期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
溴碘化银T-颗粒乳剂晶体的表面形貌研究
被引量：
2
1
作者
曹立志
梁笑丛
+1 位作者
焦家俊
庄思永
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期142-145,共4页
用原子力显微镜研究了 T-颗粒卤化银晶体、掺杂有浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]的掺杂乳剂晶体、经硫加金化学增感后的掺杂乳剂晶体的表面形貌以及曝光后表面形貌的变化 .观察结果表明 ,T-颗粒晶体表面存在很多突起 ,经曝光后这些突...
用原子力显微镜研究了 T-颗粒卤化银晶体、掺杂有浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]的掺杂乳剂晶体、经硫加金化学增感后的掺杂乳剂晶体的表面形貌以及曝光后表面形貌的变化 .观察结果表明 ,T-颗粒晶体表面存在很多突起 ,经曝光后这些突起高度增加 ,更集中 .掺入浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]后 ,T-颗粒晶体对光更敏感 ,曝光后表面突起高度的增加幅度大于未掺杂乳剂光照后表面高度的变化 .同时硫增感剂对表面突起的分布也有很大的影响 .
展开更多
关键词
原子力显微镜
T-颗粒晶体
表面形貌
浅电子陷阱掺杂剂
下载PDF
职称材料
溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究
2
作者
曹立志
庄思永
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期114-119,共6页
利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T 颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加...
利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T 颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加,晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加,这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合.但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同,当掺杂量一定,掺杂剂掺在碘区附近时,晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显.随着实验温度的增加,乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降.
展开更多
关键词
T-颗粒晶体
电子电导率
空穴电导率
浅电子陷阱掺杂剂
下载PDF
职称材料
题名
溴碘化银T-颗粒乳剂晶体的表面形貌研究
被引量：
2
1
作者
曹立志
梁笑丛
焦家俊
庄思永
机构
华东理工大学精细化工研究所
出处
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期142-145,共4页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :2 0 0 73 0 13 )资助
文摘
用原子力显微镜研究了 T-颗粒卤化银晶体、掺杂有浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]的掺杂乳剂晶体、经硫加金化学增感后的掺杂乳剂晶体的表面形貌以及曝光后表面形貌的变化 .观察结果表明 ,T-颗粒晶体表面存在很多突起 ,经曝光后这些突起高度增加 ,更集中 .掺入浅电子陷阱掺杂剂 K4 [Ru(CN) 6 ]后 ,T-颗粒晶体对光更敏感 ,曝光后表面突起高度的增加幅度大于未掺杂乳剂光照后表面高度的变化 .同时硫增感剂对表面突起的分布也有很大的影响 .
关键词
原子力显微镜
T-颗粒晶体
表面形貌
浅电子陷阱掺杂剂
Keywords
AFM
T-grain
crystal
Surface
morphology
shallow
electron
trapping
dopant
分类号
TQ57 [化学工程—精细化工]
下载PDF
职称材料
题名
溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究
2
作者
曹立志
庄思永
机构
华东理工大学精细化工研究所
出处
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期114-119,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(20073013)
文摘
利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T 颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率,并与未掺杂的晶体样品进行对比,分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响.结果表明,随掺杂剂用量的增加,晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加,这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合.但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同,当掺杂量一定,掺杂剂掺在碘区附近时,晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显.随着实验温度的增加,乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降.
关键词
T-颗粒晶体
电子电导率
空穴电导率
浅电子陷阱掺杂剂
Keywords
T-grain
crystal
electron
conductivity
hole
conductivity
shallow
electron
trapping
dopant
分类号
O646 [理学—物理化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溴碘化银T-颗粒乳剂晶体的表面形貌研究
曹立志
梁笑丛
焦家俊
庄思永
《高等学校化学学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
2
下载PDF
职称材料
2
溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究
曹立志
庄思永
《感光科学与光化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
