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等离子体微细加工技术的新进展 被引量：13
1
作者 李效白 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第3期179-186,共8页
在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高... 在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确 ,可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展 ,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子体源的工作原理和干法刻蚀的关键技术问题。 展开更多
关键词 等离子刻蚀 干法刻蚀 集成电路 制造工艺
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电容器用铝箔交流腐蚀理论扩面倍率K的计算机模拟计算 被引量：13
2
作者 冯哲圣 杨邦朝 肖占文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期50-52,共3页
建立了YF基元生长模型来模拟腐蚀箔形态 ,并利用该模型计算了各种形成电压下的理论扩面倍率 ,所得到的结果介于C .G .Dunn的圆孔模型和永田伊佐也的方孔模型之间。结果显示 :目前近高压区 (>3 0 0V)的实际扩面倍率与理论扩面倍率已... 建立了YF基元生长模型来模拟腐蚀箔形态 ,并利用该模型计算了各种形成电压下的理论扩面倍率 ,所得到的结果介于C .G .Dunn的圆孔模型和永田伊佐也的方孔模型之间。结果显示 :目前近高压区 (>3 0 0V)的实际扩面倍率与理论扩面倍率已很接近 ,通过电蚀扩面的前景较小 ,而对于中低压腐蚀箔 ,单位面积的静电容量的提高余地还很大。 展开更多
关键词 铝箔 扩面倍数 电容器 交流腐蚀 计算机模拟
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提高CCD图像传感器填充因子的微透镜阵列的研究 被引量：11
3
作者 柯才军 易新建 赖建军 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2004年第2期209-212,共4页
为了提高可见光CCD图像传感器的探测灵敏度,提出了516×516元石英微透镜阵列的设计方法,并简要介绍了其制作工艺。测量结果表明,所制作的微透镜阵列有优良的表面轮廓、较好的几何尺寸均匀性和光学性能,大幅度地提高了CCD图像传感器... 为了提高可见光CCD图像传感器的探测灵敏度,提出了516×516元石英微透镜阵列的设计方法,并简要介绍了其制作工艺。测量结果表明,所制作的微透镜阵列有优良的表面轮廓、较好的几何尺寸均匀性和光学性能,大幅度地提高了CCD图像传感器的填充因子。 展开更多
关键词 微透镜阵列 填充因子 CCD 反应离子刻蚀
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硅的反应离子刻蚀工艺参数研究 被引量：9
4
作者 葛益娴 王鸣 戎华 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2006年第3期79-82,共4页
对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超... 对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低. 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 刻蚀速率 优化工艺参数
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同步辐射Laminar光栅的研制 被引量：5
5
作者 徐向东 洪义麟 +3 位作者 霍同林 周洪军 陶晓明 傅绍军 《光学技术》 CAS CSCD 2001年第5期459-461,468,共4页
采用全息离子束刻蚀和反应离子刻蚀相结合的新工艺 ,在熔石英基片上成功地刻蚀出 2 0 0l/mm、线空比 4:6、槽深 70nm、刻划面积 60× 2 0mm2 的浅槽矩形Laminar光栅。对改进光栅线条粗糙度和线空比的方法进行了系统的研究。这一新... 采用全息离子束刻蚀和反应离子刻蚀相结合的新工艺 ,在熔石英基片上成功地刻蚀出 2 0 0l/mm、线空比 4:6、槽深 70nm、刻划面积 60× 2 0mm2 的浅槽矩形Laminar光栅。对改进光栅线条粗糙度和线空比的方法进行了系统的研究。这一新工艺相对简单 。 展开更多
关键词 Laminar光栅 全息光刻 离子束刻蚀 反应离子刻蚀 同步辐射
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二氧化硅的干法刻蚀工艺研究 被引量：11
6
作者 严剑飞 袁凯 +1 位作者 太惠玲 吴志明 《微处理机》 2010年第2期16-18,22,共4页
