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题名薄SiO_2膜的等离子体氮化研究
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作者
蔡跃明
吕世骥
简跃光
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机构
南京工学院微电子中心
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989年第6期7-11,共5页
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文摘
本文论述了薄SiO_2膜的低温等离子体氮化。报道了所测试的氮化SiO_2膜的电学性能。利用AES、IR和SIMS等表面分析技术分析了膜的结构和组份,讨论了氮化条件对膜性质的影响,并提出了物理模型加以解释。
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关键词
SIO2膜
等离子体氮化
MOS器件
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分类号
TN386.104
[电子电信—物理电子学]
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题名制备薄栅氧化膜的研究
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作者
许曙明
章定康
黄敞
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机构
骊山微电子研究所
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
1989年第1期41-43,共3页
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文摘
本文比较了标准氧化法,低温氧化、高温退火的两步氧化法及中间退火的两步HCl氧化法的优缺点,从而提出了三步HCl氢化的方法。采用此种方法所制得的氧化膜耐压有所提高,界面态密度、表面电荷及缺陷密度有所下降,采用此法生长栅氧化膜制出的CMOS电路,取得了良好的结果。
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关键词
薄栅氧化膜
HCl氧化法
MOS
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分类号
TN386.104
[电子电信—物理电子学]
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题名6H－SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性
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作者
党冀萍
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出处
《半导体情报》
1996年第1期58-64,共7页
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文摘
介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是第一只６Ｈ－ＳｉＣ掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ。
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关键词
半导体材料
反型沟道
掩埋沟道
MOS器件
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分类号
TN386.104
[电子电信—物理电子学]
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