偏置减小阈值电压,输入和输出级设计为AB类模式以增大电压摆幅.将输入级用作伪反相器增强了输入跨导,并采用正反馈技术来增强输出跨导,从而增大直流增益.在0.5 V电源电压以及5 pF负载下对放大器进行模拟仿真.仿真结果表明,当单位增益频率为35 kHz时,OTA的直流增益为88 d B,相位裕量为62°.与现有技术相比,所提出的OTA品质因数改善了单位增益频率和转换速率,此外,其功耗仅为0.08μW,低于其他文献所提到的OTA. 展开更多
关键词 低电压低功耗 伪差分两级OTA 0.18μm cmos技术 AB类模式 米勒补偿 正反馈技术 单位增益频率 转换速率
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CMOS光接收机宽带前置放大器的设计 被引量:1
6
作者 王晓霞 王志功 刘继顺 《中国集成电路》 2006年第7期38-43,共6页
采用TSMC0.18μmCMOS工艺设计了光接收机宽带前置放大器。该前置放大器采用具有反馈特性的跨阻放大器实现,采用了RGC(RegulatedCasacoe)电路作为输入级,同时在电路中引入电感并联补偿的技术,以拓展前置放大器的带宽。仿真结果表明:1.8V... 采用TSMC0.18μmCMOS工艺设计了光接收机宽带前置放大器。该前置放大器采用具有反馈特性的跨阻放大器实现,采用了RGC(RegulatedCasacoe)电路作为输入级,同时在电路中引入电感并联补偿的技术,以拓展前置放大器的带宽。仿真结果表明:1.8V单电压源供电情况下,电路功耗15.2mW,中频互阻增益为58.4dBΩ,-3dB带宽可达到10.2GHz,可工作在10Gb/s速率。 展开更多
关键词 前置放大器 RGC 并联补偿 cmos工艺
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