主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺。运用反应离子刻蚀设备(R IE150×4)进行了一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条件对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数,并对结果进行了... 主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺。运用反应离子刻蚀设备(R IE150×4)进行了一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条件对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数,并对结果进行了比较与分析,得到了相对最佳的工艺条件。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 二氧化硅 最佳工艺条件
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金刚石薄膜的反应离子刻蚀 被引量：9
7
作者 姚翔 沈荷生 +3 位作者 丁桂甫 朱军 张志明 张寿柏 《微细加工技术》 EI 2000年第3期23-28,共6页
反应离子刻蚀是金刚石薄膜图形化的一种有效方法。研究了用O2 及与Ar的混合气体进行金刚石薄膜图形化刻蚀的主要工艺参数 (射频功率、工作气压、气体流量、反应气体成分与比例等 )对刻蚀速率和刻蚀界面形貌的影响 ,兼顾刻蚀速率和刻蚀... 反应离子刻蚀是金刚石薄膜图形化的一种有效方法。研究了用O2 及与Ar的混合气体进行金刚石薄膜图形化刻蚀的主要工艺参数 (射频功率、工作气压、气体流量、反应气体成分与比例等 )对刻蚀速率和刻蚀界面形貌的影响 ,兼顾刻蚀速率和刻蚀面平滑程度等关键因素 ,建立了金刚石薄膜刻蚀的优化工艺参数 ,达到了较满意的图形效果。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 金刚石薄膜 刻蚀速率
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亚波长光栅反射特性研究 被引量：11
8
作者 郭楚才 叶卫民 +3 位作者 袁晓东 张检发 曾淳 季家镕 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第12期3272-3276,共5页
亚波长光栅具有特殊的反射特性,可以用于各种光器件的设计。利用时域有限差分方法(FDTD)和散射矩阵方法计算了亚波长介质光栅的能带结构、本征模式以及反射谱。模拟结果显示:光栅反射谱中的共振峰是由光栅的泄漏模式引起的;在正入射和... 亚波长光栅具有特殊的反射特性,可以用于各种光器件的设计。利用时域有限差分方法(FDTD)和散射矩阵方法计算了亚波长介质光栅的能带结构、本征模式以及反射谱。模拟结果显示:光栅反射谱中的共振峰是由光栅的泄漏模式引起的;在正入射和斜入射条件下,外部入射场所能激励的光栅的模式不同;通过控制光栅本征泄漏模的频率和Q值可以控制反射谱线型。实验利用电子束直写以及反应离子刻蚀等方法在绝缘体上硅(SOI)晶圆上制备出亚波长光栅结构,实验测量所得光栅的反射谱线型与模拟结果吻合得很好。 展开更多
关键词 光栅 反射特性 时域有限差分 亚波长光栅 电子束直写 反应离子刻蚀
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一种亚波长偏振分波/合波器的研制 被引量：9
9
作者 张亮 李承芳 +3 位作者 刘文 周立兵 吴国阳 王定理 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1048-1052,共5页
针对传统偏振分束器窄波段、窄角度范围的不足,研制了一种在宽波段宽角度范围内具有180°分光功能的偏振分束器/耦合器。该器件基于线栅偏振器和亚波长光栅结构原理设计,利用半导体工艺的刻蚀技术制作。利用一维金属线栅对入射电磁... 针对传统偏振分束器窄波段、窄角度范围的不足,研制了一种在宽波段宽角度范围内具有180°分光功能的偏振分束器/耦合器。该器件基于线栅偏振器和亚波长光栅结构原理设计,利用半导体工艺的刻蚀技术制作。利用一维金属线栅对入射电磁波的偏振响应和亚波长光栅仅存在零级衍射的特性,实现了较宽的通带宽度与可接受角度范围、极大的分光角度、高消光比和低插入损耗。实验测得透射、反射消光比均大于20 dB,插入损耗小于0.5dB。通过自行搭建的微结构测试平台,测量了p、s光的透射率、反射率随入射角度变化的曲线,和严格耦合波理论模拟结果符合。深入分析了制作中的过刻蚀对性能产生的影响。 展开更多
关键词 集成光学 偏振分束器 反应离子刻蚀 严格耦合波理论 亚波长光栅 消光比
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ZnS衬底表面亚波长增透结构的设计及制备 被引量：6
10
作者 徐启远 刘正堂 +2 位作者 李阳平 武倩 张淼 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期219-222,共4页
ZnS是长波红外窗口优选材料之一,而其表面反射率较高;为了减小表面反射,利用耦合波理论,对ZnS衬底表面的亚波长结构参数进行优化设计,得到了具有良好增透效果的最佳亚波长结构参数;并利用掩膜光刻、反应离子刻蚀技术在ZnS衬底表面制备出... ZnS是长波红外窗口优选材料之一,而其表面反射率较高;为了减小表面反射,利用耦合波理论,对ZnS衬底表面的亚波长结构参数进行优化设计,得到了具有良好增透效果的最佳亚波长结构参数;并利用掩膜光刻、反应离子刻蚀技术在ZnS衬底表面制备出在8—12μm波段范围内有明显增透效果的二维亚波长结构,这为ZnS衬底的增透提供了一种新的方法. 展开更多
