设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1...设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .展开更多
文摘设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .
