提出了一种用于片内数字驱动的瞬态增强NMOS低压差线性稳压器(LDO)。该LDO采用电容耦合动态偏置和双环路推挽式驱动调整管,极大地提高了电路的瞬态响应速度。基于0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,负载电流在0.1～100 m A之间的跃迁时间为...提出了一种用于片内数字驱动的瞬态增强NMOS低压差线性稳压器(LDO)。该LDO采用电容耦合动态偏置和双环路推挽式驱动调整管,极大地提高了电路的瞬态响应速度。基于0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,负载电流在0.1～100 m A之间的跃迁时间为100 ns时,电路的下冲电压为42 m V,过冲电压为66 m V,稳定时间仅为323 ns。该LDO电路的总体静态电流约为50μA,输出电流最大值为100 m A。展开更多
给出采用0.8μm 30 V BCDMOS工艺技术的电流模降压型DC-DC转换器的功率级设计,该功率级可以输出3 A负载电流,转换效率可达到92%。主要描述了电流模降压型DC-DC转换器功率级的建模以及功率级电路和版图设计,包括功率晶体管及驱动电路、...给出采用0.8μm 30 V BCDMOS工艺技术的电流模降压型DC-DC转换器的功率级设计,该功率级可以输出3 A负载电流,转换效率可达到92%。主要描述了电流模降压型DC-DC转换器功率级的建模以及功率级电路和版图设计,包括功率晶体管及驱动电路、功率晶体管采样电流及斜波补偿电路,最后给出了该功率级设计的测试结果。展开更多
文摘提出了一种用于片内数字驱动的瞬态增强NMOS低压差线性稳压器(LDO)。该LDO采用电容耦合动态偏置和双环路推挽式驱动调整管,极大地提高了电路的瞬态响应速度。基于0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,负载电流在0.1～100 m A之间的跃迁时间为100 ns时,电路的下冲电压为42 m V,过冲电压为66 m V,稳定时间仅为323 ns。该LDO电路的总体静态电流约为50μA,输出电流最大值为100 m A。
文摘给出采用0.8μm 30 V BCDMOS工艺技术的电流模降压型DC-DC转换器的功率级设计,该功率级可以输出3 A负载电流,转换效率可达到92%。主要描述了电流模降压型DC-DC转换器功率级的建模以及功率级电路和版图设计,包括功率晶体管及驱动电路、功率晶体管采样电流及斜波补偿电路,最后给出了该功率级设计的测试结果。