关键词 耦合波理论 表面亚波长增透结构 反应离子刻蚀 硫化锌
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圆锥形仿生蛾眼抗反射微纳结构的研制 被引量：7
11
作者 郭旭东 董亭亭 +2 位作者 付跃刚 陈驰 温春超 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第9期108-114,共7页
采用时域有限差分(FDTD)法对中红外波段(3~5μm)硅基底的圆锥形仿生蛾眼微纳结构进行了仿真模拟。通过对微纳结构占空比、周期和刻蚀深度等参数的分析,获得了具有良好抗反射特性的微纳结构的组合参数。为了更好地指导实际加工,对不同参... 采用时域有限差分(FDTD)法对中红外波段(3~5μm)硅基底的圆锥形仿生蛾眼微纳结构进行了仿真模拟。通过对微纳结构占空比、周期和刻蚀深度等参数的分析,获得了具有良好抗反射特性的微纳结构的组合参数。为了更好地指导实际加工,对不同参数进行了公差分析。制作中应用二元曝光技术和反应离子刻蚀技术在硅基底上制备得到该圆锥形仿生蛾眼微结构,并且使用热场发射扫描电子显微镜得到了该微结构的表面形貌图。采用红外成像光谱仪对单面微结构的测试结果表明,仿生蛾眼微结构的反射率在中红外波段约为5%。 展开更多
关键词 蛾眼 抗反射微纳结构 反射率 时域有限差分法 反应离子刻蚀
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光栅干法刻蚀与湿法刻蚀的研究 被引量：2
12
作者 罗飚 陈永诗 +2 位作者 沈坤 阳洪涛 谈春雷 《光学与光电技术》 2003年第1期54-56,共3页
在光栅的制作中有两种方法:其中一个是湿法,另外一个是干法。本文分别就湿法和干法的实验结果,进行比较。用于法刻蚀方法做出了比较好的一级光栅,证明了干法刻蚀优于湿法刻蚀。
关键词 分布式布拉格反馈 干法腐蚀 反应离子刻蚀 全息光刻
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钛扩散铌酸锂脊形波导理论分析与初步制备 被引量：6
13
作者 李金洋 要彦清 +1 位作者 吴建杰 祁志美 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期196-202,共7页
铌酸锂脊形波导最近引起了广泛研究兴趣,它通常采用刻蚀钛扩散或质子交换铌酸锂条形波导或平板波导的方法制作而成。对由这两种方法制备的钛扩散铌酸锂脊形波导在1550nm波长处的横电基模光场分布进行了仿真分析。结果指出,当钛扩散条件... 铌酸锂脊形波导最近引起了广泛研究兴趣,它通常采用刻蚀钛扩散或质子交换铌酸锂条形波导或平板波导的方法制作而成。对由这两种方法制备的钛扩散铌酸锂脊形波导在1550nm波长处的横电基模光场分布进行了仿真分析。结果指出,当钛扩散条件相同时,通过刻蚀钛扩散铌酸锂平板波导得到的脊形结构在横向和纵向上对导模均具有更好的束缚能力。这种脊形波导的制作工艺相对简单,它对导模的强束缚有利于减小铌酸锂电光调制器尺寸和提高光电重叠积分因子。实验制备了钛扩散铌酸锂平板波导,并基于微机电系统(MEMS)工艺在其表面制作出Cr膜马赫-曾德尔干涉计(MZI)阵列图案,然后在SF6气氛中对平板波导进行反应离子刻蚀,初步得到了铌酸锂脊形波导MZI阵列。扫描电镜分析结果显示制得的脊形波导横截面呈梯形状,两侧面较粗糙,脊高约670nm。 展开更多
关键词 光学器件 铌酸锂 反应离子刻蚀 脊形波导
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银镜反应制备纳米蛾眼减反结构法 被引量：6
14
作者 董晓轩 申溯 陈林森 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期178-183,共6页
为了降低光学表面的菲涅耳反射,提出了一种制备仿生减反结构的方法.利用银镜反应并结合退火处理在硬性材质基底表面制备银纳米粒子,经反应离子刻蚀工艺,在基底表面形成一层纳米蛾眼减反结构.分析了周期分布和随机分布纳米蛾眼的光学特性... 为了降低光学表面的菲涅耳反射,提出了一种制备仿生减反结构的方法.利用银镜反应并结合退火处理在硬性材质基底表面制备银纳米粒子,经反应离子刻蚀工艺,在基底表面形成一层纳米蛾眼减反结构.分析了周期分布和随机分布纳米蛾眼的光学特性,实验研究了退火参量和刻蚀参量对银纳米颗粒直径、密度以及高度的影响,并在硅和石英基底上分别制备了随机减反结构.测试结果表明:硅基平均反射率小于4.5%,双面石英基透过率达98.1%.理论和实验均表明:随机分布的纳米仿生蛾眼结构具有宽光谱、广视角和高减反特性,所提出的制备方法具有简便易行、低成本、大幅面等优点,在光电器件中具有良好的潜在应用前景. 展开更多
关键词 减反结构 蛾眼结构 银镜反应 反应离子刻蚀 反射率
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二氧化硅的反应离子刻蚀 被引量：4
15
作者 郝慧娟 张玉林 卢文娟 《电子工业专用设备》 2005年第7期48-51,共4页
