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NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究进展
被引量:
5
1
作者
胡翰宸
朱满康
+1 位作者
侯育冬
严辉
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1-5,共5页
从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望。研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具...
从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望。研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具有高的退极化温度。今后的研究重点将集中于A位或B位取代对NBT-KBT-BT体系的压电性能和退极化行为的作用,三元系陶瓷粉体烧结活性的提高以及新型陶瓷制备技术,如晶粒定向陶瓷制备工艺等。
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关键词
无机非金属材料
(
na
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bi
1/2)
tio
3
-(
k
1/2
bi
1/2)
tio
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-
batio
3
综述
无铅压电陶瓷
压电性能
退极化现象
下载PDF
职称材料
题名
NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究进展
被引量:
5
1
作者
胡翰宸
朱满康
侯育冬
严辉
机构
北京工业大学材料学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1-5,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60601020)
北京市科技新星计划资助项目(No.2007A014)
+1 种基金
北京市教委科技发展计划资助项目(No.KM200810005012)
北京市自然科学基金资助项目(No.4072006)
文摘
从准同型相界、压电活性、退极化温度和掺杂改性等方面,综述了NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的最新进展,对其发展进行了展望。研究表明,三方的NBT和四方的KBT-BT之间存在准晶相界,准晶相界附近的组分具有高压电性能,而四方相区的组分具有高的退极化温度。今后的研究重点将集中于A位或B位取代对NBT-KBT-BT体系的压电性能和退极化行为的作用,三元系陶瓷粉体烧结活性的提高以及新型陶瓷制备技术,如晶粒定向陶瓷制备工艺等。
关键词
无机非金属材料
(
na
1/2
bi
1/2)
tio
3
-(
k
1/2
bi
1/2)
tio
3
-
batio
3
综述
无铅压电陶瓷
压电性能
退极化现象
Keywords
non-metallic inorganic material
(
na
1/2
bi
1/2)
tio
3
-(
k
1/2
bi
1/2)
tio
3
-
batio
3
review
lead-free piezoelectric ceramic
piezoelectric property
depolariza
tio
n phenomenon
分类号
TM22 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NBT-KBT-BT三元系无铅压电陶瓷的研究进展
胡翰宸
朱满康
侯育冬
严辉
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
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职称材料
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