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准平面多导体耦合线的直线法全波分析 被引量：1
1
作者 陈兆清 高葆新 《微波学报》 CSCD 北大核心 1989年第2期1-9,共9页
本文提出了一种准平面多导体耦合线的直线法全波分析方法,包括分析多导体耦合线的各个本征模的传播常数、衰减常数、特性阻抗和2N口网络S参数。由于考虑了色散和损耗,本方法将适合于微波频段高端和毫米波段的应用,为微波毫米波集成电路... 本文提出了一种准平面多导体耦合线的直线法全波分析方法,包括分析多导体耦合线的各个本征模的传播常数、衰减常数、特性阻抗和2N口网络S参数。由于考虑了色散和损耗,本方法将适合于微波频段高端和毫米波段的应用,为微波毫米波集成电路的设计提供了一个实用工具。 展开更多
关键词 多导体 耦合线 直线法 全波分析
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具有隐埋电镀热沉结构用于高性能MMIC的大功率GaAs FET
2
作者 邢东 《半导体情报》 1995年第3期59-65,共7页
报道了一种称作“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的ＦＥＴ结构（先进的源区通孔ＦＥＴ）。“ＳＩＶＦＥＴ”（源区通孔ＦＥＴ）￣［１］是一种新型的ＦＥＴ，其每个源电极都通过通孔与４０μｍ厚的背面电镀热沉金属相连接地，以达到减小源寄生电... 报道了一种称作“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的ＦＥＴ结构（先进的源区通孔ＦＥＴ）。“ＳＩＶＦＥＴ”（源区通孔ＦＥＴ）￣［１］是一种新型的ＦＥＴ，其每个源电极都通过通孔与４０μｍ厚的背面电镀热沉金属相连接地，以达到减小源寄生电感的目的。为了获得低的热阻，芯片厚度要小达３０μｍ。“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的改进结构包含了一种选择隐埋ＰＨＳ（电镀热沉）用以代替背面的厚金层。在这种ＦＥＴ中，由于有源层在器件工作时会产生热量，所以有源层下面的基片厚度设定为３０μｍ，并且在其下面埋入了７０μｍ厚的电镀热沉金属金以改善热阻。为了获得微带线的低损耗和足够的机械强度，芯片其它部分的厚度设定为１００μｍ。该结构提供了更高的功率输出及功率附加效率，并且使芯片的操作更加方便。实验结果显示，当这种１３５０μｍ栅宽的ＦＥＴ处在最大沟道温度（４２．１℃）时，具有极低的热阻（１６℃／Ｗ）。其射频特性为，在Ｖ＿（ｄｓ）＝７Ｖ时，对应于１ｄＢ功率压缩点下的功率输出高达２７．９ｄＢｍ，功率附加效率为３２％；当频率为１８ＧＨｚ时，线性增益为８．３ｄＢ。该器件同时也具有很优异的功率密度，当Ｖ＿（ｄｓ）＝８Ｖ时，其值为０．５４Ｗ／ｍｍ。在机械可靠性方面这种结构也? 展开更多
关键词 集成电路 源区通孔 砷化镓 FET 电镀热沉 隐埋
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微波单片集成电路常用结构的时域分析 被引量：1
3
作者 戚颂新 杨铨让 薛建辉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期112-114,共3页
本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法，其空间网格能沿任意轴向变化，而且具有高阶离散精度，从而节省了机时，提高了计算精度，并首次应用于微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）常用结构的定模分析，具体研究了空气桥、... 本文通过多项式近似导出了一种可变网格的时域有限差分算法，其空间网格能沿任意轴向变化，而且具有高阶离散精度，从而节省了机时，提高了计算精度，并首次应用于微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）常用结构的定模分析，具体研究了空气桥、通孔接地对电路性能的影响，其结果与有关文献相一致，验证了算法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 时域 单片集成电路 空气桥 非均匀网络 微波
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肖特基势垒二级管在毫米波集成电路中的应用 被引量：5
4
作者 甘体国 《电讯技术》 北大核心 1994年第5期12-17,共6页
本文介绍利用肖特基势垒二级管的非线性变阻特性实现下混频、谐波混频、上变频和倍频等毫米波集成电路的理论分析、设计及实验结果。
关键词 肖特基 二级管 毫米波 集成电路
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