热丝CVD生长SiCN薄膜的研究 被引量：11

1

作者 牛晓滨 廖源 +2 位作者 常超 余庆选 方容川 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期397-403,共7页

在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类... 在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程. 展开更多

关键词 HFCVD siCn薄膜 α-si3n4 化学气相沉积 纳米晶粒 薄膜生长

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α-Si_3N_4晶须的制备与分析 被引量：7

2

作者 曹阳 齐龙浩 潘伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第5期89-91,共3页

采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料。通过在 145 0℃氮气气氛下 ,2h的热处理 ,使无定型氮化硅转为α相氮化硅 ,并生长出α -Si3 N4 晶须。试验分析证明所得到的α -Si3 N4 晶须直径为 5 0～ 2 0 0nm ,无明显... 采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料。通过在 145 0℃氮气气氛下 ,2h的热处理 ,使无定型氮化硅转为α相氮化硅 ,并生长出α -Si3 N4 晶须。试验分析证明所得到的α -Si3 N4 晶须直径为 5 0～ 2 0 0nm ,无明显缺陷 ,其晶须生长方向为〈0 110〉。 展开更多

关键词 α-si3n4 晶须 制备 分析 等离子体 气相反应 无定型氮化硅

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控温活化燃烧合成α-Si_3N_4的动力学研究 被引量：6

3

作者 陈松林 杨筠 +3 位作者 林志明 李江涛 赵海雷 孙加林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期1345-1352,共8页

采用控温活化手段实现了燃烧合成α-Si3N4粉末.通过对反应温度特征曲线的分析,得出了Si-N体系的一系列燃烧反应动力学参数,包括燃烧波速、升温速率、绝热温升、惰性温升时间、惰性温降时间和转化率等,另外采用波速法和转化率法计算了该... 采用控温活化手段实现了燃烧合成α-Si3N4粉末.通过对反应温度特征曲线的分析,得出了Si-N体系的一系列燃烧反应动力学参数,包括燃烧波速、升温速率、绝热温升、惰性温升时间、惰性温降时间和转化率等,另外采用波速法和转化率法计算了该反应体系的活化能.这些参数将为进一步研究该反应的机理、优化燃烧合成工艺提供指导. 展开更多

关键词 α·si3n4 燃烧合成 动力学 活化能

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SHS法工艺参数对制备氮化硅粉体的影响 被引量：4

4

作者 王正军 李金富 +2 位作者 燕东明 王拥军 段关文 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2006年第6期23-26,共4页

本文采用自蔓燃高温合成方法（Self—propagating High—temperature Synthesis）简称（SHS）合成氮化硅粉体，借助于XRD、SEM等检测方法，分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释荆与孔隙率等方面的影响。结果表明：只要最... 本文采用自蔓燃高温合成方法（Self—propagating High—temperature Synthesis）简称（SHS）合成氮化硅粉体，借助于XRD、SEM等检测方法，分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释荆与孔隙率等方面的影响。结果表明：只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度，就可以用SHS方法合成Si3N4；氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应，必须要引入Si3N4稀释荆，来控制反应温度，以获得高α相含量的粉体。压坯气孔率控制在30％～70％，否则反应不能进行。研究发现SHS法可以制备纯度较高的氮化硅粉体。此法较传统方法合成的氮化硅设备简单，成本低廉，纯度高，填充性及烧结活性好。 展开更多

关键词 自蔓燃高温合成 α—si3n4 Β-si3n4

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工艺参数对自蔓燃制备氮化硅粉体的影响 被引量：4

5

作者 李金富 李康 +2 位作者 王拥军 燕东明 段关文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期252-255,272,共5页

采用自蔓燃高温合成方法（self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS）合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果... 采用自蔓燃高温合成方法（self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS）合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果表明：只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度（Tcom）,在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制：低温机制,中温机制,高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体;NH4Cl在反应中分解,为反应提供了NH3,并与硅粉反应;压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性好,烧结活性好. 展开更多

关键词 自蔓燃高温合成 燃烧温度 α-si3n4 Β-si3n4

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添加剂对Si粉直接氮化工艺中α-Si3N4含量的影响 被引量：4

6

作者 乐红志 田贵山 李素珍 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期370-375,共6页

通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉。本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉。经XRD和SE... 通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉。本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉。经XRD和SEM检测分析发现,添加适量NH4Cl、FeCl3可大幅提高Si3N4粉体中α-Si3N4的含量,最高可达88.3%,但FeCl3的含量过高时,则可显著降低α-Si3N4的含量。研究还发现添加NH4Cl、FeCl3还可降低Si粉发生氮化反应的起始温度。 展开更多

