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内压柱壳容器大开孔补强的探讨 被引量：6
1
作者 章春亮 张康达 《四川真空》 CAS 1990年第4期10-15,共6页
通过对四种典型受内压柱壳容器开孔应力集中系数计算方法的比较,以及用本文试件的实验值和有限元计算结果与有关文献的实验数据进行的误差统计对比,得到了较为稳妥的大开孔(d/D≥0.5)应力集中系数计算式,提出了大开孔补强设计方案,并将... 通过对四种典型受内压柱壳容器开孔应力集中系数计算方法的比较,以及用本文试件的实验值和有限元计算结果与有关文献的实验数据进行的误差统计对比,得到了较为稳妥的大开孔(d/D≥0.5)应力集中系数计算式,提出了大开孔补强设计方案,并将该方案同瑞典压力容器规定作了比较。 展开更多
关键词 内压容器 开孔 应力集中系数 补强
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中国环流器HL—IM装置的真空抽气系统 被引量：5
2
作者 严东海 孙守祁 《四川真空》 1995年第1期1-7,共7页
ＨＬ－ＩＭ装置是一个具有大半径为１０２ｃｍ，小半径为２６ｃｍ和等离子体面向石墨复盖度为５％的托卡马克新装置。真空抽气系统由五套机组，相关真空测量和质谱分析等单元组成，要功能已保证了ＨＬ－ＩＭ装置的等离子体运行，且达了... ＨＬ－ＩＭ装置是一个具有大半径为１０２ｃｍ，小半径为２６ｃｍ和等离子体面向石墨复盖度为５％的托卡马克新装置。真空抽气系统由五套机组，相关真空测量和质谱分析等单元组成，要功能已保证了ＨＬ－ＩＭ装置的等离子体运行，且达了抽运结果低于现有托卡马克装置限定的本底杂质浓度＜１×１０＾＾－３）和总漏效率（＜０．５×１０＾－５ｐａｍ＾３．ｓ＾－）的指标。首次行运期间。获得了等离子体电流Ｉｐ＝１５０ｋＡ。 展开更多
关键词 真空抽气系统 杂质浓度 漏放率 有效抽速
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大型激光室检漏技术 被引量：5
3
作者 严东海 陈和祥 《四川真空》 1994年第3期25-30,共6页
关键词 检漏 质谱 漏放率 真空检漏
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HL—1M装置硼化膜的研究 被引量：3
4
作者 王明旭 张年满 《四川真空》 1997年第1期34-40,共7页
ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸汽等离子体增强沉积技术对第一壁进行了原位硼化，在第一壁表面上形成一层半透明、非晶ａ－Ｂ／Ｃ：Ｈ膜。在单电极、１．２Ａ／７５０Ｖ放电参数下，平均沉积速率为１１０ｎｍ／ｈ，膜厚不均匀度... ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸汽等离子体增强沉积技术对第一壁进行了原位硼化，在第一壁表面上形成一层半透明、非晶ａ－Ｂ／Ｃ：Ｈ膜。在单电极、１．２Ａ／７５０Ｖ放电参数下，平均沉积速率为１１０ｎｍ／ｈ，膜厚不均匀度为８４％，Ｂ／Ｃ＝０．６－２．０，Ｂ－Ｃ的结合能为９７－９９ｅＶ，与Ｂ／Ｃ值有关。膜层中有２０－３０％的硼是以Ｂ－Ｃ的形式存在，７０－８０％碳是以ａ－Ｃ：Ｈ形式存在。 展开更多
关键词 硼化膜 托卡马克装置 聚变堆材料
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HL—1M装置真空壁硅化的研究 被引量：3
5
作者 严东海 王恩耀 等 《四川真空》 2001年第1期38-46,共9页
CDC（He+SiH4)是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体作用下，通过气相中的电子碰撞离解，电离，离子－分子反应和在壁面上的He^+诱导脱H2过程，一种无定形的，半透明的，致密的氢化硅（α-Si:H)薄膜被沉积在清洁... CDC（He+SiH4)是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体作用下，通过气相中的电子碰撞离解，电离，离子－分子反应和在壁面上的He^+诱导脱H2过程，一种无定形的，半透明的，致密的氢化硅（α-Si:H)薄膜被沉积在清洁的真空壁表面。在托卡马克放电中，硅化壁的特点是有良好的H（D）捕获得，H2（D2）释放和低再循环性能，强的控制杂质能力和较长的寿命时间，结果显著地拓宽了等离子体密度ne,持续时间Tp和能量约束时间τE等的运行范围。自1996年以来，它成功地演证LHCD，ICRH，ECRH，NBI，PI，MBI实验和升级等离子体运行提供了良好的真空壁条件，并取得了丰硕的物理实验和工程技术的研究成果。同时还为利用中型装置在长脉冲放电条件下，开展等离子体与表面互相作用（PSI)提供了一条新的途径，本文主要描述HL－1M装置的Si化关系，参数和放电进展。 展开更多
