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The Printing and Firing Process of Al Paste in PTC Ohmic Contact Electrodes
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作者 梁飞 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2004年第3期26-28,共3页
Al electrodes are well known as ohmic contact electrodes for the PTC component , the influence of their thickness on final component properties was investigated by comparing their ohmic characteristics with the ones ... Al electrodes are well known as ohmic contact electrodes for the PTC component , the influence of their thickness on final component properties was investigated by comparing their ohmic characteristics with the ones of InGa electrodes . After observing the Al paste physical and chemical behaviors during rising temperature by thermal analysis (DTA), the firing operation of Al electrodes could be divided into three main subsections: the temperature rising time (t-r), the peak firing temperature (T-p) and the hold time at peak firing temperature (t-h). The effects of these three parameters on final component properties were discussed in detail. 展开更多
关键词 PTC thermistor Al electrodes ohmic contact characteristics printing and firing process
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晶格匹配InAlN/GaN异质结Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的温度依赖特性
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作者 汪照贤 闫大为 +1 位作者 张丹丹 顾晓峰 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1130-1134,共5页
在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特性研究方块电阻(R_(sh))和比接触电阻率(ρ_(sc))的温度依赖特性.结果表明:(1)沟道层的R_(sh)对温度呈指... 在硅衬底晶格匹配In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结外延片上制备了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触传输线模型测试结构,通过测试变温电流-电压特性研究方块电阻(R_(sh))和比接触电阻率(ρ_(sc))的温度依赖特性.结果表明:(1)沟道层的R_(sh)对温度呈指数依赖关系,幂指数约-2.61,主要由高温下半导体的晶格散射机制决定;(2)300~523 K的变温范围内,ρ_(sc)随温度上升呈先增大后减小的趋势;当温度低于350 K时,ρ_(sc)的温度依赖关系主要由TiN合金的类金属特性决定;而在更高的温度下,热场发射机制将逐渐占主导.基于以上2种模型的并联形式对实验数据进行了拟合,并分析了提取的重要物理参数. 展开更多
关键词 晶格匹配 InAlN/GaN异质结 欧姆接触 温度依赖特性 类金属特性 热场发射
原文传递
多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究 被引量:1
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作者 崔虹云 张海丰 +3 位作者 吴云飞 李祖君 王超 董艳红 《黑龙江工程学院学报》 CAS 2013年第1期71-74,共4页
采用LPCVD和PECVD方法制作单层金属铝的多晶硅纳米膜欧姆接触,并用X射线对其表征,说明铝膜具有多晶结构。在温度为450℃的条件下,分别对5min、20min和40min的不同退火时间进行测试,得到在20min时Ⅰ-Ⅴ特性曲线表现出好的欧姆接触,构成... 采用LPCVD和PECVD方法制作单层金属铝的多晶硅纳米膜欧姆接触,并用X射线对其表征,说明铝膜具有多晶结构。在温度为450℃的条件下,分别对5min、20min和40min的不同退火时间进行测试,得到在20min时Ⅰ-Ⅴ特性曲线表现出好的欧姆接触,构成线性关系,方块电阻达1kΩ,与接触电阻率相吻合,传输长度变到15μm,接触电阻为30Ω,说明电流的传导能力变强。 展开更多
关键词 多晶硅纳米膜 欧姆接触 I—V特性
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