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杂质在铜电解精炼中的电化学行为 被引量:9
1
作者 鲁道荣 《有色金属》 CAS CSCD 2002年第4期51-52,62,共3页
采用稳态法与循环伏安法研究电解液中杂质砷、锑、铋、铁、镍、锌等离子在铜电解精炼中的电化学行为。结果表明 ,电解液中的砷、锑、铋、铁、镍、锌等离子能降低阴极铜沉积反应的交换电流密度、极限电流密度、伏安峰电流密度 ,使峰电势... 采用稳态法与循环伏安法研究电解液中杂质砷、锑、铋、铁、镍、锌等离子在铜电解精炼中的电化学行为。结果表明 ,电解液中的砷、锑、铋、铁、镍、锌等离子能降低阴极铜沉积反应的交换电流密度、极限电流密度、伏安峰电流密度 ,使峰电势负移 ,对阴极铜沉积反应起极化作用 ,但杂质离子几乎不影响铜沉积反应的电荷传递系数 。 展开更多
关键词 电解精炼 杂质 交换电流密度 极限电流密度 峰电流密度 电荷传递参数 炼铜
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峰值电流密度对脉冲镀镍钴合金纳米镀层机械性能的影响 被引量:7
2
作者 李云东 江辉 +1 位作者 娄伟 王玲 《电镀与涂饰》 CAS CSCD 2008年第9期1-3,8,共4页
研究了峰值电流密度对脉冲镍钴合金纳米镀层的成分、晶粒尺寸、显微硬度、抗拉强度的影响。结果发现:在一定范围内,峰值电流密度的增大,可以降低镀层钴含量、表面粗糙度和晶粒尺寸,使菜花胞状结构更明显,提高镀层显微硬度(最高可达600kg... 研究了峰值电流密度对脉冲镍钴合金纳米镀层的成分、晶粒尺寸、显微硬度、抗拉强度的影响。结果发现:在一定范围内,峰值电流密度的增大,可以降低镀层钴含量、表面粗糙度和晶粒尺寸,使菜花胞状结构更明显,提高镀层显微硬度(最高可达600kg/mm2)和抗拉强度(最高可达1200MPa)。然而,峰值电流密度太大又会使显微硬度和强度下降。与采用类似方法制得的纯镍纳米镀层相比,镍钴镀层的显微硬度并未明显升高。这说明在该纳米材料中,固溶强化效果并不很明显,而以细晶强化为主。 展开更多
关键词 镍钴合金 纳米镀层 脉冲电沉积 峰值电流密度 显微结构 机械性能
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YBa_2Cu_3O_(7-δ)熔融织构样品的磁响应研究 被引量:5
3
作者 王峰 孙国庆 +3 位作者 孔祥木 单磊 金新 张宏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1590-1595,共6页
对YBa2 Cu3O7-δ熔融织构样品在不同温度、不同磁场 不同外场扫描速率下进行了磁滞回线测量 ,获得了电流密度J(T ,B) ,lnE lnJ曲线以及热激活能U0 (T ,B)随温度、磁场的变化关系 ,从而分析了该样品磁响应特性 ,特别是第二峰 (简称峰 )... 对YBa2 Cu3O7-δ熔融织构样品在不同温度、不同磁场 不同外场扫描速率下进行了磁滞回线测量 ,获得了电流密度J(T ,B) ,lnE lnJ曲线以及热激活能U0 (T ,B)随温度、磁场的变化关系 ,从而分析了该样品磁响应特性 ,特别是第二峰 (简称峰 )受外场扫描速率的影响 ,探讨了峰形成的真正原因 ,以及影响峰位置。 展开更多
关键词 磁响应 熔融织构 峰效应 界电流密度 高温超导体
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基于共振隧穿理论的GaAs基RTD的设计与研制 被引量:4
4
作者 武一宾 杨瑞霞 +5 位作者 杨克武 商耀辉 卜夏正 牛晨亮 赵辉 王建峰 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期189-192,共4页
以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计。用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制备,X射线双晶衍射(XRD)分析表明,制备的异质结界面光滑、层厚... 以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对GaAs/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计。用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制备,X射线双晶衍射(XRD)分析表明,制备的异质结界面光滑、层厚准确。RTD采用台面结构,器件特性测试结果表明,峰值电流密度为112 kA/cm2时,电流峰-谷比达到8.25。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管(RTD) 电流峰-谷比 分子束外延(MBE) 峰电流密度 共振能级的透射系数半峰宽(HWHM)
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峰值电流密度对脉冲电沉积Ni-Co-CNTs复合镀层机械性能的影响 被引量:3
5
