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MOS结构衬底电阻率ρ对光电参数的影响
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作者 陈杰 戴文战 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期40-42,共3页
用高阻p型硅(ρ=12000Ωcm)单晶材料制作了MOS结构器件,对样管的光电参数进行了测量。在激光辐射下,测出样管在光照前后的C-V实验曲线及样管在0.4V偏压下,光照前后的电容相对变化率为39.5%。而用低阻p型... 用高阻p型硅(ρ=12000Ωcm)单晶材料制作了MOS结构器件,对样管的光电参数进行了测量。在激光辐射下,测出样管在光照前后的C-V实验曲线及样管在0.4V偏压下,光照前后的电容相对变化率为39.5%。而用低阻p型硅制成的样管,在同样条件下,电容的变化量不大。 展开更多
关键词 半导体光电器件 C-V特性曲线 光电容 测试
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硅光电探测器光谱响应度测量标准装置 被引量:11
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作者 张建民 林延东 +1 位作者 邵晶 樊其明 《计量学报》 CSCD 北大核心 1998年第3期194-198,206,共6页
本文介绍了硅光电探测器光谱响应度测量的原理和装置,描述了相对和绝对光谱响应度标定方法,详细分析了引起标定误差的因素和误差合成,简要分析了国际比对结果。本装置的波长范围为300~1000nm,相对光谱响应的不确定度(1... 本文介绍了硅光电探测器光谱响应度测量的原理和装置,描述了相对和绝对光谱响应度标定方法,详细分析了引起标定误差的因素和误差合成,简要分析了国际比对结果。本装置的波长范围为300~1000nm,相对光谱响应的不确定度(1σ)为021%~086%,绝对光谱响应的不确定度(1σ)为025%~087%。 展开更多
关键词 光电探测器 相对光谱响应度 绝对光谱响应度
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热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修
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作者 程开富 《电子工业专用设备》 1998年第1期34-39,共6页
文章就热壁低压化学汽相淀积(HWLPCVD)设备使用过程中常见的故障现象及维修谈一点体会。
关键词 HWLPCVD 多晶硅 氮化硅 半导体光电器件
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光电耦合器的微机自动测试系统
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作者 朱文虎 钱琳 《电子器件》 CAS 1997年第1期499-502,共4页
本文介绍了光电耦合器电参量自动测试的一种微机系统.描述了系统的组成及软件设计.软件设计用C语言编写,实现自动测试数据、控制检测过程、打印输出结果和存盘记录数据等功能.
关键词 光电耦合器 微机 自动测试
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