关键词 添加剂 si粉直接氮化 α-si3n4

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α-Si_3N_4陶瓷的液相烧结及其介电性能 被引量：2

7

作者 沈强 李君 +2 位作者 陈斐 陈常连 张联盟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期259-262,共4页

以MgO、Al2O3和SiO2作为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)方法制备密度可控的α-Si3N4陶瓷材料。讨论了SPS方法制备α-Si3N4陶瓷材料的烧结行为和烧结机理,以及烧结助剂添加量和烧结温度等影响因素与材料密度的关系。结果表明:当烧结... 以MgO、Al2O3和SiO2作为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)方法制备密度可控的α-Si3N4陶瓷材料。讨论了SPS方法制备α-Si3N4陶瓷材料的烧结行为和烧结机理,以及烧结助剂添加量和烧结温度等影响因素与材料密度的关系。结果表明:当烧结温度为1400～1500℃,烧结助剂添加量为9%～28.5%(质量分数,下同)时,可以制备出密度可控,且密度变化范围为2.48～3.09g/cm3的α-Si3N4陶瓷材料,试样的主相为α-Si3N4,烧结机理为SPS低温液相烧结,材料在频率为1MHz时的介电常数为5～7.5,与密度关系密切。 展开更多

关键词 放电等离子烧结(SPS) 液相烧结(LPS) α-氮化硅 烧结助剂 介电性能

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β-Si3N4涂层辅助定向生长高效多晶硅的研究

8

作者 糜长成 蔡延焕 +3 位作者 周兵 董慧 戚凤鸣 黄新明 《特种铸造及有色合金》 CAS 北大核心 2019年第8期823-827,共5页

Si3N4是铸造多晶硅锭常用的脱模材料,颗粒状的α相与棒状的β相是Si3N4涂层中常见的两种生成相。石英坩埚底部铺设的Si3N4涂层严重影响着晶体品质。采用α,β两种不同主导相的Si3N4制作涂层。结果表明,β相主导的Si3N4涂层,可以提高脱... Si3N4是铸造多晶硅锭常用的脱模材料,颗粒状的α相与棒状的β相是Si3N4涂层中常见的两种生成相。石英坩埚底部铺设的Si3N4涂层严重影响着晶体品质。采用α,β两种不同主导相的Si3N4制作涂层。结果表明,β相主导的Si3N4涂层,可以提高脱模和引晶效果,降低硅锭底部红区高度。 展开更多

关键词 α-si3n4 Β-si3n4 主导相 引晶 脱模

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LICVD法制备a-Si_3N_4纳米粒子光谱研究 被引量：2

9

作者 凤雷 郑韬 李道火 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期952-956,共5页

用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为１０ｎｍ 左右的ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子．红外吸收和喇曼光谱研究表明ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子中存在Ｓｉ—Ｎ，Ｓｉ—Ｈ，Ｎ—Ｈ，Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ键，分析了ａＳｉ３Ｎ４纳米粒子在不同的温... 用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为１０ｎｍ 左右的ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子．红外吸收和喇曼光谱研究表明ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子中存在Ｓｉ—Ｎ，Ｓｉ—Ｈ，Ｎ—Ｈ，Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ键，分析了ａＳｉ３Ｎ４纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况．并对ａＳｉ３Ｎ４ 纳米粒子胶体溶液的紫外可见吸收进行了测试分析． 展开更多

关键词 纳米材料 纳米粒子光谱 α-si3n4 LICVD

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碳热还原法合成α-Si_3N_4粉料研究 被引量：1

10

作者 庄又青 王俭 李文超 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期16-19,共4页

本文对α-Si_2N_4粉料合成工艺进行了详细研究。结果表明,氮化温度、氮化时间、起始原料C/SiO_2比及其比表面积均对α-Si_3N_4粉料的性能有显著影响。权衡粉料氮化率及产物得率,C/SiO_2=5时其氮化结果最好。碳粉比表面积对氮化过程有强... 本文对α-Si_2N_4粉料合成工艺进行了详细研究。结果表明,氮化温度、氮化时间、起始原料C/SiO_2比及其比表面积均对α-Si_3N_4粉料的性能有显著影响。权衡粉料氮化率及产物得率,C/SiO_2=5时其氮化结果最好。碳粉比表面积对氮化过程有强烈影响,增大的碳的比表面积可为SiO、N_2的吸附、反应及Si_3N_4的成核提供更多的机会。不用任何催化剂,采用C/SiO_2=5,原料比表面积大的样品在1400℃下氮化24h可获得氮含量达37wt%、氧含量小于4wt%、平均粒径为5.0μm的α-Si_3N_4粉料。 展开更多