作者 王栋 张秀丽 +1 位作者 赵汉雨 李云东 《电镀与环保》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期22-25,共4页
研究了峰值电流密度对脉冲电沉积Ni-Co-CNTs复合镀层机械性能的影响。结果表明:当峰值电流密度升高时,镀层表面变得粗糙;随着峰值电流密度的增加,镀层中碳的质量分数先增加后下降,当峰值电流密度为80 A/dm^2时,镀层中碳的质量分数达到... 研究了峰值电流密度对脉冲电沉积Ni-Co-CNTs复合镀层机械性能的影响。结果表明:当峰值电流密度升高时,镀层表面变得粗糙;随着峰值电流密度的增加,镀层中碳的质量分数先增加后下降,当峰值电流密度为80 A/dm^2时,镀层中碳的质量分数达到最大值;镀层的显微硬度和抗拉强度均在峰值电流密度为100 A/dm^2附近时达到其最大值,且高于直流电沉积时所得镀层的显微硬度值和抗拉强度值。说明采用脉冲电沉积工艺可以提高镀层的机械性能。 展开更多
关键词 脉冲电沉积 峰值电流密度 碳纳米管 显微硬度 抗拉强度
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基于MOCVD生长材料的高电流密度太赫兹共振隧穿二极管 被引量:2
6
作者 车相辉 梁士雄 +5 位作者 张立森 顾国栋 郝文嘉 杨大宝 陈宏泰 冯志红 《电子技术应用》 2019年第8期32-33,39,共3页
为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温... 为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接技术,制作了InP基共振遂穿二极管器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度>400kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)>2.4。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 峰值电流密度 峰谷电流比
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CSES卫星观测的赤道电集流特征 被引量:1
7
作者 周云良 杨艳艳 +4 位作者 朱劼 熊超 王丰珏 泽仁志玛 申旭辉 《地球物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期4141-4151,共11页
本文利用2018年8月到2019年12月期间我国张衡一号电磁监测试验卫星(CSES)所观测的地磁数据,反演了赤道电集流(EEJ)电流密度的纬度剖面;通过选取的4729个清晰的EEJ事件,分析了在地方时(LT)14∶00附近的EEJ特征.研究结果表明:在地磁平静期... 本文利用2018年8月到2019年12月期间我国张衡一号电磁监测试验卫星(CSES)所观测的地磁数据,反演了赤道电集流(EEJ)电流密度的纬度剖面;通过选取的4729个清晰的EEJ事件,分析了在地方时(LT)14∶00附近的EEJ特征.研究结果表明:在地磁平静期间,CSES卫星观测的EEJ电流密度的峰值位于磁赤道附近,其平均幅度约为27 mA·m^(-1).该幅度小于CHAMP和Swarm卫星的观测结果,这与2018—2019年期间太阳活动水平较低(平均F_(10.7)指数约为70 sfu)有关,此外也与CSES轨道所处的地方时相关.平均而言,EEJ的主瓣宽度约为4°,主瓣和旁瓣的峰值电流密度之比约为2.7;在本文所关注的事件中,东向EEJ事件约占83%,西向EEJ事件约占17%;这个比例与CHAMP卫星的观测结果稍有不同,与14∶00 LT附近西向EEJ出现的概率较低有关.东向EEJ的峰值电流密度对经度、季节和太阳辐射水平有显著的依赖性.EEJ峰值密度随经度变化呈现明显的4波结构,可归因于低层大气非迁移潮汐的作用.EEJ峰值电流密度有明显的季节依赖,其幅度在春秋分较大,冬夏季较小.在2018—2019年期间,尽管太阳活动水平较低,EEJ峰值密度随太阳辐射水平的增加而增加. 展开更多
关键词 赤道电集流 张衡一号电磁卫星 地磁观测 峰值电流密度
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基于电沉积法回收废水中铝离子的最佳工艺参数分析 被引量:2
8
作者 蔡俊 《当代化工》 CAS 2021年第5期1069-1073,共5页
基于电沉积法,针对某铝箔生产企业所产生的高含铝离子废水,通过不同峰值电流密度下形成的电沉积试样的相关电化学曲线测试结果和镀层中的Al质量分数分析,确定所采用电沉积法的最佳峰值电流密度为9 A·dm^(-2),此时沉积层中铝质量分... 基于电沉积法,针对某铝箔生产企业所产生的高含铝离子废水,通过不同峰值电流密度下形成的电沉积试样的相关电化学曲线测试结果和镀层中的Al质量分数分析,确定所采用电沉积法的最佳峰值电流密度为9 A·dm^(-2),此时沉积层中铝质量分数为33.21%,原子数量占比为24.69%。 展开更多
关键词 电沉积法 峰值电流密度 电化学 成分分析
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Pr替代YPBCO超导单晶的峰效应研究 被引量:1
9
