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MEMS负电晕放电气体传感器 被引量：2
1
作者 张金英 杨天辰 +3 位作者 何秀丽 高晓光 贾建 李建平 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第8期508-514,共7页
设计并制备了一种基于负电晕放电原理及微机电系统(MEMS)技术的多针-板型气体传感器。研究了电极间距对传感器放电特性的影响,综合考虑起晕电压、信号输出范围及稳定放电范围,优化电极间距为120μm。测试了传感器在体积分数均为6×1... 设计并制备了一种基于负电晕放电原理及微机电系统(MEMS)技术的多针-板型气体传感器。研究了电极间距对传感器放电特性的影响,综合考虑起晕电压、信号输出范围及稳定放电范围,优化电极间距为120μm。测试了传感器在体积分数均为6×10^(-4)的乙酸、异丙醇、乙醇和丙酮四种有机气体中的放电特性,传感器对乙酸气体响应最灵敏。测试了传感器在-0.91 kV放电电压下对乙酸气体的敏感特性。结果表明,该传感器对不同体积分数的乙酸气体的响应具有较好的线性关系,对体积分数为10^(-6)的乙酸气体的响应约为0.61 mV,理论检测限(三倍噪声)约为1.2×10^(-5)。传感器对乙酸气体响应灵敏度高、重复性好。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 气体传感器 硅尖阵列 负电晕放电 多针-板结构
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真空微电子触觉传感器场致发射阵列的研究
2
作者 温志渝 何清义 +2 位作者 江永清 林鹏 蒋子平 《重庆大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1998年第4期12-16,共5页
阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺，在电阻率为３～５Ω·ｃｍ的ｎ型（１００）硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列，锥尖密度达３９００... 阐述了真空微电子触觉传感器的工作原理。采用半导体集成电路加工技术和硅微各向异性腐蚀及氧化锐化工艺，在电阻率为３～５Ω·ｃｍ的ｎ型（１００）硅片上制备了真空微电子触觉传感器的场致发射阴极锥尖阵列，锥尖密度达３９００个／ｍｍ２，起始发射电压为２～３Ｖ，反向击穿电压大于３０Ｖ，收集极在２０Ｖ在电压时，单尖发射电流达０．２μＡ，实验结果表明这种真空微电子触觉传感器具有良好的触觉效应。 展开更多
关键词 场致发射 锥尖陈列 真空微电子 触觉传感器
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ZnO修饰多针-板结构负电晕放电气体传感器 被引量：1
3
作者 杨天辰 张金英 +3 位作者 何秀丽 高晓光 贾建 李建平 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第7期458-464,共7页
基于负电晕放电原理的气体传感器利用局部高压电场将目标气体电离,根据电离特性对气体进行识别。采用MEMS技术制备硅尖阵列电极,利用电喷ZnO纳米颗粒对电极表面进行修饰,结合金平板正电极构建了多针-板结构电晕放电气体传感器。研究了... 基于负电晕放电原理的气体传感器利用局部高压电场将目标气体电离,根据电离特性对气体进行识别。采用MEMS技术制备硅尖阵列电极,利用电喷ZnO纳米颗粒对电极表面进行修饰,结合金平板正电极构建了多针-板结构电晕放电气体传感器。研究了电极间距对传感器负电晕放电特性的影响,综合考虑起晕电压、信号输出范围及稳定放电范围,优化电极间距为100μm。测试了在-0.70 kV放电电压下传感器对乙酸气体的敏感特性。该传感器对乙酸气体的响应灵敏度约为1.05 mV/10-6,理论检测限(三倍噪声)约为8.6×10-6,测试范围内传感器响应同乙酸气体体积分数近似呈线性关系。实验结果表明,ZnO纳米颗粒修饰减小了放电尖端曲率半径,增加了放电尖端个数,消除了硅尖阵列之间高度和顶端曲率半径的差异,从而有效降低了起晕电压,提高了传感器对乙酸气体响应灵敏度及电晕放电的稳定性。 展开更多
关键词 负电晕放电 微电子机械系统(MEMS) 硅尖阵列 ZnO修饰 气体传感器
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硅尖阵列的制备及其在真空微电子加速度计中的应用(英文)
4
作者 李东玲 尚正国 +1 位作者 王胜强 温志渝 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期74-78,共5页
针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜(SEM)观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH... 针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜(SEM)观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH腐蚀液中添加I2和KI,显著减小了削角速率,得到了呈"火箭尖"的硅尖阵列。各向同性腐蚀采用HNA腐蚀液,腐蚀的硅尖呈埃菲尔铁塔形。通过调整腐蚀液配比,氧化锐化后,硅尖尖端曲率半径小于15nm。该硅尖阵列已成功应用于真空微电子加速度计之中。 展开更多
关键词 硅尖阵列 湿法腐蚀 氧化锐化 真空微电子加速度计
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硅基场发射阴极材料研究进展 被引量：6
5
作者 富笑男 李新建 《科学技术与工程》 2005年第3期165-173,共9页
场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解... 场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解决方案和未来的发展趋势做出了评述。 展开更多
关键词 硅基场致发射阴极材料 硅尖锥形阴极阵列 场发射
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