半导体吸收式光纤温度传感器的研制 被引量：4

1

作者 曹康敏 施明恒 《传感技术学报》 CAS CSCD 1999年第1期57-63,共7页

本文介绍了一种应用本征半导体的禁带宽度随温度升高而减小的现象，引起对特定波长的光透过率也产生减小的原理，以砷化镓半导体晶片作敏感元，用光纤导光系统，半导体发光二极管作光源，半导体光电二极管作光电转换元，构成了半导体吸... 本文介绍了一种应用本征半导体的禁带宽度随温度升高而减小的现象，引起对特定波长的光透过率也产生减小的原理，以砷化镓半导体晶片作敏感元，用光纤导光系统，半导体发光二极管作光源，半导体光电二极管作光电转换元，构成了半导体吸收式光纤温度传感器并对它进行了研究，制作和实验；又阐述了这种传感器的特点和应用领域． 展开更多

关键词 光纤温度传感器 本征砷化镓晶体 半导体

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AlGaInP橙色发光二极管的研制 被引量：2

2

作者 王国宏 马骁宇 +4 位作者 王树堂 曹青 彭怀德 李玉璋 陈良惠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期10-12,共3页

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００... 利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ橙色发光二极管，２０ｍＡ工作条件下发光波长峰值在６２８ｎｍ，ＦＷＨＭ为２６ｎｍ，１５°（２θ１／２）视角封装后亮度达到３１０ｍｃｄ；８０ｍＡ工作条件下亮度达到１０００ｍｃｄ。并且分析了生长过程中杂质向有源区扩散对发光光谱的影响。 展开更多

关键词 LP-MOCVD 发光二极管 外延生长

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In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs材料系中有序结构的研究

3

作者 范缇文 林兰英 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第3期307-311,共5页

利用光致发光（ＰＬ），横截面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料系中的有序结构进行了研究。实验结果指出：（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地... 利用光致发光（ＰＬ），横截面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对金属有机物气相外延（ＭＯＶＰＥ）生长的Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ／ＧａＡｓ材料系中的有序结构进行了研究。实验结果指出：（１）材料中有序畴的尺寸，形状及分布特性极大地依赖于材料的生长条件；（２）材料的光学性质和结构性质有密切关系。文中提出了一个物理模型，认为有序Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐ材料是一种具有可变带尾态的Ⅱ型量子阱材料。 展开更多

关键词 外延材料 有序结构 光致发光 发光器件 电镜

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LED光强测试仪 被引量：2

4

作者 费翼 《光电子技术》 CAS 1992年第4期313-318,共6页

LED 按发光光谱可分为紫外、可见和红外 LED。本文叙述的是可见LED 的重要参数——发光强度的测试原理及光强测试仪的研制,并给出了部分线径在φ6以下的可见 LED 的测试数据及误差分析。

关键词 发光强度 光谱响应 光强测试仪

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两种非晶碳化硅薄膜发光二极管 被引量：1

5

作者 陈治明 孙国胜 高勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期319-326,共8页

利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种非晶发光器件的结构设计及光谱特性,并对器件的发光机现进行了... 利用硅烷与甲烷的混合气在射频电场下的等离子体反应,淀积不同导电类型的非晶碳化硅薄膜,制成了p-i-n结注入型和均匀材料的碰撞电离型两种大面积发光二极管。本文报导这两种非晶发光器件的结构设计及光谱特性,并对器件的发光机现进行了讨论。 展开更多

关键词 非晶 碳化硅 薄膜 发光二极管

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硅基纳米材料发光特性的研究进展 被引量：11

6

作者 彭英才 何宇亮 《量子电子学报》 CAS CSCD 1999年第1期1-8,共8页

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格，量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术... 近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格，量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。 展开更多

关键词 硅基纳米材料 光致发光 电致发光 发光机制

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CaTiO_3∶Pr^(3+)的合成及发光性质 被引量：8

