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低压应用中的SOI栅控混合管的设计考虑
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作者 黄如 杨兵 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期770-775,共6页
本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中，为器件设计提供了理论依据，也为合理开发... 本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反映了各效应对参数要求的矛盾折中，为器件设计提供了理论依据，也为合理开发深亚微米工艺指明了方向． 展开更多
关键词 SOI栅控混合管 MOSFET 设计 GCHT
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