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基于闭环di/dt和dv/dt控制的电压型有源驱动电路
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作者 刘艺瑞 窦银科 陈燕 《现代电子技术》 2021年第22期37-40,共4页
SiC MOSFET的高频切换将不可避免地导致di/dt或dv/dt的增高,随即引起电压以及电流振荡。开关振荡会产生严重的负面影响,表现为电压尖峰、额外的功率损耗、电磁干扰(EMI)噪声。为了减缓SiC MOSFET漏源极电压的尖峰及振荡,文中设计一种基... SiC MOSFET的高频切换将不可避免地导致di/dt或dv/dt的增高,随即引起电压以及电流振荡。开关振荡会产生严重的负面影响,表现为电压尖峰、额外的功率损耗、电磁干扰(EMI)噪声。为了减缓SiC MOSFET漏源极电压的尖峰及振荡,文中设计一种基于闭环di/dt和dv/dt控制的电压型有源驱动电路。该有源驱动电路通过控制栅源电压波形控制SiC MOSFET的开关速度,进而抑制电压电流的尖峰和振荡。将所设计的有源驱动电路在半桥斩波电路中进行仿真验证,仿真结果表明,该有源驱动电路可以有效地实现预期功能;且相对常规电路,该驱动电路所需元器件少,控制过程简单。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 有源驱动电路 闭环控制 电路设计 电压振荡抑制 仿真验证
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