关键词 碳热还原法 α-si3n4 氮化硅 粉末

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Si_3N_4-MgO-Al_2O_3的SPS制备及其力学性能 被引量：1

11

作者 李家亮 陈斐 +2 位作者 沈强 张联盟 姜洪义 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期87-90,164,共5页

利用氧化镁（MgO）和氧化铝（Al2O3）作为烧结助剂，采用放电等离子烧结（SPS）方法制备α-Si3N4陶瓷材料。讨论了SPS方法制备氮化硅材料的烧结行为和烧结机理，分析了烧结助剂添加量和烧结温度等影响因素与材料致密度的关系，利用XRD... 利用氧化镁（MgO）和氧化铝（Al2O3）作为烧结助剂，采用放电等离子烧结（SPS）方法制备α-Si3N4陶瓷材料。讨论了SPS方法制备氮化硅材料的烧结行为和烧结机理，分析了烧结助剂添加量和烧结温度等影响因素与材料致密度的关系，利用XRD分析了样品的物相组成，SEM观察了样品断口的显微结构，并且测试了样品的力学抗弯强度。结果表明：当烧结温度为1300～1500℃，烧结助剂含量为6％-10％时，可以制备出致密度变化范围为64％～96％的α-Si3N4陶瓷材料；当烧结助剂含量为10％时，材料在1400℃即可烧结致密，致密度可达到95％以上。烧结机理为SPS低温液相烧结。材料的力学强度为50-403MPa，并且与密度关系密切。 展开更多

关键词 放电等离子烧结(SPS) si3n4 烧结助剂 显微结构 力学性能

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Al催化剂辅助直流电弧法合成α-Si_3N_4纳米线

12

作者 王秋实 谢永辉 +1 位作者 王维龙 吴宛泽 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期816-821,共6页

采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO_2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si_3N_4纳米线。通过X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)对α-Si_3N_4纳米线的形貌和组分进行表征... 采用等离子体辅助直流孤光放电技术,以SiO_2粉和Si粉为反应原料,制备了大量纯度高α-Si_3N_4纳米线。通过X射线衍射(XRD)、能量色散X射线光谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外光谱(FTIR)对α-Si_3N_4纳米线的形貌和组分进行表征与分析。TEM和SEM分析显示合成的α-Si_3N_4纳米线直径为30~100 nm,长达几十微米,其生长沿着α-Si_3N_4的[001]方向生长,生长机制气-液-固(VLS)机制所控制。α-Si_3N_4纳米线光致发光光谱(PL)表明其具有一宽的发光带,具有良好的发光性能。 展开更多

关键词 α-si3n4 纳米线 电弧 光致发光

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稀释剂迭代加入对燃烧合成α-Si_3N_4的影响

13

作者 陈义祥 林志明 +1 位作者 杨筠 李江涛 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A03期90-93,共4页

在开发迭代燃烧合成这种新工艺的基础上,进一步研究了以迭代的方式加入稀释剂对燃烧合成Si_3N_4的作用和影响。研究表明,以迭代的方式加入Si_3N_4稀释剂,可以有效的控制燃烧反应的最高温度,能够实现以低a相含量的Si_3N_4粉体来制备出高... 在开发迭代燃烧合成这种新工艺的基础上,进一步研究了以迭代的方式加入稀释剂对燃烧合成Si_3N_4的作用和影响。研究表明,以迭代的方式加入Si_3N_4稀释剂,可以有效的控制燃烧反应的最高温度,能够实现以低a相含量的Si_3N_4粉体来制备出高a相含量的Si_3N_4粉体,从而使Si_3N_4产物的a相含量得到提高。同时发现,当稀释剂加入量x较小(x=0.375)时,稀释剂的a相含量对生成Si_3N_4产物的a相含量影响较大,当热力学因素和动力学因素的作用达到平衡时,产物中Si生成的a-Si_3N_4的转化率最高值达到89%;当加入稀释剂的量较大(如x≥0.40)时,稀释剂的这种作用不明显。适宜的稀释剂加入量x值应当在0.45左右。所得结果对工业化生产a-Si_3N_4粉体具有指导作用。 展开更多

