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非晶态SiO_2掺杂Fe^（2＋）薄膜气敏特性的研究
被引量：
3
1
作者
陈康
王忠诚
耿殿丽
《传感器技术》
CSCD
1996年第1期5-10,共6页
研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄ...
研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄｍ－３３，响应速度≤５ｓ．本工作以非晶态半导体的Ｍｏｔｔ－Ｄａｖｉｓ能带模型结合表面吸附理论，初步探讨了该材料的气敏机理，确立了元件阻值Ｒ与吸附浓度Ｃ的关系方程，以此解释元件的气敏特性．该方程对非晶态ＳｉＯ２掺杂薄膜是普遍适用的。
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关键词
氧
气敏元件
非晶态
掺杂
二氧化硅
铁
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职称材料
MgO对ZnO压敏电阻电性能的影响
被引量：
2
2
作者
许毓春
李慧峰
+1 位作者
王礼琼
王士良
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1996年第2期114-116,共3页
研究了ＭｇＯ掺杂对ＺｎＯ压敏电阻电性能的影响。结果表明，ＭｇＯ含量增加，压敏场强Ｅ１ｍａ＝Ｖ１ｍＡ／ｄ上升，通流能力增强，非线性指数α和漏电流ＩＬ变化不大。文中还对上述结果进行了理论分析。
关键词
压敏电阻
掺杂
电性能
氧化锌
氧化镁
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职称材料
题名
非晶态SiO_2掺杂Fe^（2＋）薄膜气敏特性的研究
被引量：
3
1
作者
陈康
王忠诚
耿殿丽
机构
上海交通大学
出处
《传感器技术》
CSCD
1996年第1期5-10,共6页
文摘
研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄｍ－３３，响应速度≤５ｓ．本工作以非晶态半导体的Ｍｏｔｔ－Ｄａｖｉｓ能带模型结合表面吸附理论，初步探讨了该材料的气敏机理，确立了元件阻值Ｒ与吸附浓度Ｃ的关系方程，以此解释元件的气敏特性．该方程对非晶态ＳｉＯ２掺杂薄膜是普遍适用的。
关键词
氧
气敏元件
非晶态
掺杂
二氧化硅
铁
Keywords
Oxide-semiconductor sensor Non-crystalline SiO_2 Thin film doped with Fe￣(2+) Gas-sensitive speciality
分类号
TN379.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MgO对ZnO压敏电阻电性能的影响
被引量：
2
2
作者
许毓春
李慧峰
王礼琼
王士良
机构
华中理工大学固体电子学系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1996年第2期114-116,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
研究了ＭｇＯ掺杂对ＺｎＯ压敏电阻电性能的影响。结果表明，ＭｇＯ含量增加，压敏场强Ｅ１ｍａ＝Ｖ１ｍＡ／ｄ上升，通流能力增强，非线性指数α和漏电流ＩＬ变化不大。文中还对上述结果进行了理论分析。
关键词
压敏电阻
掺杂
电性能
氧化锌
氧化镁
Keywords
s: ZnO varistor, MgO dopant,electrical chracteristics
分类号
TN379.053 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
非晶态SiO_2掺杂Fe^（2＋）薄膜气敏特性的研究
陈康
王忠诚
耿殿丽
《传感器技术》
CSCD
1996
3
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职称材料
2
MgO对ZnO压敏电阻电性能的影响
许毓春
李慧峰
王礼琼
王士良
《压电与声光》
CSCD
北大核心
1996
2
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职称材料
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参考文献
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