系列脉冲偏场作用下哑铃畴的行为 被引量：2

1

作者 孙会元 陆伟 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第1期47-49,共3页

该文研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ⅠＤ、ⅡＤ）在系列脉冲偏场作用下的行为，发现哑铃畴在系列脉冲偏场作用下，随脉冲偏场幅度的增加会出现改变方向以及丢失ＶＢＬ的现象．

关键词 多枝畴 哑铃畴 磁泡 脉冲偏场

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三类硬磁畴畴壁结构分析

2

作者 孙会元 李志青 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第2期31-33,60,共4页

实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结构的一致性，证明了直流偏场作用下硬磁畴缩灭时ＶＢＬ间的平衡间距随温度的升高而增大。

关键词 垂直布洛赫线 硬磁泡 哑铃畴 磁畴 畴壁结构

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3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性 被引量：2

3

作者 郭革新 马丽梅 +2 位作者 唐贵德 孙会元 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期357-359,共3页

研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界... 研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 .对同一样品而言 ,3类硬磁畴的起始临界温度是相同的 ,而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的 .在临界温度范围内 ,3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的 。 展开更多

关键词 硬磁畴 普通硬磁泡 哑铃畴 畴壁 垂直布洛赫线 温度稳定性 临界温度

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脉冲偏场对形成正、负VBL的影响 被引量：1

4

作者 孙会元 聂向富 刘子军 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第3期39-41,共3页

实验研究了哑铃畴在固定旋转脉冲偏场作用下的特性，发现了影响正、负ＶＢＬ形成的条件，对于固定直流偏场下得到的硬磁畴，认为正、负ＶＢＬ的形成，只与硬化脉冲偏场的脉冲宽度（τｐ）ｂ有关。

关键词 垂直布洛赫线 哑铃畴 畴壁 硬化偏场 硬磁畴

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枝状畴形成的哑铃畴在系列脉冲偏场作用下的一些行为

5

作者 倪振成 孙会元 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1998年第2期185-187,共3页

实验研究了由多枝畴收缩而成的哑铃畴（ＩＤ，ＩＤ）在系列脉冲偏场作用下的一些旋转行为以及丢失ＶＢＬ的现象．

关键词 多枝畴 哑铃畴 硬磁泡 脉冲偏场 VBL

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直流偏磁场对第二类哑玲畴长度的影响

6

作者 唐贵德 王洪信 +1 位作者 徐继东 聂向富 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第5期68-69,共2页

本文通过研究直流偏磁场Ｈｂ对标称成份为（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ１２石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴（ＩＤ）长度的影响，观察到：１）ＩＤ的长度随Ｈｂ的升高而缩短；２）经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降，ＩＤ... 本文通过研究直流偏磁场Ｈｂ对标称成份为（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）５Ｏ１２石榴石磁泡材料中第二类哑铃畴（ＩＤ）长度的影响，观察到：１）ＩＤ的长度随Ｈｂ的升高而缩短；２）经过直流偏场从低到高两次大幅度地准静态升降，ＩＤ长度与Ｈｂ的关系曲线基本重合；３）随着Ｈｂ的升高，直至ＩＩＤ缩灭的过程中，较长ＩＤ与较短ＩＤ的长度比变化不大．这些实验现象暗示。 展开更多

关键词 磁泡膜 哑铃畴 石榴石磁泡材料 直流偏磁场

全文增补中

石榴石磁泡膜中哑铃畴缩灭行为的进一步研究

7

作者 王洪信 张文羽 +2 位作者 张向牧 杨书芬 唐贵德 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第4期30-32,共3页

通过对于第一类哑铃畴（ＩＤ）缩灭行为的实验研究，发现在直流偏场增加的过程中，ＩＤ以稳定的圆形畴存在的直流偏场范围ΔＨｂ随着其条泡转变场的增加而减小，直至趋于零．

关键词 磁泡 哑铃畴 布耕种 赫线 磁畴 磁泡膜 缩灭

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直流偏磁场作用下VBL消失机制探讨

8

作者 唐贵德 刘英 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1995年第S1期150-152,共3页

以实验为依据，在Ｔｈｉｅｌｅ磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上，通过对畴壁能进行修正，研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡转变和缩灭问题，从能量表达式出发算出了硬磁畴的缩灭场和最大缩灭场，并首次解释了... 以实验为依据，在Ｔｈｉｅｌｅ磁泡静力学理论和垂直布洛赫线均匀旋转模型的基础上，通过对畴壁能进行修正，研究了直流偏磁场作用下泡状硬磁畴的条泡转变和缩灭问题，从能量表达式出发算出了硬磁畴的缩灭场和最大缩灭场，并首次解释了第二类哑铃畴以条畴形态缩灭的现象。从而系统地解释了这些多年来未能解释的实验现象。 展开更多

关键词 磁泡 垂直布洛赫线 硬泡畴 哑铃畴

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温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响