关键词 硅化 再循环 真空壁 托卡马克装置 HL-1M装置 放电
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能获得清洁真空的JKD—200高真空金属油扩散泵抽气机组 被引量：2
6
作者 徐成海 《四川真空》 1990年第3期1-6,共6页
关键词 高真空 油扩散泵 抽气机组
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军用CCD图像传感器的新发展 被引量：2
7
作者 程开富 《四川真空》 2000年第2期3-11,共9页
概述了军用成像系统中，国内外ＣＣＤ图像传感器的新发展。
关键词 可见光CCD 红外CCD 图像传感器 军事 应用
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HL—1M的原位处理技术 被引量：2
8
作者 王志文 王恩耀 《四川真空》 1999年第1期23-30,共8页
本文介绍ＨＬ－１Ｍ托卡马克装置的壁处理技术。使用氦辉光放电清洗清除装置杂质和降低壁中氢含量，壁硼化和硅化技术以及原位沉积膜的原位清除。
关键词 托卡马克装置 壁处理 原位处理 真空系统
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钌系厚膜电阻阻值受烧结温度影响的机理初探 被引量：2
9
作者 陈章其 《四川真空》 1992年第1期62-65,共4页
关键词 电阻 厚膜电阻 烧结 钌 阻值 温度
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旋片式真空泵新结构系列研制 被引量：1
10
作者 孙洪乐 《四川真空》 1992年第1期134-138,129,共6页
关键词 真空泵 结构 旋片式
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中国环流器新一号（HL—1M）装置内壁的硼化 被引量：1
11
作者 张年满 王恩耀 《四川真空》 1996年第2期1-6,共6页
用无毒，不燃固体材料碳硼烷与氦直流辉光放电在ＨＬ－１Ｍ内壁上原位涂复了含碳硼膜，平均厚度５０－７０ｎｍ，碳硼比约为１：６。硼化后器壁条件有了本质的改善。尽管省去了每天长达１５小时的放电清洗，但本底真空仍然从（１－２）&... 用无毒，不燃固体材料碳硼烷与氦直流辉光放电在ＨＬ－１Ｍ内壁上原位涂复了含碳硼膜，平均厚度５０－７０ｎｍ，碳硼比约为１：６。硼化后器壁条件有了本质的改善。尽管省去了每天长达１５小时的放电清洗，但本底真空仍然从（１－２）×１０＾－４Ｐａ提高到（５－６）×１０＾－５Ｐａ。 展开更多
关键词 硼化壁 环流器 托卡马克装置
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石墨及其涂层材料性能的研究 被引量：1
12
作者 王明旭 朱毓坤 《四川真空》 1996年第2期13-20,共8页
本文在改制后的ＬＡＳ－２０００表面分析设备上对ＳＭＦ８００，Ｇ３石墨和（ＳｉＣ＋Ｃ）／Ｃ涂层石墨的真空出气性能和Ｄ＾＋束辐照化学增强腐蚀性能进行了分析研究。研究表明：ＨＬ－１Ｍ装置第一壁选择ＳＭＦ８００石墨及其处理工... 本文在改制后的ＬＡＳ－２０００表面分析设备上对ＳＭＦ８００，Ｇ３石墨和（ＳｉＣ＋Ｃ）／Ｃ涂层石墨的真空出气性能和Ｄ＾＋束辐照化学增强腐蚀性能进行了分析研究。研究表明：ＨＬ－１Ｍ装置第一壁选择ＳＭＦ８００石墨及其处理工艺及合理，正确的。 展开更多
关键词 石墨 第一壁 涂层 托卡马克装置 碳化硅
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国内外真空镀膜技术及设备的基本现状及国内真空镀膜设备发展的几点建议 被引量：1
13
作者 靳毅 《四川真空》 2003年第1期1-8,共8页
本文着重在光学应用领域、半导体器件、大规模集成电路制造的应用领域、电容器、包装和装饰金属膜材应用领域，介绍国内外真空镀膜技术及设备的现状，及国内真空镀膜设备厂家的优势与差距和发展方向。
关键词 真空镀膜技术 真空镀膜设备 半导体器件 集成电路 电容器 包装 装饰金属膜材
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透射电子显微镜高压电子枪的真空检漏 被引量：1
14
作者 尤富强 殷俊林 《四川真空》 1997年第1期12-13,共2页
本文报道了在维修日本ＨＩＴＡＣＨＩ公司透射电子显微镜高压电子枪过程中发现的喷射氟里昂是真实检漏中一种简单而实用的方法。维修后高压电子枪的真空度达到１．３３×１０＾－３Ｐａ，灯丝的寿命超过７０小时，为日本ＨＩＴＡＣ... 本文报道了在维修日本ＨＩＴＡＣＨＩ公司透射电子显微镜高压电子枪过程中发现的喷射氟里昂是真实检漏中一种简单而实用的方法。维修后高压电子枪的真空度达到１．３３×１０＾－３Ｐａ，灯丝的寿命超过７０小时，为日本ＨＩＴＡＣＨＩ公司所给指标的两倍。 展开更多
关键词 透射电子显微镜 电子枪 真空检漏
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低温等离子复合技术淀积Al2O3膜的研究 被引量：1
15
作者 林锡刚 师勉恭 《四川真空》 1998年第2期11-16,共6页
利用真空技术，低能离子束刻蚀技术和射频磁控溅射相结合组成的低温等离子复合技术，在软磁材料表面获得了性能优良，且满足工业生产要求的Ａｌ２Ｏ３绝缘膜，本文介绍了复合技术成膜装置特点及该Ａｌ２Ｏ３膜的特点，利用的扫描电子显... 利用真空技术，低能离子束刻蚀技术和射频磁控溅射相结合组成的低温等离子复合技术，在软磁材料表面获得了性能优良，且满足工业生产要求的Ａｌ２Ｏ３绝缘膜，本文介绍了复合技术成膜装置特点及该Ａｌ２Ｏ３膜的特点，利用的扫描电子显微镜，透射电镜及Ｘ射线光电子能谱仪对该膜进行了分析，试验结果认为该膜的物理特性，电学特性及机械特性是优异的，对于该膜的半工业性试验也进行了研究。 展开更多
关键词 低温等离子复合 软磁材料 薄膜沉积 氧化铝
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HL—1M的氦辉光放电清洗的清除率研究 被引量：1
16
作者 王志文 张年满 《四川真空》 1997年第2期45-51,共7页
通过对ＨＬ－１Ｍ的氦直流辉光放电清洗（ＨｅＧＤＣ）的放电特点和清除效率的研究，发现环形真空室的对称性导致与阳极截面相对称的截面的电场为零的中性截面，该截面及附近的场强很弱，使其阴极位降区的厚度远大于氦离子的平均自由程... 通过对ＨＬ－１Ｍ的氦直流辉光放电清洗（ＨｅＧＤＣ）的放电特点和清除效率的研究，发现环形真空室的对称性导致与阳极截面相对称的截面的电场为零的中性截面，该截面及附近的场强很弱，使其阴极位降区的厚度远大于氦离子的平均自由程，严重影响辉光清除效率，提出２多电极不对称阳极电位一的辉光放电来提高清除效率；同时发现辉光清洗使氢分压比托卡马克放电的送氢量低一个量级以上，才能重复奶好的有辅助加料的托卡马克放电。 展开更多
关键词 氦直流辉光放电 清洗 清除率 托卡马克装置
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HL—1M装置边缘等离子体流的测量 被引量：1
17
作者 洪文玉 王恩耀 《四川真空》 1997年第2期52-56,共5页
在托卡马克放电期间，低杂波（ＬＨＷ）注入，弹丸注入，分子束注入（ＭＢＩ） 气均不同程度地引赶快避部等离子体电位的快速变化，从而改变了电场分布，改变了边缘等离子体的流速和方向。
关键词 低杂波驱动 弹丸注入 分子束注入 托卡马克装置
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旋片泵与滑阀泵的新结构 被引量：1
18
作者 徐成海 《四川真空》 1996年第1期1-5,共5页
关键词 真空获得设备 旋片泵 滑阀泵
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涡轮形干式真空泵 被引量：1
19
作者 真濑正弘 王乃云 《四川真空》 1991年第1期5-9,共5页
关键词 真空泵 干式 涡轮形 机械真空泵
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SMF—800石墨热解除气实验研究 被引量：1
20
作者 王明旭 朱毓坤 《四川真空》 1995年第2期18-20,共3页
本文描述了用ＬＡＳ－２０００质谱仪对ＨＬ－ＩＭ托卡马克装置第一壁选用的ＳＭＦ－８００石墨材料的真空热解除气实验。结果表明：４０－７４５℃，１７０分钟线性升温内，石墨的氮等效总出气量为１．６×１０＾－２ｐａ·ｍ... 本文描述了用ＬＡＳ－２０００质谱仪对ＨＬ－ＩＭ托卡马克装置第一壁选用的ＳＭＦ－８００石墨材料的真空热解除气实验。结果表明：４０－７４５℃，１７０分钟线性升温内，石墨的氮等效总出气量为１．６×１０＾－２ｐａ·ｍ＾３／ｇ，氮等效最高出气速率为３．８×１０＾－６ｐａ·ｍ＾３／ｓ·ｇ；第二次４０￣７４５℃，１７０分钟线性升温过程中，石墨的氮等效总出气量比第一次加热去气的总出气量下降一个数量级； 展开更多
关键词 热解除气 石墨 实验
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