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BESIII剂量率在线检测和保护系统读出电子学设计 被引量：7
1
作者 杨世明 龚光华 +1 位作者 邵贝贝 李金 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期434-437,共4页
为保护束流管,BESIII将使用PIN硅光电二极管来实时检测对撞点附近的剂量率水平,其中的信号读出电子学采用电流A/D转换方案。对几种弱电流放大与测量方法进行了比较,主要介绍了电流A/D方法的工作原理、软硬件实现以及实际性能。
关键词 A/D转换 积分放大器 DDC112 pin硅光电二级管
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硅光电二极管飞秒激光损伤的实验研究 被引量：5
2
作者 罗福 辛建婷 +1 位作者 李玉同 李英骏 《应用激光》 CSCD 北大核心 2003年第6期345-347,共3页
对 6 0飞秒 80 0nm激光辐照下硅PIN光电二极管的信号饱和、损伤及失效进行了实验测量。实验得到硅PIN光电二极管的失效阈值为 1.2J/cm2 ,损伤阈值比失效阈值低一个量级。飞秒脉冲辐照后 ,存在 10 -4s量级的饱和时间 ,辐照后对信号光的... 对 6 0飞秒 80 0nm激光辐照下硅PIN光电二极管的信号饱和、损伤及失效进行了实验测量。实验得到硅PIN光电二极管的失效阈值为 1.2J/cm2 ,损伤阈值比失效阈值低一个量级。飞秒脉冲辐照后 ,存在 10 -4s量级的饱和时间 ,辐照后对信号光的响应在短时间内出现不规则变化 ,在长时间内随脉冲能量密度增大而降低。 展开更多
关键词 激光辐照 硅光电二极管 信号饱和 损伤 失效阈值 飞秒激光
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并联PiN二极管的温度频率特性建模与分析 被引量：3
3
作者 李晓玲 冉立 +2 位作者 曾正 胡博容 邵伟华 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第18期5405-5414,共10页
针对风电变流器等应用场景,随着功率等级的不断提升,硅PiN二极管的并联使用问题日益突出。然而,并联硅PiN二极管器件的静态参数具有分散性,并联器件间的线路布局存在不均衡性,这些因素都导致并联器件间的电流分布不均,进而引起器件间的... 针对风电变流器等应用场景,随着功率等级的不断提升,硅PiN二极管的并联使用问题日益突出。然而,并联硅PiN二极管器件的静态参数具有分散性,并联器件间的线路布局存在不均衡性,这些因素都导致并联器件间的电流分布不均,进而引起器件间的损耗和发热不一致,使并联PiN二极管工作于不同的结温。相应地,结温差异会对二极管的反向恢复过程产生影响,并进一步影响并联器件间的电流和结温分布,甚至危害器件和变流器的安全稳定。该文以硅PiN二极管分立器件为研究对象,计及温度影响,建立正向导通损耗和反向恢复损耗的数学模型,以阐释温度对并联PiN二极管电–热平衡的调节机制。然后,针对大注入电流的运行工况,基于导通损耗与反向恢复损耗对温度所呈现出的相反趋势,结合二极管开关频率和工作结温之间的内在制约机制,提出决定并联二极管结温差异发展趋势的“零温度–频率特性”概念。最后,利用实验展示不同温度、不同电流等级下的温度–频率特性,验证该特性的正确性。通过构建并联二极管开关频率与热稳定极限的关系,可为硅PiN二极管的并联设计和使用提供参考,并为模块封装中的结温在线监测提供方法。 展开更多
关键词 硅pin二极管 并联 温度影响 反向恢复
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PIN半导体剂量率探测器的研究 被引量：3
4
作者 杨世明 李金 +1 位作者 宫辉 邵贝贝 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期310-312,218,共4页
利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京... 利用大面积PIN硅光电二极管作为探测器,对北京正负电子对撞机BEPCI在同步辐射运行、束流注入、束流切断等情况下对撞区的辐射水平进行测量,并分析辐射本底的强度、来源及特点;研究PIN半导体探测器在BEPCI对撞区的工作状况,为第三代北京谱仪BESIII的剂量率在线检测奠定基础。 展开更多
关键词 剂量率 束流管 pin硅光电二级管 暗电流
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a-SiTFT/PIN图像传感器件 被引量：2
5
作者 赵颖 熊绍珍 +2 位作者 李璟 周祯华 李俊峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期83-90,共8页
在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN... 在模拟计算以 a- Si TFT为有源开关 ,以 a- Si PIN为光敏源的有源成像器件工作特性与各单元元件关系的基础上 ,详细讨论了单元器件的材料、物理参数对 a- Si TFT/PIN耦合对特性的影响 ,并给出一定试验结果 .用 L ED光源照射 a- Si PIN的光电转换率可达 18.1n A/lx,a- Si 展开更多
关键词 有源选址 非晶硅薄膜晶体管 非晶硅光敏二极管 图像传感器
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i基区渐变掺杂SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性模拟
6
作者 祁慧 高勇 +2 位作者 余宁梅 马丽 安涛 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第4期437-442,共6页
提出了在SiGe/Si异质结开关功率二极管的本征i区中采用掺杂浓度三层渐变式结构。由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正向I-V特性基本不发生改变的前提下,与i区固定掺杂结构相比具有更好的反向恢复电流与反向恢复电压特性,尤其软... 提出了在SiGe/Si异质结开关功率二极管的本征i区中采用掺杂浓度三层渐变式结构。由Medici模拟所得的特性曲线表明,该结构在正向I-V特性基本不发生改变的前提下,与i区固定掺杂结构相比具有更好的反向恢复电流与反向恢复电压特性,尤其软恢复特性更加明显,反向恢复过程加快。还对渐变掺杂所得到的优越性能进行了分析,从理论上给出了较好的解释。 展开更多
关键词 siGE/si异质结 开关功率二极管 渐变掺杂 MEDICI 软恢复 pin二极管
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两种新结构SiGe/Si功率二极管特性模拟
7
作者 祁慧 高勇 +2 位作者 余宁梅 马丽 安涛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期168-172,228,共6页
提出了在 n- 区中采用掺杂浓度三层渐变式结构 Si Ge/Si功率二极管及台面结构的 Si Ge/Si功率二极管。由 Medici模拟所得的特性表明 ,在采用 n- 区渐变掺杂结构的 p+ ( Si Ge) -n- -n+ 功率二极管中 ,在正向特性基本不发生变化的前提下 ... 提出了在 n- 区中采用掺杂浓度三层渐变式结构 Si Ge/Si功率二极管及台面结构的 Si Ge/Si功率二极管。由 Medici模拟所得的特性表明 ,在采用 n- 区渐变掺杂结构的 p+ ( Si Ge) -n- -n+ 功率二极管中 ,在正向特性基本不发生变化的前提下 ,与 n-区固定掺杂结构相比反向恢复过程加快 ,二极管下降时间 t A 缩短近 1 /2 ;在采用台面结构的 p+ ( Si Gi) -n- -n+功率二极管中 ,反向恢复特性也有明显改进 ,电流反向恢复时间缩短近 1 /3 ,而电压反向恢复时间缩短近 1 /2。 展开更多
关键词 锗硅/硅异质结 pin二极管 渐变掺杂 Medici模拟
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