9

作者 孙会元 韩志勇 +2 位作者 乔伟番 胡海宁 聂向富 《河北科技大学学报》 CAS 2000年第2期1-3,12,共4页

详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。

关键词 哑铃畴 垂直布洛赫线 磁畴壁 温度 薄膜

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含Lu磁泡膜中的第一类哑铃畴的自发收缩

10

作者 崔树稳 张丽娇 《沧州师范学院学报》 2003年第2期45-47,共3页

实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴(ID)在直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象,这种现象只能在一定的Hb和一定的Hip范围内发生,而且在自发收缩过程中伴随着垂直布洛赫线(VBL)的丢失。晶向不同... 实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴(ID)在直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象,这种现象只能在一定的Hb和一定的Hip范围内发生,而且在自发收缩过程中伴随着垂直布洛赫线(VBL)的丢失。晶向不同,直流偏场和面内场范围也不同。实验还发现ID哑铃畴自发收缩与其在面内场中所处的方向无关,含Lu样品大的阻尼系数使得短的哑铃畴先缩泡,长的后缩泡。这与不含Lu样品中哑铃畴的自发收缩现象有很大的不同,由此认为VBL的稳定性与样品的成分有关。 展开更多

关键词 哑铃畴 自发收缩 Lu样品 磁泡膜 垂直布洛赫线 磁畴壁

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旋转脉冲偏场下哑铃畴中VBL的特性

11

作者 岂云开 顾建军 +1 位作者 贾莲芝 孙会元 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期61-63,共3页

实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的V... 实验研究了顺时针、逆时针转动的哑铃畴(ID,IID)畴长与缩灭场的关系.结果显示,顺时针转动和逆时针转动的哑铃畴的缩灭场明显不同.对于同样畴长的ID,IID,顺时针转动的缩灭场高,较稳定,对应负的VBL;逆时针转动的缩灭场低,不稳定,对应正的VBL.实验首次验证了正、负布洛赫线模型是合理的. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 哑铃畴 畴长 缩灭场

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面内磁场和直流偏磁场共同作用下第Ⅱ类哑铃畴的稳定性 被引量：1

12

作者 唐贵德 孙会元 +2 位作者 聂向富 王洪信 赵白 《南开大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期50-54,共5页

实验研究了面内磁场Hip对处于直流偏磁场Hb作用下的第Ⅱ类哑铃畴（ⅡD）的稳定性的影响．发现当Hb小于阈值（Hb）tb时，使ⅡD向其它种类硬磁畴或软泡转变的临界面内磁场不随Hb而改变；当Hb大于（Hb）th时，临界面内磁场开始下降．

关键词 稳定性 硬磁畴 第Ⅱ类 哑铃畴 面内磁场

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面内场对处于直流偏磁场压缩状态下的IID畴壁中布洛赫线链的影响

13

作者 王洪信 唐贵德 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第2期137-139,共3页

实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场（Ｈｉｐ）ＩＤ... 实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ＩＤ畴壁中的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链的影响．发现存在一个阈值直流偏场（Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ＜（Ｈｂ）ｔｈ时，使ＩＤ开始转变为ＩＤ、ＯＨＢ和ＳＢ的临界面内场（Ｈｉｐ）ＩＤ、（Ｈｉｐ）ＯＨＢ、（Ｈｉｐ）ＳＢ以及使ＶＢＬ全部解体的临界面内场Ｈ′ｉｐ与Ｈｂ无关．当Ｈｂ＞（Ｈｂ）ｔｈ时。 展开更多

关键词 面内场 哑铃畴 布洛赫线链 畴壁 石榴石磁泡膜

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磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

14

作者 赵淑梅 蔡丽景 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2012年第2期147-150,共4页

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软... 利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足. 展开更多

关键词 磁畴 哑铃畴 垂直布洛赫线 磁泡 硬磁畴

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温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

15

作者 徐建萍 刘素平 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期35-38,共4页

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)<Hip<ip(T),H(2)ip(T)]... 实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)<Hip<ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,IID畴壁中VBL稳定存在;当H(1)H(2)ip(T)时,IIDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,IID畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小. 展开更多

关键词 液相外延石榴石磁泡薄膜 温度 临界面内场 布洛赫线 硬磁畴 第Ⅱ类哑铃畴

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温度对Ⅰ类哑铃畴缩灭场的影响

16

作者 刘英 关秉彝 +1 位作者 聂向富 唐贵德 《青海师范大学学报（自然科学版）》 1989年第3期16-19,共4页

通过对不同温度下Ⅰ类哑铃畴缩灭场的测量。发现它(Hcol)随温度(T)的升高而降低,但比普通硬磁泡的Hcol-T曲线更陡峭些;另外,还测量了Ⅰ类哑铃畴在不同温度下的缩灭场分布。

关键词 Ⅰ类哑铃畴 缩灭场

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