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氧化热处理SrTiO_3压敏电阻的电容弥散频率
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作者 陈志雄 庄严 +2 位作者 李红耘 丁志文 熊西周 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第11期11-14,共4页
经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大。由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。界面驰豫方程确定的特征... 经测量氧化热处理后SrTiO3压敏电阻的电容频率和复阻抗,结果表明:升高热处理温度提高压敏电压时,电容弥散频率显著降低,晶粒电阻明显增大。由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。界面驰豫方程确定的特征驰豫时间和电容弥散频率计算式,与晶粒和晶界的电物理参数相关,弥散频率的计算值与实验结果定性相符。热处理温度升高使氧过度向晶粒体内扩散,导致晶粒电阻明显增大,是弥散频率降低的主要原因。 展开更多
关键词 电子技术 SRTIO3压敏电阻 电容弥散频率 界面驰豫极化 氧化热处理
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(Ba,Sr)TiO_3基电容器陶瓷的制备及介电性能 被引量：2
2
作者 王学荣 唐吉龙 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第1期58-61,共4页
在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善(Ba,Sr)TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1 350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11 784及介电损耗为0.100的... 在对BaTiO3基电容器陶瓷掺杂改性的实验基础上就改善(Ba,Sr)TiO3电容器陶瓷介电性能做了大量实验研究.经测试结果分析表明,(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷最佳烧结温度为1 350℃,由此温度烧结可获得最高介电常数为11 784及介电损耗为0.100的优质电容器陶瓷.结合陶瓷的显微结构SEM照片分析,探讨了添加Sr2+,Ca2+,Zr4+及稀土Dy3+离子对改善(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷介电性能的机理. 展开更多
关键词 电容器陶瓷 介电性能 掺杂离子 (Ba Sr)TiO3
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