关键词 α—si3n4 燃烧合成 稀释剂 迭代

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高能球磨-盐辅助氮化低温合成α-Si_3N_4粉体

14

作者 张晶 李红霞 刘国齐 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期739-743,共5页

以硅粉为原料,NaCl-NaF复合盐为反应介质和稀释剂,采用高能球磨-盐辅助氮化法制备出α-Si_3N_4粉体。研究了氮化温度、保温时间、盐硅比及复合盐中NaF含量对合成α-Si_3N_4的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)... 以硅粉为原料,NaCl-NaF复合盐为反应介质和稀释剂,采用高能球磨-盐辅助氮化法制备出α-Si_3N_4粉体。研究了氮化温度、保温时间、盐硅比及复合盐中NaF含量对合成α-Si_3N_4的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对产物的物相组成和显微结构进行了分析表征。结果表明:氮化温度为1 200℃、保温时间为4 h、盐硅比为2∶1、复合盐中NaF含量为10%时,硅粉完全氮化。合成的产物中存在大量的α-Si_3N_4晶须,晶须的直径为40～280 nm,长度为几微米到几十微米;晶须的生长机制为VC机制。 展开更多

关键词 α-si3n4 低温合成 高能球磨 盐辅助氮化 晶须

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α-Si3N4与SP1SiO2熔附比例对复合树脂性能的影响

15

作者 李保泉 李博 +3 位作者 谢金芳 耿文韬 李雪洋 李祥伟 《中华生物医学工程杂志》 CAS 2018年第6期410-414,共5页

目的 研究α-Si3N4与SP1SiO2熔附比例对复合树脂性能的影响.方法 将α-Si3N4晶须和SP1SiO2颗粒分别按0:1、1:5、1:2、1:1、2:1、5:1和1:0(Wt%)配比混合,800℃、30 min条件下熔附,环己烷溶液处理后与树脂基质按60 Wt%比例充分混合、聚合... 目的 研究α-Si3N4与SP1SiO2熔附比例对复合树脂性能的影响.方法 将α-Si3N4晶须和SP1SiO2颗粒分别按0:1、1:5、1:2、1:1、2:1、5:1和1:0(Wt%)配比混合,800℃、30 min条件下熔附,环己烷溶液处理后与树脂基质按60 Wt%比例充分混合、聚合及两种市售复合树脂制作挠曲强度试样、断裂韧性试样和硬度测定试样(n=5).测试试样挠曲强度、断裂韧性和硬度,进行试样断面扫描电子显微镜(SEM)形貌分析.结果 α-Si3N4晶须与SP1SiO2颗粒的熔附比例对复合树脂的挠曲强度和断裂韧性影响较大,挠曲强度随熔附比例增大呈现先增加后下降的趋势(均P<0.05),2:1组值最高,随后下降.断裂韧性从0:1至2:1组逐渐增大(均P<0.05),2:1组值最高,随后的5:1和1:0进入平台期.熔附比例对硬度和脆性影响较小,硬度基本无变化,脆性从0:1至1:1组逐渐降低(均P<0.05),随后进入平台期.断面SEM形貌与力学性能相符.结论 α-Si3N4晶须与SP1SiO2颗粒的最佳熔附比例为2:1. 展开更多

关键词 无机填料 复合树脂类 α-si3n4 SP1siO2 熔附比例 挠曲强度 断裂韧性

原文传递

熔附条件对牙科复合树脂中α-Si_3N_4结构及形态影响研究

16

作者 李保泉 张颖丽 +1 位作者 孙宏晨 杨柏 《现代口腔医学杂志》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期311-312,286,共3页

目的研究熔附温度和熔附时间对α-氮化硅晶须(α-Si3N4)结构及形态的影响。方法将α-Si3N4以250℃/h的升、降温速度升分别至500℃、650℃、800℃、950℃和1100℃并分别保持10min、30min和3h制作试样,进行结构及形态测试。结果α-Si3N4... 目的研究熔附温度和熔附时间对α-氮化硅晶须(α-Si3N4)结构及形态的影响。方法将α-Si3N4以250℃/h的升、降温速度升分别至500℃、650℃、800℃、950℃和1100℃并分别保持10min、30min和3h制作试样,进行结构及形态测试。结果α-Si3N4晶须经不同烧结温度和烧结时间处理后,晶型、表面的化学基团和形态未改变。结论熔附条件对α-Si3N4晶须结构、表面的化学基团及形态无影响。 展开更多

