采用传统固相反应法,在1290℃的烧结温度下,制备了掺入0.05 mol%Sm2O3的Ba Hf0.02Ti0.98O3陶瓷,分别对独立排塑后烧结的陶瓷样品和非独立排塑得到的陶瓷样品的室温微观结构、表面形貌、压电性能、介电性能和铁电性能进行了测试分析.结...采用传统固相反应法,在1290℃的烧结温度下,制备了掺入0.05 mol%Sm2O3的Ba Hf0.02Ti0.98O3陶瓷,分别对独立排塑后烧结的陶瓷样品和非独立排塑得到的陶瓷样品的室温微观结构、表面形貌、压电性能、介电性能和铁电性能进行了测试分析.结果表明：两种排塑过程制备的陶瓷样品均为四方结构,晶格常数基本一致;但样品晶粒尺寸不同,非独立排塑的过程限制了晶粒的生长,晶粒尺寸较为均匀,约为1.94~3.52μm;而独立排塑后烧结得到的样品压电性能要优于排塑与烧结过程连续进行的样品,d33=116 p C/N,=116,tanεδ=0.024,Pr=6.33μC/cm2,Ec=0.535 k V/mm,Kp=0.303.展开更多
文摘采用传统固相反应法,在1290℃的烧结温度下,制备了掺入0.05 mol%Sm2O3的Ba Hf0.02Ti0.98O3陶瓷,分别对独立排塑后烧结的陶瓷样品和非独立排塑得到的陶瓷样品的室温微观结构、表面形貌、压电性能、介电性能和铁电性能进行了测试分析.结果表明：两种排塑过程制备的陶瓷样品均为四方结构,晶格常数基本一致;但样品晶粒尺寸不同,非独立排塑的过程限制了晶粒的生长,晶粒尺寸较为均匀,约为1.94~3.52μm;而独立排塑后烧结得到的样品压电性能要优于排塑与烧结过程连续进行的样品,d33=116 p C/N,=116,tanεδ=0.024,Pr=6.33μC/cm2,Ec=0.535 k V/mm,Kp=0.303.
