期刊文献+
共找到5篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
VVMOS功率场效应晶体管的设计和关键工艺
1
作者 陈秀娟 《上海半导体》 1989年第4期40-43,共4页
关键词 VVMOS 功率 场效应晶体管 设计
全文增补中
宽温区高温MOS器件优化设计 被引量:1
2
作者 冯耀兰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期360-365,共6页
全面介绍了27-300℃定温区高温MOs器件的优化设计考虑及用计算机模拟技术进行优化设计的方法。研究结果表明,选取代化的设计参数可使设计的MOs器件在27-300℃宽温区工作并获得最佳高温性能。
关键词 宽温区 高温 MOS器件 优化设计
下载PDF
SOIMOSFET二维数值模拟器的设计
3
作者 吴东平 黄宜平 竺士炀 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期377-381,共5页
介绍了SOIMOSFET 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用,精度较高。给出了利用该设计方法获得的SOIMOSFET二维体电势... 介绍了SOIMOSFET 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用,精度较高。给出了利用该设计方法获得的SOIMOSFET二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。 展开更多
关键词 SOI MOSFET 二维 数值模拟器 设计
下载PDF
高压功率VDMOS场效应晶体管版图设计
4
作者 李中江 夏俊峰 +1 位作者 刘美溶 薛发龙 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期1-4,共4页
高压功率VDMOS场效应晶体管在国内尚属开发新产品.本文就高压功率VDMOS场效应晶体管的版图设计考虑作一介绍.实际设计了耐压450伏、电流容量为5安培的VDMOS场效应晶体管版图.试制结果说明设计是可行的.
关键词 功率VDMOS 场效应晶体管 版图 设计
全文增补中
DESIGN OF nMOS QUATERNARY FLIP-FLOPS AND THEIR APPLICATIONS 被引量:3
5
作者 Xia Yinshui Wu Xunwei(Phys. Dept., Teacher’s College, Ningbo University, Ningbo 315211) (E. E. Dept., Hangzhou University, Hangzhou 310028) 《Journal of Electronics(China)》 1998年第4期347-356,共10页
By using the theory of clipping voltage-switches, two kinds of master/slave nMOS quaternary flip-flops are designed. These flip-flops have the capability of two-input presetting and double-rail complementary outputs. ... By using the theory of clipping voltage-switches, two kinds of master/slave nMOS quaternary flip-flops are designed. These flip-flops have the capability of two-input presetting and double-rail complementary outputs. It is shown that these flip-flops are effectively suitable to design nMOS quaternary sequential circuits by designing two examples of hexadecimal up-counter and decimal up-counter. 展开更多
关键词 Theory of CLIPPING voltage-switches NMOS QUATERNARY LOGIC Flip-flops SEQUENTIAL circuit
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部