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面内场对处于直流偏磁场压缩状态下的IID畴壁中布洛赫线链的影响
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作者 王洪信 唐贵德 聂向富 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1997年第2期137-139,共3页
实验研究了面内场Hip对处于直流偏场Hb压缩状态下ID畴壁中的垂直布洛赫线(VBL)链的影响.发现存在一个阈值直流偏场(Hb)th,当Hb<(Hb)th时,使ID开始转变为ID、OHB和SB的临界面内场(Hip)ID... 实验研究了面内场Hip对处于直流偏场Hb压缩状态下ID畴壁中的垂直布洛赫线(VBL)链的影响.发现存在一个阈值直流偏场(Hb)th,当Hb<(Hb)th时,使ID开始转变为ID、OHB和SB的临界面内场(Hip)ID、(Hip)OHB、(Hip)SB以及使VBL全部解体的临界面内场H′ip与Hb无关.当Hb>(Hb)th时。 展开更多
关键词 面内场 哑铃畴 布洛赫线链 畴壁 石榴石磁泡膜
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