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双层外延材料参数的选择
1
作者 金德霖 《微电子技术》 1997年第4期50-53,共4页
关键词 双极型 双极晶体管 双层外延材料
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用于HBT的SiGe合金材料层的腐蚀工艺研究 被引量：1
2
作者 欧益宏 刘道广 李开成 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期76-78,共3页
探索利用反应离子刻蚀 ( RIE)和湿法腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的工艺条件。对两种腐蚀方法的利弊进行了对比 ,找出腐蚀 Si1-x Gex 合金材料的实用化途径 ,并且解决了不同 Ge含量的 Si1-x Gex
关键词 硅-锗合金 反应离子刻蚀 异质结 双极晶体管
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用AES/XPS对异质结材料的研究 被引量：1
3
作者 任殿胜 严如岳 +1 位作者 华庆恒 刘咏梅 《半导体情报》 1997年第6期42-45,共4页
用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ... 用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不同ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态和相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法（ＰＬ）测得的ｘ值进行了对比。 展开更多
关键词 异质结 X射线 光电子能谱 双极晶体管
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