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激光电视的研究进展及趋势分析
被引量：
9
1
作者
李玉翔
姚建铨
+4 位作者
蔡彬晶
王涛
王鹏
古贵茹
刘宝利
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期1-2,共2页
在显示技术日益重要的今天,激光电视以其他技术无法比拟的优势受到各国的关注。本文介绍了激光电视的基本概念和特点,从激光电视机的发展历史入手,主要介绍了代表世界先进水平的美、日、德三国的激光电视的发展现状,国内激光电视及相关...
在显示技术日益重要的今天,激光电视以其他技术无法比拟的优势受到各国的关注。本文介绍了激光电视的基本概念和特点,从激光电视机的发展历史入手,主要介绍了代表世界先进水平的美、日、德三国的激光电视的发展现状,国内激光电视及相关技术的发展情况。总结出我国激光电视今后的发展目标———产业化。
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关键词
激光电视
激光显示
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职称材料
基于FET主动控制的脉冲核磁共振射频开关电路
2
作者
孙金水
王秋良
+1 位作者
戴银明
李献
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2016年第3期76-80,共5页
核磁共振技术在工农业生产以及日常生活中都有广泛应用,如石油、天然气、地下水等物质的勘探以及食品化工行业中的在线无损检测等。本文主要介绍了一种新的脉冲核磁共振射频开关。核磁共振射频开关在核磁共振系统中起着重要作用,它能够...
核磁共振技术在工农业生产以及日常生活中都有广泛应用,如石油、天然气、地下水等物质的勘探以及食品化工行业中的在线无损检测等。本文主要介绍了一种新的脉冲核磁共振射频开关。核磁共振射频开关在核磁共振系统中起着重要作用,它能够实现发射通道与接收通道的切换。在核磁共振实验中,开关的切换时间以及死区时间的设定都非常重要,它们直接影响核磁共振信号的纯净度。本文在四分之一波长传输线设计方法的基础上,采用三极管和场效应管相结合的方法来控制开关切换时间,并通过电解电容充放电的方法实现了对死区时间的控制。
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关键词
核磁共振
射频开关
死区时间
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职称材料
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
被引量：
1
3
作者
李帅
蔡小五
隋振超
《微电子学与计算机》
北大核心
2020年第5期28-32,共5页
在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布,此阶梯式分布能避免因锗含量过高产生位错而进一步提高总体应力效果.通过研究发现,薄膜堆叠层的厚度和...
在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布,此阶梯式分布能避免因锗含量过高产生位错而进一步提高总体应力效果.通过研究发现,薄膜堆叠层的厚度和锗元素浓度是影响器件性能的重要因素,实验对堆叠层厚度和锗浓度同时改变比单独改变一种影响因素获得的器件性能更好,器件的饱和电流和漏电流的性能(Idsat-Ioff)可以提高7%,同时,器件阈值电压和饱和电流的性能(Vtsat-Idsat)、器件阈值电压和漏电流(Vtsat-Ioff)性能、漏致势垒降低(DIBL)效应也有相应的改善.
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关键词
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
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职称材料
一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案设计
被引量：
3
4
作者
彭锐
蔡小五
+3 位作者
刘海南
罗家俊
赵海涛
吴秀龙
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第9期42-46,共5页
采用体硅0.25μm BCD工艺,设计了一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案,将需要传输的数字信号编码成两个不同宽度的高频脉冲,这些高频脉冲从变压器初级线圈耦合到次级线圈,并且由次级端电路检测,最后在输出端重新恢复成输入的信号.相对...
采用体硅0.25μm BCD工艺,设计了一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案,将需要传输的数字信号编码成两个不同宽度的高频脉冲,这些高频脉冲从变压器初级线圈耦合到次级线圈,并且由次级端电路检测,最后在输出端重新恢复成输入的信号.相对于传统的磁隔离驱动电路的编解码方案,本文设计的磁隔离驱动电路的编码和解码方式新颖,电路实现简单,使传输的信号延迟时间大大减小,并且工作频率更高.仿真结果表明,电路在3~5V的电压下能正常工作,可以实现最大数据隔离传输速率达到125 Mbps,延迟时间最大仅有8ns,静态电流1.64mA,动态功耗0.37mA/Mbps.