对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究。刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100W、150W、200W、250W、300W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率... 对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究。刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100W、150W、200W、250W、300W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率与射频功率和压力之间、气体流量的关系曲线。实验结果表明:随着射频功率、压力的增大,刻蚀速率不断加快,在某一值上达到最大值。再继续增加射频功率、压力,刻蚀速率反而会下降。随着气体流量的增加,刻蚀速度不断降低。 展开更多
关键词 电子束曝光 反应离子刻蚀 RF功率
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1μm宽硅深槽刻蚀技术 被引量：3
16
作者 王清平 郭林 +2 位作者 刘兴凤 蔡永才 黄正学 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第1期35-39,共5页
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
关键词 反应离子刻蚀 硅深槽隔离 微电子器件 工艺
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高选择性的SiO_2/Si干法腐蚀工艺 被引量：4
17
作者 高东岳 李莹 +1 位作者 郭常厚 栾兰 《微处理机》 2003年第1期5-7,共3页
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位。本文通过大量实验研究出了一种以 CHF3和 SF6 作为主要进给气体 ,通过调节 CHF3和 SF6 的流量来相应地控制等离子体中有效的 F∶ C比率从而实现较高的... 高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位。本文通过大量实验研究出了一种以 CHF3和 SF6 作为主要进给气体 ,通过调节 CHF3和 SF6 的流量来相应地控制等离子体中有效的 F∶ C比率从而实现较高的腐蚀选择比或较高的腐蚀速率。 展开更多
关键词 高选择性 干法腐蚀工艺 大规模集成电路 设计 制造 等离子体 反应离子刻蚀 选择比 二氧化硅 硅 单晶硅 半导体加工
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248 nm KrF准分子激光零级抑制石英相位掩模器的研制 被引量：4
18
作者 陈根祥 程美乔 +2 位作者 葛璜 简水生 王圩 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期623-626,共4页
实验研制了针对波长２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术，在双面抛光的石英基片上以ＣＨＦ３／Ｏ２为反应气体，用反应离子刻蚀技术制作了具有良好完整性、周期１．０８５μｍ的石英相位掩... 实验研制了针对波长２４８ｎｍＫｒＦ准分子激光的零级抑制石英相位掩模器。用双层掩蔽和图形转移技术，在双面抛光的石英基片上以ＣＨＦ３／Ｏ２为反应气体，用反应离子刻蚀技术制作了具有良好完整性、周期１．０８５μｍ的石英相位掩模器。实际测量表明其零级衍射效率被抑制到５．９７％。 展开更多
关键词 相位掩膜 反应离子刻蚀 光栅 激光技术
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RIE反应离子刻蚀氮化硅工艺的研究 被引量：5
19
作者 关一浩 雷程 +3 位作者 梁庭 白悦杭 齐蕾 武学占 《电子测量技术》 北大核心 2021年第7期107-112,共6页
氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共聚焦显微... 氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共聚焦显微镜表征刻蚀形貌、速率及刻蚀均匀性。实验表明,在SF_(6)流量为50 sccm,O_(2)流量为10 sccm,腔室压强为11 Pa,射频功率为250 W的条件下,氮化硅刻蚀速率达到509 nm/min,非均匀性可达2.4%;在同样条件下,多晶硅的刻蚀速率达到94.5 nm/min,选择比为5.39∶1。 展开更多
关键词 氮化硅 多晶硅 反应离子刻蚀 刻蚀速率 非均匀性
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工艺参数对电感耦合等离子体刻蚀ZnS速率及表面粗糙度的影响 被引量：4
20
作者 邢静 蔡长龙 《西安工业大学学报》 CAS 2013年第2期103-107,共5页
为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时... 为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时,ZnS刻蚀速率为18.5nm/min,表面粗糙度Ra小于6.3nm,刻蚀后表面沉积物相对较少;Ar含量变化对刻蚀速率和表面粗糙度影响较大.给出了刻蚀速率和表面粗糙度随气体总流量、Ar含量、偏压功率和射频功率的变化趋势. 展开更多
关键词 电感耦合等离子体 反应离子刻蚀 ZnS刻蚀机理 刻蚀速率 粗糙度
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