7

作者 张华京 廉世勋 +4 位作者 吴振国 李承志 毛向辉 马铭 刘莲英 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 1999年第2期38-39,共2页

报道了稀土离子Ｐｒ３＋激活的ＣａＴｉＯ３发光材料的合成方法，ＣａＴｉＯ３∶Ｐｒ３＋位于６１３ｎｍ发射与Ｐｒ３＋离子１Ｄ２３Ｈ４光谱发射相一致。

关键词 发光材料 合成 发光性质 稀土发光材料

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发光材料研制设备的微机控制系统

8

作者 柳青蕴 何伟明 李爱华 《吉林工学院学报（自然科学版）》 1997年第4期28-31,共4页

介绍一种主从分布式计算机控制系统，被控制对象是发光材料研制设备。主机在ＷＩＮＤＯＷＳ环境下，通过优质的图形界面，直观、方便的人机对话操作，对整个控制系统进行管理。加上从机采用比较高档的控制计算机、智能仪表及１２位的Ａ... 介绍一种主从分布式计算机控制系统，被控制对象是发光材料研制设备。主机在ＷＩＮＤＯＷＳ环境下，通过优质的图形界面，直观、方便的人机对话操作，对整个控制系统进行管理。加上从机采用比较高档的控制计算机、智能仪表及１２位的Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换控制模板，使本控制系统具有较高的控制精度和可靠性，实现了设备的自动控制。 展开更多

关键词 分布式 通讯 界面 发光材料 微机控制系统

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长余辉材料研究进展 被引量：2

9

作者 王丽辉 徐征 +3 位作者 李云白 赵辉 徐长远 滕枫 《光电子技术与信息》 1997年第5期14-17,共4页

本文对长余辉材料的发光机理、常用制备方法及其发光特性的测量进行了介绍；并着重分析了近年来长金辉材料的研究进展状况，比较了一系列长余辉材料的发光特性；并在此基础上对长余辉材料的进一步深入研究提出了一些建议．

关键词 长余辉材料 发光特征 发光材料

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外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs／GaAlAsDHLED

10

作者 肖德元 郭康瑾 《上海微电子技术和应用》 1996年第3期14-16,共3页

描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的，克服了光子器件的对准问题，可与电子器件大规模集成。

关键词 外延迁移 发光二级管 光电子集成 硅

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Sr_4Al_(14)O_(25)∶Eu,Nd夜光粉的晶体结构 被引量：2

11

作者 吴振国 廉世勋 +2 位作者 李承志 张华京 毛向辉 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 1999年第3期18-20,共3页

通过对 Ｓｒ４ Ａｌ１４ Ｏ２５∶ Ｅｕ ， Ｎｄ 夜光粉 样品的 Ｘ 射线衍射 分析，确 定其是一 混晶结 构。 Ｅｕ ２ ＋取代基质 中 Ｓｒ２ ＋ 的位 置， Ｎｄ３ ＋ 取代 Ａｌ３ ＋ 的位置 。通过 扫描电 镜测定 了样 品的 外观... 通过对 Ｓｒ４ Ａｌ１４ Ｏ２５∶ Ｅｕ ， Ｎｄ 夜光粉 样品的 Ｘ 射线衍射 分析，确 定其是一 混晶结 构。 Ｅｕ ２ ＋取代基质 中 Ｓｒ２ ＋ 的位 置， Ｎｄ３ ＋ 取代 Ａｌ３ ＋ 的位置 。通过 扫描电 镜测定 了样 品的 外观 形貌 和颗 粒级配。 展开更多

关键词 夜光粉 晶体结构 稀土 铝酸盐 发生材料

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蓝色发光二极管的最新进展

12

作者 于丽娟 朱长纯 《现代显示》 1998年第1期45-48,共4页

从材料、器件结构、特性及其应用等方面介绍了蓝色发光二极管（ＬＥＤ）的发展过程，并展望了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色二极管的应用前景，同时指出了目前急待解决的问题及发展方向。

关键词 半导体材料 发光二极管 彩色显示

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