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关键词
磁隔离
高频脉冲
还迟时间
功耗
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职称材料
题名
激光电视的研究进展及趋势分析
被引量：
9
1
作者
李玉翔
姚建铨
蔡彬晶
王涛
王鹏
古贵茹
刘宝利
机构
天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所光电信息技术科学教育部重点实验室
河北工业大学机械学院
出处
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期1-2,共2页
文摘
在显示技术日益重要的今天,激光电视以其他技术无法比拟的优势受到各国的关注。本文介绍了激光电视的基本概念和特点,从激光电视机的发展历史入手,主要介绍了代表世界先进水平的美、日、德三国的激光电视的发展现状,国内激光电视及相关技术的发展情况。总结出我国激光电视今后的发展目标———产业化。
关键词
激光电视
激光显示
Keywords
laser television
laser display
分类号
TN482.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于FET主动控制的脉冲核磁共振射频开关电路
2
作者
孙金水
王秋良
戴银明
李献
机构
中国科学院电工研究所
出处
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2016年第3期76-80,共5页
文摘
核磁共振技术在工农业生产以及日常生活中都有广泛应用,如石油、天然气、地下水等物质的勘探以及食品化工行业中的在线无损检测等。本文主要介绍了一种新的脉冲核磁共振射频开关。核磁共振射频开关在核磁共振系统中起着重要作用,它能够实现发射通道与接收通道的切换。在核磁共振实验中,开关的切换时间以及死区时间的设定都非常重要,它们直接影响核磁共振信号的纯净度。本文在四分之一波长传输线设计方法的基础上,采用三极管和场效应管相结合的方法来控制开关切换时间,并通过电解电容充放电的方法实现了对死区时间的控制。
关键词
核磁共振
射频开关
死区时间
Keywords
NMR
RF switch
dead time
分类号
TN482.53 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
被引量：
1
3
作者
李帅
蔡小五
隋振超
机构
中国科学院大学微电子学院
中国科学院微电子研究所
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《微电子学与计算机》
北大核心
2020年第5期28-32,共5页
基金
国家自然科学基金(61874135)。
文摘
在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布,此阶梯式分布能避免因锗含量过高产生位错而进一步提高总体应力效果.通过研究发现,薄膜堆叠层的厚度和锗元素浓度是影响器件性能的重要因素,实验对堆叠层厚度和锗浓度同时改变比单独改变一种影响因素获得的器件性能更好,器件的饱和电流和漏电流的性能(Idsat-Ioff)可以提高7%,同时,器件阈值电压和饱和电流的性能(Vtsat-Idsat)、器件阈值电压和漏电流(Vtsat-Ioff)性能、漏致势垒降低(DIBL)效应也有相应的改善.
关键词
锗硅外延
薄膜堆叠层
器件性能
PMOS器件
Keywords
SiGe EPI
film stack
device performance
PMOS device
分类号
TN482 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案设计
被引量：
3
4
作者
彭锐
蔡小五
刘海南
罗家俊
赵海涛
吴秀龙
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院硅器件技术重点实验室
安徽大学电子信息工程学院
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第9期42-46,共5页
文摘
采用体硅0.25μm BCD工艺,设计了一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案,将需要传输的数字信号编码成两个不同宽度的高频脉冲,这些高频脉冲从变压器初级线圈耦合到次级线圈,并且由次级端电路检测,最后在输出端重新恢复成输入的信号.相对于传统的磁隔离驱动电路的编解码方案,本文设计的磁隔离驱动电路的编码和解码方式新颖,电路实现简单,使传输的信号延迟时间大大减小,并且工作频率更高.仿真结果表明,电路在3~5V的电压下能正常工作,可以实现最大数据隔离传输速率达到125 Mbps,延迟时间最大仅有8ns,静态电流1.64mA,动态功耗0.37mA/Mbps.
关键词
磁隔离
高频脉冲
还迟时间
功耗
Keywords
magnetic isolation
high-frequency pulse
delay time
power consumption
分类号
TN482 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
激光电视的研究进展及趋势分析
李玉翔
姚建铨
蔡彬晶
王涛
王鹏
古贵茹
刘宝利
《激光杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2007
9
下载PDF
职称材料
2
基于FET主动控制的脉冲核磁共振射频开关电路
孙金水
王秋良
戴银明
李献
《电工电能新技术》
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
3
锗硅外延工艺优化对28nm PMOS器件性能的改善
李帅
蔡小五
隋振超
《微电子学与计算机》
北大核心
2020
1
下载PDF
职称材料
4
一种用于磁隔离驱动电路的编解码方案设计
彭锐
蔡小五
刘海南
罗家俊
赵海涛
吴秀龙
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018
3
下载PDF
职称材料
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