关键词 α-氮化硅晶须 熔附条件 结构 形态

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β-Si_3N_4含量对Y_2O_3-MgO-α-Si_3N_4陶瓷性能的影响 被引量：2

17

作者 李荐 李淳伟 +5 位作者 周宏明 黄祖琼 刘凡 李艳芬 杨俊 杨亮 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期91-93,共3页

利用扫描电子显微分析等手段,研究了棒状β-Si3N4含量对Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷致密度、力学性能和显微结构的影响,确定了β-Si3N4和α-Si3N4的适宜配比。结果显示:随着β-Si3N4含量的增加,Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷材料致密度和力学性能均... 利用扫描电子显微分析等手段,研究了棒状β-Si3N4含量对Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷致密度、力学性能和显微结构的影响,确定了β-Si3N4和α-Si3N4的适宜配比。结果显示:随着β-Si3N4含量的增加,Y2O3-MgO-α-Si3N4陶瓷材料致密度和力学性能均先增加后降低,当β-Si3N4含量达到40%时,陶瓷致密度和力学性能同时达到最大,此时致密度为93%,横向断裂强度为583.4 MPa,断裂韧性为5.42 MPa.m1/2。 展开更多

关键词 陶瓷 Β-si3n4 Y2O3-MgO-α-si3n4 力学性能 显微组织

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从Si-C-N非晶粉末制备α-Si_3N_4纳米线 被引量：1

18

作者 罗民 宋伟明 胡奇林 《宁夏大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第4期341-343,共3页

以溶胶-凝胶法合成了Si-C-N非晶前驱体粉末，在不添加催化剂的条件下，通过高温还原氮化反应制备了α-Si3N。纳米线．用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和扫描电镜（SEM）表征和分析了α-Si3N4纳米线．XRD分析表明，在所得产物中，... 以溶胶-凝胶法合成了Si-C-N非晶前驱体粉末，在不添加催化剂的条件下，通过高温还原氮化反应制备了α-Si3N。纳米线．用X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和扫描电镜（SEM）表征和分析了α-Si3N4纳米线．XRD分析表明，在所得产物中，除了未完全反应的非晶SiO2外，主要是α-SisNt，Si2N2O以及少量的β-SiC．TEM和SEM分析显示，合成的α-Si3N4纳米线直径为100～150nm，长几十μm，α-Si3N4纳米线的生长机制是气固（VS）生长机制。 展开更多

关键词 α-si3n4纳米线 溶胶-凝胶 非晶si-C-n粉末

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高温多次N^+注入硅形成晶态α-Si_3N_4研究

19

作者 柳襄怀 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期77-79,共3页

在1000℃高温下,经多次N+注入硅形成了晶态α-si_3N_4省去了常规SOI技术中的高温长时间热退火工艺。这对于简化工艺步骤、降低工艺温度和缩短工艺时间有实际意义。

关键词 晶态α-si3n4 高温 注入工艺

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无氧溶胶-凝胶反应合成SiCN干凝胶及陶瓷研究

20

作者 谢皎 李亚利 +1 位作者 候峰 安海娇 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期228-231,共4页

采用含高化学活性基团的乙烯基三氯硅烷(CH2=CHSiCl3)和双(三甲基硅基)碳化二亚胺[Me3Si-N=C=N-SiMe3(BTSC)]作前驱体,在室温的氩气氛下于甲苯中进行缩合化学反应,形成稳定透明SiCN溶胶体系,溶胶经过陈化,形成三维空间结构的SiCN凝胶,... 采用含高化学活性基团的乙烯基三氯硅烷(CH2=CHSiCl3)和双(三甲基硅基)碳化二亚胺[Me3Si-N=C=N-SiMe3(BTSC)]作前驱体,在室温的氩气氛下于甲苯中进行缩合化学反应,形成稳定透明SiCN溶胶体系,溶胶经过陈化,形成三维空间结构的SiCN凝胶,最后在高温条件下裂解形成SiCN陶瓷。结果表明干凝胶在800℃时裂解为致密的无定型SiCN陶瓷,并在1400℃析晶出棒状α-Si3N4,陶瓷产率为68%(质量分数,下同)。 展开更多

关键词 无氧溶胶-凝胶 siCn陶瓷 棒状α-si3n4 陶瓷产率 致密体

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