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P-nc-Si:H薄膜材料及在微晶硅薄膜太阳电池上应用 被引量:11
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作者 朱锋 赵颖 +5 位作者 张晓丹 魏长春 孙建 任慧智 熊绍珍 耿新华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期381-384,共4页
对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较... 对RF PECVD技术沉积p nc Si:H薄膜材料进行了研究。随着功率的增大材料的晶化率增大。B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,少量的B即可获得高的电导率,而对材料晶化影响不大。用比较高沉积功率和少量B的方法获得了高电导率、宽光学带隙和高晶化率的P型纳米Si薄膜材料(σ=0.7S/cm,Eopt>2.0eV)。将这种材料应用于微晶硅(μc Si)薄膜太阳能电池中,电池结构为:glass/SnO2/ZnO/p nc Si:H/I μC Si:H/n Si:H。首次获得效率η=4.2%的μC Si薄膜太阳能电池(Voc=0.399V,Jsc=20.56mA/cm2,FF=51.6%)。 展开更多
关键词 p-nc-Si:H薄膜材料 微晶硅薄膜 太阳能电池 电导率 掺杂效率 RF-pECVD技术 电池结构
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(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管
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作者 韦文生 王天民 +2 位作者 张春熹 李国华 卢励吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期745-750,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于... 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管———Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I V,C V,C f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型,这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性. 展开更多
关键词 (p)nc-Si H薄膜 (p)nc Si H/(n)c SI异质结 变容二极管
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纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究 被引量:2
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作者 李阳 刘星元 +3 位作者 吴春亚 孟志国 王忆 熊绍珍 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期813-817,共5页
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17n... 采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126nm窄化到33nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47130cd/m2,最大发光效率为9.54383cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%. 展开更多
关键词 p型掺杂纳米硅薄膜 聚合物有机电致发光器件 微腔
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基于AM-OLED基板的拓展多晶硅薄膜功能层的研究
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作者 李阳 赵淑云 +3 位作者 吴春亚 孟志国 王忆 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2393-2397,共5页
在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层——薄膜晶体管(thin fil mtransistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多晶硅(p+-MIC pol... 在有源寻址有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode,AM-OLED)显示基板中,将电学功能层——薄膜晶体管(thin fil mtransistor,TFT)有源层材料p型掺杂金属诱导晶化(metal induced crystallized,MIC)多晶硅(p+-MIC poly-Si)薄膜的版图适当延伸,来充当OLED的阳极,由于它具有低方块电阻、高功函数的电学特性和半反半透、低吸收率的光学特性,与OLED的金属铝阴极形成了微腔器件,成功地形成了显示基板上的多晶硅薄膜的光学功能层.对这一功能层的厚度进行了优化,比较了不同厚度下TFT器件的电学特性和OLED的光学特性.当其厚度为40nm时为最佳厚度,此时,TFT器件场迁移率、阈值电压、亚阈值幅摆、电流开关比和栅压诱导漏极漏电等性能为最佳,且红光微腔式OLED(microcavity-OLED,MOLED)的出光强度增大,光谱窄化,电流效率与功率效率均有所提高.这不仅使器件的性能有所提高,而且大大地简化了AM-OLED基板的制备流程. 展开更多
关键词 p型掺杂多晶硅薄膜 微腔 多晶硅薄膜功能层 AM-OLED基板
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Tricolor microcavity OLEDs based on P-nc-Si:H films as the complex anodes
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作者 李阳 刘星元 +3 位作者 吴春亚 孟志国 王忆 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期42-47,共6页
A P^+-nc-Si:H film(boron-doped nc-Si:H thin film) was used as a complex anode of an OLED.As an ideal candidate for the composite anode,the P^+-nc-Si:H thin film has a good conductivity with a high work function... A P^+-nc-Si:H film(boron-doped nc-Si:H thin film) was used as a complex anode of an OLED.As an ideal candidate for the composite anode,the P^+-nc-Si:H thin film has a good conductivity with a high work function(- 5.7 eV) and outstanding optical properties of high reflectivity,transmission,and a very low absorption.As a result,the combination of the relatively high reflectivity of a P^+-nc-Si:H film/ITO complex anode with the very high reflectivity of an Al cathode could form a micro-cavity structure with a certain Q to improve the efficiency of the OLED fabricated on it.An RGB pixel generated by microcavity OLEDs is beneficial for both the reduction of the light loss and the improvement of the color purity and the efficiency.The small molecule Alq would be useful for the emitting light layer(EML) of the MOLED,and the P^+-nc-Si film would be used as a complex anode of the MOLED,whose configuration can be constructed as Glass/LTO/P^+-nc-Si:H/ITO/MoO3/NPB/Alq/LiF/Al.By adjusting the thickness of the organic layer NPB/Alq,the optical length of the microcavity and the REB colors of the device can be obtained.The peak wavelengths of an OLED are located at 486,550,and 608 nm,respectively.The CIE coordinates are(0.21,0.45),(0.33,0.63),and(0.54,0.54),and the full widths at half maximum(FWHM) are 35,32,and 39 nm for red,green,and blue,respectively. 展开更多
关键词 p^+-nc-Si:H thin film organic light emitting display MICROCAVITY TRICOLOR
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