作者 金刚 秦正平 +2 位作者 曹世勋 张金仓 姚忻 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期44-47,共4页
采用TSSG法在1 atm氧气氛下生长出Y1-xPrxBa2Cu3O7(x=0.07215)超导单晶样品;测量了该单晶样品在不同温度下的磁特性;根据Bean临界态模型,计算出不同温度下的临界电流密度Jc对磁场H的依赖关系;在对该样品的直流磁化研究中观测到了峰效应... 采用TSSG法在1 atm氧气氛下生长出Y1-xPrxBa2Cu3O7(x=0.07215)超导单晶样品;测量了该单晶样品在不同温度下的磁特性;根据Bean临界态模型,计算出不同温度下的临界电流密度Jc对磁场H的依赖关系;在对该样品的直流磁化研究中观测到了峰效应。随着温度的降低,样品的临界电流密度明显增加。 展开更多
关键词 YPBCO单晶 峰效应 Pr替代 临界电流密度
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高含量氮掺杂碳纳米管的合成及NO电氧化
10
作者 李丽 史克英 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 2010年第1期55-59,共5页
为研制NO检测灵敏度高的电极修饰材料,以吡啶和尿素为碳源和氮源,以Fe-MgO为催化剂,在NH3下于800~900℃采用CVD法原位合成了氮掺杂碳纳米管(CNx-NTs),确定了氮的原子分数为7.05CNx-NTs的最佳合成条件.通过对透射电镜(TEM)、x-射线光电... 为研制NO检测灵敏度高的电极修饰材料,以吡啶和尿素为碳源和氮源,以Fe-MgO为催化剂,在NH3下于800~900℃采用CVD法原位合成了氮掺杂碳纳米管(CNx-NTs),确定了氮的原子分数为7.05CNx-NTs的最佳合成条件.通过对透射电镜(TEM)、x-射线光电子能谱(XPS)、x-射线衍射分析仪(XRD)和Raman光谱进行研究,结果表明所合成的CNx-NTs随着反应温度的降低有序度减小,管壁缺陷增加.循环伏安法研究的NO在碳纳米管修饰电极上的电氧化行为结果表明:NO在CNx-NTs修饰电极上的电氧化活性均高于未掺杂氮的多壁碳纳米管(MWCNTs),其中,氮原子分数为7.05的CNx-NTs修饰电极的电氧化峰电位最小,峰电流密度最大,反应活性较大.该电极上NO检测的灵敏度最高,是一种比较理想的电极修饰材料. 展开更多
关键词 氮掺杂 多壁碳纳米管 吡啶型N 石墨型N 修饰电极 NO电氧化 峰电位 峰电流密度
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基于改良Pan-Tompkins算法的心磁R波定位方法
11
作者 王睿奇 封燮 +1 位作者 张斌珍 汤苏晋 《舰船电子工程》 2024年第7期29-34,共6页
针对传统的心电图检查对心脏区域结构不敏感性以及心磁检测中多周期R峰难以定位的问题,该文提出一种改进的Pan-Tompkins算法,旨在精确定位R波并分析心磁信号。通过对心磁信号和心电信号进行预处理,并运用Savitz⁃ky-Golay滤波器和LOF算... 针对传统的心电图检查对心脏区域结构不敏感性以及心磁检测中多周期R峰难以定位的问题,该文提出一种改进的Pan-Tompkins算法,旨在精确定位R波并分析心磁信号。通过对心磁信号和心电信号进行预处理,并运用Savitz⁃ky-Golay滤波器和LOF算法处理信号及检测异常点,该方法可高精度识别R波位置。利用有限元模型逆问题求解方法,推测心脏内电流密度分布,进而获取磁场图和伪电流密度矢量图。在30个样本共计7348个心动周期中,改进的Pan-Tomp⁃kins算法成功识别7321个R波,准确率高达99.63%。该方法可应用于MCG的R波识别和心磁病理分析,对于研究心脏电活动的时空演化规律和机制具有重要意义。 展开更多
关键词 心脏磁场 R峰定位 异常点检测 超导量子干涉 二维电流密度分布
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硅基底上热解法生长CNT薄膜的强流脉冲发射特性 被引量:4
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作者 曾凡光 李昕 +5 位作者 左曙 夏连胜 谌怡 刘星光 张篁 张锐 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期609-611,共3页
采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征。测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为... 采用酞菁铁高温热解方法在直径为5cm的硅基底上生长了定向CNT薄膜,并对其强流脉冲发射特性进行了表征。测试结果表明,在单脉冲条件下,当宏观场强为11.7V/μm时,发射脉冲电流的峰值约为109.4A;而在双脉冲模式下,当第一脉冲峰值宏观场强为8.6V/μm,第二脉冲峰值宏观场强为5.4V/μm时,第一脉冲和第二脉冲峰值电流分别约为117.2和720.8A。第二电流脉冲的电流峰值出现放大效应,放大倍数约为6.15倍。 展开更多
关键词 热解法 碳纳米管薄膜 强流脉冲发射 峰值电流密度
