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宽带电台中的CMOS自动增益控制设计 被引量:4
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作者 赵思棋 李斌 《无线电工程》 2016年第3期79-82,共4页
自动增益控制(AGC)环路能够实现对输出信号幅度的精确控制,是射频接收器中不可或缺的一部分。提出了一种用于射频宽带电台中的自动增益控制环路。针对自动增益控制环路,从可编程增益放大器(PGA)、可变增益放大器(VGA)和峰值比较器3个角... 自动增益控制(AGC)环路能够实现对输出信号幅度的精确控制,是射频接收器中不可或缺的一部分。提出了一种用于射频宽带电台中的自动增益控制环路。针对自动增益控制环路,从可编程增益放大器(PGA)、可变增益放大器(VGA)和峰值比较器3个角度论述了电路结构和设计方法。对AGC的功能实现和性能指标进行了仿真分析。仿真结果表明,该自动增益放大器在0.13μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺下,具有80 d B动态范围,增益步进为1 d B。 展开更多
关键词 RFIC 自动增益控制环路 动态范围 0.13μm cmos
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10Gb/s宽动态范围CMOS跨阻前置放大器 被引量:2
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作者 刘全 冯军 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1187-1191,共5页
采用UMC 0.13μm CMOS工艺,实现了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)光接收机的前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC(Regulated Cascode)作为输入级.同时,采用消直流技术来扩大输入信号的动态范围.在片测试结果表明:双... 采用UMC 0.13μm CMOS工艺,实现了一种应用于SDH系统STM-64(10Gb/s)光接收机的前置放大器.该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC(Regulated Cascode)作为输入级.同时,采用消直流技术来扩大输入信号的动态范围.在片测试结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为58.57dBΩ(848Ω),-3dB带宽为12GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为24.7pA/(Hz,1.2V单电压源下功耗为21.84mW,其中8mW来自输出缓冲.输入电压信号动态范围36.5dB(12mV~800mV).包括焊盘在内的芯片面积仅为0.462×0.566mm2. 展开更多
关键词 光接收机 前置放大器 跨阻放大器 自调整的共源共栅 消直流 宽动态范围 0.13μm cmos
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光通信用宽动态范围10Gb/s CMOS跨阻前置放大器 被引量:2
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作者 刘全 冯军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期264-267,共4页
采用UMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10 Gb/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC形式的跨阻放大器实现。同时,引入消直流电路来扩大输入信号的动态范围。后仿真结果表明:双端输出时中... 采用UMC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种应用于SDH系统STM-64(10 Gb/s)光接收机前置放大器。该前置放大器采用具有低输入阻抗特点的RGC形式的跨阻放大器实现。同时,引入消直流电路来扩大输入信号的动态范围。后仿真结果表明:双端输出时中频跨阻增益约为57.6 dBΩ,-3 dB带宽为10.7 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度为18.76 pA/sqrt(Hz),1.2V单电压源下功耗为21 mW,输入信号动态范围40 dB(10μA^1 mA)。芯片面积为0.462 mm×0.566 mm。 展开更多
关键词 光接收机 前置放大器 跨阻放大器 RGC 消直流 宽动态范围 0.13μm cmos
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一个低功耗IR-UWB 6~9GHz OOK发射机
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作者 李文嘉 《中国集成电路》 2016年第4期48-52,56,共6页
本文实现了一款应用于脉冲无线电超宽带系统的低功耗6~9 GHz开关键控(OOK)发射机。发射机由脉冲发生器、基于脉冲开/关的LC电压控制振荡器和输出缓冲器组成;为了便于与片外天线连接,输出缓冲器将差分信号转换成单端信号输出。芯片采用... 本文实现了一款应用于脉冲无线电超宽带系统的低功耗6~9 GHz开关键控(OOK)发射机。发射机由脉冲发生器、基于脉冲开/关的LC电压控制振荡器和输出缓冲器组成;为了便于与片外天线连接,输出缓冲器将差分信号转换成单端信号输出。芯片采用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现。测试结果表明最高数据率能达到500MHz,最大发射脉冲峰峰值达到260m V。满足FCC频谱规范时,消耗的电流为2.5m A@500 Mbps,约6p J/pulse。芯片面积为1.21×0.73mm2。 展开更多
关键词 脉冲超宽带 LC-VCO、OOK 发射机 0.13μm cmos
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基于0.13μm CMOS工艺的无源RFID标签模拟前端电路设计 被引量:1
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作者 朱红卫 彭敏 杜涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期65-69,101,共6页
设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能,整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、... 设计了13.56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路,采用常规0.13μm含EEPROM的CMOS工艺,设计了一种箝位电路,能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能,整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、载波中信号的提取、芯片时钟恢复和反向调制信号发射的全部功能。 展开更多
关键词 射频识别 模拟前端电路 13.56MHz 箝位电路 0.13m互补型金属氧化物半导体工艺
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10Gbit/s CMOS高增益限幅放大器设计
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作者 陈准 冯军 《电子器件》 CAS 2009年第1期65-67,共3页
利用UMC 0.13μm CMOS工艺设计了10 Gbit/s CMOS高增益限幅放大器。本次设计采用五级改进的Cherry-Hooper结构来提高电路的带宽增益积,运用两级输出缓冲来减少信号的上升下降时间。后仿真结果表明,在1.2 V的供电电压下,电路的功耗为70.8... 利用UMC 0.13μm CMOS工艺设计了10 Gbit/s CMOS高增益限幅放大器。本次设计采用五级改进的Cherry-Hooper结构来提高电路的带宽增益积,运用两级输出缓冲来减少信号的上升下降时间。后仿真结果表明,在1.2 V的供电电压下,电路的功耗为70.8 mW,获得了58.7 dB的增益和9 GHz的-3 dB带宽。输入动态范围为46 dB(6 mVpp^1 200mVpp)时,输出幅度保持在600 mVpp,上升下降时间(10%~90%)为29 ps。芯片的核心面积仅为285.8μm×148.9μm,总面积为665.3μm×515.3μm。 展开更多
关键词 光纤通信 限幅放大器 Cherry-Hooper结构 上升下降时间 0.13μmcmos工艺
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