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双脉冲磁控溅射峰值靶电流密度对TiN薄膜结构与力学性能的影响 被引量:3
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作者 时惠英 杨超 +2 位作者 蒋百灵 黄蓓 王迪 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期927-934,共8页
自主研发了双脉冲磁控溅射技术,提出在一个脉冲周期内电流呈阶梯式上升的双脉冲电场设计理念,通过对2个脉冲阶段持续时间和峰值靶电流密度的调配,既满足提高镀料粒子动能与离化率以制备高性能薄膜的工艺要求,又达到增加脉冲持续时间以... 自主研发了双脉冲磁控溅射技术,提出在一个脉冲周期内电流呈阶梯式上升的双脉冲电场设计理念,通过对2个脉冲阶段持续时间和峰值靶电流密度的调配,既满足提高镀料粒子动能与离化率以制备高性能薄膜的工艺要求,又达到增加脉冲持续时间以提高薄膜沉积速率的效能目标。采用双脉冲磁控溅射技术,在后期脉冲阶段的不同峰值靶电流密度下制备4组TiN薄膜,研究了峰值靶电流密度对薄膜微观结构和力学性能的影响。结果表明,将峰值靶电流密度提高至0.87 A/cm^2时,所制备的TiN薄膜呈现出颗粒细小且致密的组织,平均晶粒尺寸为17 nm。同时,薄膜的显微硬度和膜基结合力可分别达29.5 GPa和30.0 N。 展开更多
关键词 TIN薄膜 双脉冲磁控溅射技术 双脉冲电场 峰值靶电流密度 力学性能
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锌电解中移风填谷送电制度的实践 被引量:2
14
作者 董润忠 贾乙东 张维林 《有色冶金节能》 2006年第3期43-45,共3页
叙述了某厂利用峰、谷、平电价的差异,采用新的送电制度安排生产的实例,提出了锌电解工序按移峰填谷操作应该具备的条件和采取的措施。
关键词 锌电解 移峰填谷 电流密度
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青铜合金成分与合金的阳极行为 被引量:3
15
作者 张长桥 吴佑实 +3 位作者 方梅仙 冷霞 吕伟 范崇政 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期23-26,42,共5页
铸造不同成分的铜锡合金,通过人为腐蚀,利用LSV(电位扫描)、XRD、SEM等多种手段进行分析,结果表明:1)含Sn量为10%左右的青铜器在酸性含Cl-环境中易产生晶间腐蚀生成粉状锈,而20%~40%含Sn量的青铜合... 铸造不同成分的铜锡合金,通过人为腐蚀,利用LSV(电位扫描)、XRD、SEM等多种手段进行分析,结果表明:1)含Sn量为10%左右的青铜器在酸性含Cl-环境中易产生晶间腐蚀生成粉状锈,而20%~40%含Sn量的青铜合金无明显晶间腐蚀现象出现;2)含Sn量高于10%的合金,在NaCl溶液中在低电位处出现欠电位阳极电流峰(UPC),且形成V型CaCl晶相的电极表面膜。在较正电位处,铜锡合金及纯铜出现主阳极电流峰(MPC),并形成较稳定的构型不同于V型CuCl的表面CuCl铜盐保护膜。 展开更多
关键词 青铜合金 晶间腐蚀 阳极电流峰
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非掺杂区对GaAs隧道结的优化
16
作者 张曦 韩颖 +2 位作者 杨建业 师巨亮 夏英杰 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第6期369-373,共5页
有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(J_p)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键。根据有限表面源扩散原理求解Fick扩散方程得到了隧道结界面处杂质扩散浓度分布,发现隧道结界面处的杂质扩散会增加空间电荷区宽度,导致... 有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(J_p)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键。根据有限表面源扩散原理求解Fick扩散方程得到了隧道结界面处杂质扩散浓度分布,发现隧道结界面处的杂质扩散会增加空间电荷区宽度,导致隧道结的J_p降低。通过在隧道结中间加入非掺杂区(Ⅰ区)的方法对隧道结结构进行优化,分析得出厚度合适的Ⅰ区可以减小界面处杂质扩散带来的不利影响。基于该分析设计了一系列GaAs隧道结结构,采用分子束外延(MBE)技术获得了外延样品,结果表明在生长温度和掺杂浓度不变的情况下,隧道结中加入合适厚度的Ⅰ区可以提高J_p。 展开更多
关键词 隧道结 峰值隧道电流密度 非掺杂区 杂质扩散 分子束外延(MBE)
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Nanoengineering of Flux Pinning Sites in High-T_c Superconductors
17
作者 M.R.Koblischka 《Tsinghua Science and Technology》 SCIE EI CAS 2003年第3期280-291,共12页
Volume pinning forces were determined for a variety of bulk high-Tc superconductors of the 123-type from magnetization measurements. By means of scaling of the pinning forces, the acting pinning mechanisms in various ... Volume pinning forces were determined for a variety of bulk high-Tc superconductors of the 123-type from magnetization measurements. By means of scaling of the pinning forces, the acting pinning mechanisms in various temperature ranges were identified. The Nd-based superconductors and some YBCO crystals exhibited a dominating pinning of the δTc-type (i.e. , small, superconducting pinning sites). In contrast to this, the addition of insulating 211 particles provided pinning of the δ/-type; providing effective pinning in the entire temperature range acting as a 'background' pinning mechanism for the peak effect. Due to the small coherence lengths of the high-Tc compounds, effective pinning sites are defects or particles of nanometer size relative to ζ3. Integral magnetic measurements of the magnetization as a function of temperature in large applied magnetic fields (up to 7 T) revealed that practically all high-Tc compounds were spatially inhomogeneous, which could be caused by oxygen deficiency (YBCO), solid solutions of Nd/Ba (NdBCO and other light rare earth compounds), intergrowths (Bi-based superconductors), and doping by pair-breaking dopants like Zn, Pr. This implies that the superconducting sample consists of stronger and weaker superconducting areas, coupled together. In large applied fields, this coupling gets broken and the magnetization versus temperature curves revealed more than one superconducting transition. In contrast, irradiation experiments by neutrons, protons, and heavy-ions enabled the artificial introduction of very effective pinning sites into the high-Tc superconductors, thus creating a large variety of different observations using magnetic data. From all these observations, we construct a pinning diagram for bulk high-Tc superconductors explaining many features observed in high-Tc samples. 展开更多
关键词 flux pinning critical current densities peak effect spatial variations of the transition temperature nanoengineering of pinning sites
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